IR推出高效、可靠的超高速1200VIGBT（IR）

国际整流器公司（International Rectifi—er,简称IR）近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管（IGBTs）,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。     

ADI公司推出小型隔离式栅极驱动器

<正>ADI宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。ADuM4120和     

绝缘栅双极型晶体管过流保护的分析与研究

绝缘栅双极晶体管运用广泛,但是要设计出稳定可靠的驱动电路或过流保护电路等一直是个难题.本文对绝缘栅双极型晶体管过流保护进行理论分析,阐述其过流的特点和过流保护的方法,结合实际设计案例进行分析研究与试验,通过试验测试实际使用过流保护电路时存在的问题,了解绝缘栅双极型晶体管过流保护的相关特点.让读者在设计过流保护电路的时候应充分考虑这些特点,选用合适的电子器件,搭建合适的过流保护电路.这对工程设计和工程现场有很好的指导意义.     

基于LSTM网络的IGBT参数预测硬件系统设计

对绝缘栅双极型晶体管进行参数预测可以有效地避免因其失效带来的经济损失和安全问题。对绝缘栅双极型晶体管参数进行分析,设计了一个基于LSTM网络的绝缘栅双极型晶体管参数预测SoC硬件系统。该系统使用ARM处理器作为总控制器,控制各个子模块的调用和数据的传输, FPGA内通过对矩阵向量内积算法进行优化提高LSTM网络内部的数据运算速度,并且采用多项式近似的方法降低了激活函数所占用的资源。实验结果表明,系统的预测平均准确率为92.6%,计算速度相比于CPU快了3.74倍,同时具有低功耗的特点。     

用IGBT晶体管制作CFL电子镇流器

在荧光灯电子镇流器中作为开关使用的晶体管主要有双极型和MOS-FET两种。绝缘栅双极晶体管(IGBT)本来是一种大功率电力电子器件,于20世纪80年代末实现商品化。90年代中期后,适用于荧光灯尤其是紧凑型荧光灯(CFL)电子镇流器的低功率IG-BT应运而生,且崭露头角。 IGBT的图形符号及其主要特点 IGBT可以看作是由一只MOSFET输入跟随器和一个双极型晶体管的复合结构组成,图1(a)为N沟     

WATTPOWER“维纳斯”系列UPS

瓦特好(WATTPOWER)UPS是法国国防部指定的军用UPS,为法军各部所装备。产品分五大系列,其中最具特色的“维纳斯”系列为第四代串联在线式UPS。采用最先进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术代替过去的MOSFET和双极型晶体管的混合型晶体管。其快速、低耗和易控性质决定了UPS更高的效率和更加稳定的输出,满载整机效率>90％,输出稳定度±1％。     

绝缘栅双极晶体管的并联应用及保护技术

叙述了绝缘栅双极晶体管的概况、特性及并联应用的栅驱动设计、均流、散热设计应考虑的问题.介绍了几种并联应用时采用的栅驱动电路、均流措施、过压过流保护电路.     

联栅晶体管的研制

联栅晶体管(Gate Associ—ated Transistor)是一种结构改进的双极型晶体管,它具有高开关速度、高反压、低饱和压降等特点。本文讨沦了联栅晶体管的结构与性能,分析了联栅管H_(FE)—I_C特性及优化设计问题。     

基于NI-VISA和C#的示波器数据采集测试系统

介绍一种在.Net平台下使用C#基于NIVISA组件和SCPI指令对示波器进行控制,对示波器波形数据进行采集的方法和测试系统方案。同时,利用该方法搭建双脉冲实验数据采集平台,对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件进行自动化测试。     

氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半     

基于退化数据和DBN算法的IGBT健康参数预测方法

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等电子元器件被广泛用于运输和能源部门,其健康状态对于设备安全和有效至关重要;在对IGBT的结构和损伤机制分析基础上,结合NASA艾姆斯中心开展的IGBT加速退化试验,选择集电极-发射极关断峰值电压作为失效特征参数,提出了一种基于深度信念网络的预测模型对其进行分析和预测;以Levenberg-Marquardt(LM)算法模型作为对比,实验结果显示文章提出的三隐藏层DBN模型相比于LM模型有更好的预测性能和更高的预测精度。     

采用IGBT的直流电机调速控制器

介绍直流电机调速控制器的原理及其系统构成.其主功率开关器件选用绝缘栅控双极型晶体管——IGBT.控制电路采用速度(或电压)、电流双环调节,采用TL494作为脉宽调制器以驱动IGBT,使新波频率高达18KHz缩小了系统体积,并使运行无噪音污染.本文重点分析了IGBT的控制和保护电路.     

