φ76mm GaAs有源器件模型库

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不同种类GaAs MMIC的设计研制进行了验证与改进,模拟结果和测试结果基本一致.目前此模型和模型库已用于φ76mm GaAs工艺线上多种微波GaAs单片的设计研制.     

φ76mm GaAs有源器件模型库

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不同种类GaAs MMIC的设计研制进行了验证与改进,模拟结果和测试结果基本一致.目前此模型和模型库已用于φ76mm GaAs工艺线上多种微波GaAs单片的设计研制.     

Hittite推出新款双平衡混频器和镜象抑制混频器

为通信和军用市场提供全套MMIC基产品的Hittite Microwave公司推出甚小孔径终端(VSAT)、微波无线电通信、测试设备和传感器用的两款表面安装(SMT)GaAs MMIC混频器和一款新的SMT GaAs MMIC双平衡混频器,其频率范围4—16GHz。型号为HMC527LC4和HMC528LC4的两款GaAs MMICI/Q混频器     

MMIC在T/R组件中的应用

采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成.基于GaAs的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于GaN的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率.组件接收通道采用基于GaAs的LNA芯片,发射通道采用基于GaN的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路.研制的T/R组件在8～12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 dB,噪声小于3 dB;发射通道在周期1 ms,脉宽10％的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 dBm.T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm.     

混合与单片微波电路的比较——成本问题

近几年来,微波杂志和通俗期刊的读者已经注意到微波研究和发展的一个重要领域——GaAs单片微波集成电路(MMIC)。这些MMIC的工艺和电路设计技巧已影响到很多微波领域的部门,而它们以前是采用普通混合微波集成电路(MIC)或波导元件和系统的。现在,MMIC工艺和电路设计的发展已经表明了高达大约35GHz的惊人结果,其电路设计更多地借助于计算机辅助测试(CAM)和计算机辅助设计(CAD)。到目前为止,大概MMIC最感兴趣的方面是这种单片集成的方式,其中,GaAs MES FET被用于完成多种功能,如:放大、变频、振荡、相移、开关等,特别是在许多情况下,在这些特殊电路范围内,FET优于其它器件。虽然批量生产GaAs MMIC有希望成为一种价格低、性能好、尺寸小和可重复的好方法(这类似于以前的硅集成电路),但对于微波工业,通常还有大量的要求不能满足。另外,混合MIC装配的惊人技艺已在世界范围内建立,而且,对于特殊要求的微波元件,混合MIC可以提供最佳的解决办法。因此,很自然地,许多微波工艺部门持怀疑的态度来看待MMIC,并指出这种特殊方法的缺点。MMIC的设计者们则保持强有力的步调,而致力于混合MIC的设计者们却不断地改善其能力,以生产更多成熟的、小型的和廉价的元件。本文评论了这两种生产微波元件的方法的相对优点和现状,得出了有关这两种竞争工艺前景的几点结论。     

GaAs MMIC和MESFET的生产技术及成品率控制

本文根据国外的经验和数据并结合我国的实践,分析和介绍GaAs MMIC(毫米波集成电路)和MESFET的生产技术和成品率控制原则.这些情况对我国GaAs MMIC和MESFET的进一步开展和生产有参考价值.     

带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计北大核心CSCD

采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。     

一种基于Lange耦合器的S波段小型化集成功放

设计了一种全部采用国产芯片研制的小型化集成功放模块。该模块采用一种全新的结构模式,通过Lange耦合器将GaAs MMIC单片、单电源GaAs功率芯片和硅功率芯片混合集成,使得其体积比同等性能的功率放大器减小。测试结果表明,在工作电压36V、脉宽300μs、占空比10%的测试条件下,2.7～3.1GHz或3.1～3.4GHz带内输出功率均能达到50W,36V电源效率大于40%。     

GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路

利用GaAs基 E/D PHEMT 技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC~10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成. 开关电路在DC~10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.     

国外微波,毫米波半导体器件,单片集成电路的最新进展及其商业市场前景

简要叙述了国外微波、毫米波半导体器件的近期进展及一些新型器件的研制状况.介绍了正实施中的美国国防部MIMICⅡ阶段计划以及新近低嗓声和功率MMIC放大器的参数水平,并俯瞰了美国GaAs生产线的现状和进展.最后简要综述了国外GaAs MMIC商用市场的前景.     

