微波CVD法合成金刚石薄膜的生长规律及薄膜品质分析

阐述了微波等离子化学气相沉积方法合成金刚石薄膜的生长规律，并对薄膜品质作了分析，指出加强基板预处理，提高工艺参数控制精度是决定薄膜品质的关键因素。     

单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系

分析了气相同质外延单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系,指出了控制实验条件是确保各晶面薄膜品质的关键。     

薄膜电路中电阻与电容的制造研究

本文阐述了Ni-Cr、Cr-SiO、Ta薄膜电阻和SiO、Ta_2O_5薄膜电容的设计与制造方法。指出获得高质量的电阻薄膜、接角薄C、介质薄膜和上下电极薄膜的关键是采用高纯度的材料,高的真空度和控制好蒸发、溅射速率。 本文还给出了对具体产品的试验结果,从中可以看出薄膜电阻和电容电特性的优良品质。     

微波CVD法合成金刚石薄膜生长机理分析

探讨了微波等离子体ＣＶＤ法合成金刚石薄膜的生长机理，指出等离子体中ＣＨ＋３、ＣＨ＋＋２、Ｈ＋的含量是决定薄膜品质的关键因素。     

微波CVD法合成金刚石薄膜生长机理分析

探讨了微波等离子体ＣＶＤ法合成金刚石薄膜的生长机理，指出等离子体中ＣＨ３，ＣＨ２，Ｈ的含量是决定薄膜品质的关键因素。     

射频溅射制备镁钙微波陶瓷薄膜的研究

制备了膜层质量良好的镁钙微波介质陶瓷(MCT)薄膜.采用高密度等离子体射频溅射法在(110)二氧化硅上沉积了MCT陶瓷薄膜.研究结果表明: 薄膜态MCT陶瓷具有和块状材料相近的微波介电特性,MCT薄膜的介电常数在20左右,品质因子在23THz左右;溅射气体的氩氧混合体积比会明显影响薄膜膜层质量及其介电特性,氧分压的变化改变了八面体C轴长度,使晶格畸变和八面体向四面体转变;溅射功率和退火工艺温度也会影响薄膜质量.     

微波CVD法合成金刚石薄膜的生长规律及薄膜品质分析

阐述了 微波等离 子化学 气相沉 积 方法 合成 金 刚石 薄 膜的 生长 规 律,并 对 薄膜 品质 作 了分析,指 出加强基 板预处理 、提高工 艺参数控 制精度 是决定薄 膜品质 的关键因 素。     

不锈钢(3Cr13)镀类金刚石薄膜的研究

利用脉冲真空电弧离子镀技术在3Cr13不锈钢基底上制备类金刚石(DLC)薄膜,采用X射线光电子能谱技术分析DLC薄膜中sp3键及sp2键含量和组分.采用显微硬度计测试了薄膜的显微硬度,利用扫描电镜测试了膜的表面形貌.划痕仪测试了薄膜与不锈钢基底的结合强度.结果表明:所镀制的类金刚石薄膜品质优良,类金刚石中sp3键含量较高,sp3/sp2=1.63,具有良好的表面形貌,在不锈钢上沉积DLC膜后明显提高了不锈钢的硬度,Ti过渡层的引入明显的改善了膜与不锈钢之间的结合强度.     

高温超导薄膜微波表面电阻测试方法

介绍一种工作在12 GHz附近的高温超导薄膜微波表面电阻Rs测试系统,该系统采用低损耗高介电常数的蓝宝石构成工作在TE011+δ谐振模式的介质谐振器,在77 K时,利用它对高温超导薄膜的微波表面电阻Rs进行测试,提高了整个测试系统的品质因素,可成功地用于单片φ 50.8 mm较大超导薄膜的无损伤测试,整个测试系统体积小、操作方便,且所需实验条件简单,测试灵敏度高,具有简便、快捷、适合于工业化生产检测的特点。     

不同包装材料和包装形式对食品储藏特性的影响

收集了3种常用于食品包装的塑料包装材料,分析材料性能并选取一种材料,通过3种不同包装形式(普通包装、真空包装及充氮包装),对休闲食品辣条的储藏特性进行测试。从市场上相关食品厂选取3种不同组成的材料(尼龙薄膜、聚酯薄膜和聚丙烯薄膜)为试验材料。通过薄膜冲击测试,发现聚酯薄膜的拉伸强度和拉伸应变最大且不易发生形变。对3种包装材料的水蒸气透过率进行分析,尼龙薄膜为13.4 g·m~(-2)·d~(-1)、聚酯薄膜为11.6 g·m~(-2)·d~(-1)、聚丙烯薄膜为12.36 g·m~(-2)·d~(-1)。试验结果表明:食品水分的变化和材料材质本身的水蒸气透过率有较大关系,材料的水蒸气透过率越高则水分流失较快,两者呈负相关。对不同保质期的产品可以根据水蒸气透过率选择不同的包装材质。使用聚酯薄膜材料包装进行不同包装形式的储藏试验,试验发现:充氮包装的休闲食品在储藏期间的水分、过氧化值与酸价均优于其他两种包装。充氮包装下水分流失较少,可较好地保持食品原有的品质。随着储藏时间的延长,3种包装形式下食品的过氧化值和酸价均呈现上升的趋势,但充氮包装的上升趋势较缓慢,有利于食品品质的保持。     