IGBT PFM型X光机电源

论述PFM(Pulse Frequency Modulation)脉冲频率调制型X光机电源的原理及系统构成.其主要功率器件选用目前国际上最先进的IGBT绝缘栅双极型晶体管.整流可控硅移相融发脉冲是由单结晶体管产生.PFM脉冲信号是由压频(V/F)振荡器产生.控制电路采用预置X射线管电压,管电流以及设置X射线管阳极最高工作温度、连续工作时间等多环节调节.     

瑞萨电子第8代IGBT,转换损耗降至新低

正瑞萨电子株式会社,宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管的六款新产品,其可将用于太阳能发电系统的功率调节器中的转换损耗降至最低,并减少不间断电源系统中的逆变器应用。推出的六种新产品额定功率分别为650V/40A、50A、75A、1250V/25A、40A和75A。瑞萨也为带内置二极管的1250V IGBT实现了业界首款TO-247 plus封装,它为系统制造商提供了更大的电路配     

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略

为了解决传统V~(CE)在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGBT的短路电流和短路功耗,减小关断尖峰电压。基于3300 V/1200 A IGBT模块的短路实验结果证明了该策略的有效性和可行性。     

浅谈计算机系统的UPS电源

在选择UPS电源时,应根据产品技术指标和产品说明书,从下面几方面讨论产品的技术性能和选择标准。 1.考察所用的功率元器件:不间断电源(UPS)在功率元件方面经过几代变化,最近出现的新一代功率器件绝缘栅双极型     

温度循环下IGBT热阻退化模型的研究

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在工作过程中经常要承受过热和较大的温度波动,当热损伤达到一定的程度时,模块极有可能出现失效,从而带来巨大损失。首先从理论上分析了IGBT的失效机理,然后利用热阻测试平台和加速老化实验平台测得IGBT热阻在温度循环冲击下的退化情况,最后根据实验结果建立IGBT热阻退化数学模型,得出热阻的退化规律。     

半导体技术推动汽车业创新 飞思卡尔携手ST组建微控制器设计团队

本报讯2月28日,飞思卡尔与意法半导体(ST)携手开展一项广泛的联合创新计划,加强各自在汽车应用领域的实力。两家公司将联合组建一支微控制器设计团队,共同利用处理器工艺技术,共享知识产权,其中包括大功率MOS技术。其中,两家公司的协议涉及到高性能、经济高效的32位微控制器(基于PowerPC内核)、汽车和导航应用的基本知识产权、90-nm嵌入式闪存处理技术、高压Power MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)技术。联合设计的产品将使用经过市场验证的PowerPC体系结构,并利用ST和飞思卡尔在嵌入式闪存领域的广…     

基于80C196MC芯片的SPWM逆变器的控制系统研究

介绍一种以绝缘栅双极晶体管ＩＧＢＴ模块、ＳＰＷＭ专用集成电路８０Ｃ１９６ＭＣ为基础构成的ＳＰＷＭ变频器。这种变频器的正弦输出频率为０～５０Ｈｚ，载波频率为６００Ｈｚ～１０００Ｈｚ；设置了多条Ｖ／Ｆ曲线和不同的启动速率以供选择；具有完善的故障保护功能。     

能源并网系统中IGBT模块的温度场分布分析

温度影响着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的可靠性,采用传统的功电热耦合仿真模型只能测得IGBT模块离线情况下的一个结温,不能获得实际工况下芯片表面的温度场分布。在传统功率循环试验仿真的基础上进行改进,考虑到IGBT关断过程中的电压缓变,将该电压作为载荷,利用数值仿真软件ANSYS热分析环境,采用有限元分析方法得到模块温度场分布图,分析了温度场分布特征,可知温度较高区域出现在有源区的四周边沿处,这同以前的实验结果一致,证明仿真模型的正确性。以上分析对研究IGBT模块的可靠性和模块在线监测具有一定的指导意义。