单轴晶体薄膜的光学隧道效益(英文)

本文提出一种研究晶体薄膜光学隧道效应的方法，计算在最一般情况下晶体中急逝波的复射率和复折射角，讨论了隧道效应时晶体薄膜的反射率和透射率，以及这些系数与薄膜光学参量的关系，以上结果提供了用光学隧道效应检测晶体薄膜的理论。     

ZnWO4单晶衬底制备ZnO薄膜的发光性能

以Zn(CH_3COO)_2·2H_2O为反应的前驱体,采用溶胶一凝胶法在ZnWO_4单晶衬底上制备出了具有良好光学特性的ZnO薄膜．通过理论计算和实验论证分析了ZnWO_4单晶作为制备ZnO薄膜的衬底材料的可行性．结果表明,ZnWO_4晶体的a晶面与ZnO晶体的c晶面晶格匹配很好,最佳方位晶格失配率只有0．83％,是制备ZnO薄膜的优良衬底．用波长325 nm光激发,薄膜在396 nm有较强的荧光发射．     

晶体薄膜光子隧道显微理论

光子隧道像有较高的横向和纵向的分辨率,利用椭圆偏振术,测定晶体薄膜两主反射系数的椭偏参量,能够测定晶体薄膜的光子隧道像。     

向列相液晶薄层的有限尺寸效应和相变

在分子场近似下研究n个分子层构成的向列相液晶薄层．使用文献上最近提出的空间各向异性两体作用势．存在两个模型,分别给出液晶弹性常数到势参数的两种映射方案,对液晶PAA进行了数值计算．模型Ⅰ给出液晶指向矢垂直薄层表面排列,而模型Ⅱ给出指向矢平行于薄层表面排列．两个模型给出有限尺寸效应对向列相-各向同性相相变温度的影响也不同。     

液晶单分子膜光电效应的研究

采用LB膜技术制备了液晶／花生酸混合膜，利用表面等离极化激元（SPP）技术对液晶单分子膜电光效应进行了研究，其结果表明：在电场作用下液晶／花生酸混合膜的SPP谱的共振峰变窄，共振角的位置也发生变化，即电场作用使得单分子膜的介电常数发生变化，单分子膜的这种电光效应与电场的频率无关。     

PLCT薄膜的结晶性能研究

采用Sol-Gel法制备了（Po0.9-xLa0.1Cax)Ti0.975O3( 简写为PLCT100x)铁电薄膜。利用Siemens D5005型号X射线衍射仪分析了PLCT（x)薄膜的结晶特性，总结出全钙钛矿相的PLCT铁电薄膜的退火工艺。用AFM测试了PLCT（100x)薄膜的表面，发现用Sol-Gel方法制备的薄膜相当平整。     

高分子／液晶复合膜的结构与电光性质

以聚甲基丙烯酸甲酯及其改性物聚酰亚胺作为膜的基体，与向列型混合液晶ＧＲ－６３制成复合膜及其液晶盒。通过ＤＳＣ和扫描电子显微镜考察了复合膜的组分间相互作用及复合膜的相分离结构，并且研究了以该复合膜所制成的液晶盒的某些光开关性质及其相应的影响因素。     

热致收缩液晶弹性体材料性能研究

液晶弹性体材料作为一种新型的智能材料引起了人们的广泛兴趣。热致液晶弹性体薄膜可以在相变温度处产生收缩形变。实验中采用全息曝光的方法制备了具有栅状结构的热致液晶弹性体薄膜材料。通过偏光显微镜对弹性体薄膜的光栅结构、偏光特性进行检测。对该液晶弹性体薄膜的热致收缩性能进行测试,其热致收缩形变率为12%。     

在高ECR 等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜

目的　研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长ＧａＮ 时的离子密度对其质量的影响．方法　用朗缪尔探针测量离子密度,用Ｘ 射线双晶衍射及霍尔测量分析ＧａＮ的质量与性能． 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好． 当生长ＧａＮ 时的离子密度为２－０ ×１０１１ ｃｍ － ３ 时,所得ＧａＮ 晶膜的氮镓量比接近于１ ,本底电子密度为３－７ ×１０１８ ｃｍ － ３ ,Ｘ 射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为１６ ａｒｃｍｉｎ ． 结论　提高离子密度能明显提高ＧａＮ 的质量与性能     

液晶材料5CB Langmuir-Blodgett薄膜的制备

研究了新型高性能液晶材料5CB(4-氰基-4′-戊基联苯)薄膜的制备技术.采用Langmuir-Blodgett(LB)法制备了单分子液晶薄膜.通过实验得出均匀、完整的液晶材料5CBLB薄膜的最佳制备的工艺,成膜方式为Y型垂直提拉法,压膜速度为8 mm/min;提拉速度均为1.5 mm/min,液晶材料溶于三氯甲烷的浓度为1.0 mg/m L,亚相温度25℃.通过偏光显微镜观察发现,该液晶薄膜具有向列型条纹织构.液晶材料5CB LB薄膜的制备技术研究为其光学及电学研究提供了基础.