一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 ,稳定性好     

A configurable integrated test methodology for monolithic microwaveintegrated circuit production

A configurable integrated test (CIT) model has been developed for GaAs monolithic microwave integrated circuit (MMIC) production control. The optimal process/test strategy for an MMIC in production phase can easily by predicted from this model. The adaptive nature of the CIT model also suggests suitability of the screen criteria and quantifies the necessity of each test step. Application of this CIT method of MMIC manufacturing will result in significant cost reductions. The CIT theory and application examples are presented     

基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC

研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。     

家庭网络中心--一种多功能数字硬盘录像机

分析了数字硬盘录像机(DVR)的平台特点,以及在此平台上扩展网络接口、DV接口、DVD等功能,从而构成一个家庭网络中心.     

On-wafer photoconductive sampling of MMICs

A practical technique for the on-wafer characterization of the high-frequency response of a MMIC was developed, using photoconductive (PC) sampling. It provides S-parameter measurement with broadband, high sensitivity, and accurate calibration. In addition, due to its inherent broadband signal generation on the wafer, high-frequency information of the circuits can be extracted merely by using DC probes. Starting from a hybrid testing configuration, the compatibility of PC switch fabrication with the MMIC production process is demonstrated. In this phase, 40-dB dynamic range in the S-parameter measurement was achieved. The success motivated the monolithic integration of the PC switches onto the MMIC. Efforts were made to reduce the size of the optical test structure. Good agreement between a conventional network analyzer measurement and two optical testing results has been achieved, showing that built-in optical test structures can be designed to have comparable overall size with existing CPW test structures. The S-parameter characterization of a nonlinear transmission line is demonstrated     

V-band HJFET MMIC DROs with low phase noise, high power, and excellent temperature stability

This paper describes the development, along with detailed phase-noise analysis, of V-band monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) dielectric-resonator oscillators (DROs) achieving state-of-the-art performances. A TE/sub 01/spl delta//-mode Ba(Mg,Ta)O/sub 3/ cylindrical dielectric resonator (DR) is directly placed on a MMIC GaAs substrate to avoid the loss and uncertainty of bonding wires. A 0.15-/spl mu/m AlGaAs-InGaAs heterojunction field-effect transistor with optimized structure is developed as an active device. A design procedure proposed by the authors is employed, which allows us to analyze and optimize circuits in consideration for the output power, phase noise, and temperature stability. A developed DRO co-integrated with a buffer amplifier exhibits a low phase noise of -90 dBc/Hz at 100-kHz offset, a high output power of 10.0 dBm, and an excellent frequency stability of 1.6 ppm//spl deg/C at an oscillation frequency of 59.6 GHz, all of which are state-of-the-art performances reported for MMIC DROs above V-band. An experimental and theoretical analysis for the phase-noise-reduction effect of a DR is also addressed.     

MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理、测试方法和自动测试程序。     

一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC

采用Foundry提供的InGaP/GaAs HBT工艺设计了一种数字静态除2高速预分频器MMIC.流片测试结果与仿真结果基本吻合,最高工作频率高于仿真结果.设计过程在速度和功耗之间进行了折中,并且考虑了自谐振频率对电路的影响.测试结果显示:在5V电源电压下,该预分频器静态电流为60mA,最高工作频率达到15GHz,自谐振频率为19.79GHz.该MMIC可以直接应用到S-X波段射频微波系统中.     

机载预警雷达天线发展趋势及关键技术

综合性预警探测多功能一体化系统是下一代机载预警雷达的一种必然趋势,它要求天线阵面具备多功能、与平台一体化的特征,实现超宽带、多频段性能,并能在硬件资源上支撑数字智能化的系统体系架构。文中首先分析了机载预警雷达天线阵面的发展趋势和国内外研究现状,继而分析了目前机载预警雷达天线系统的关键技术,阐述了相应的技术实施途径和核心问题,提出部分解决方案。     

高效率X波段GaN MMIC功率放大器的研制

突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器。设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺。单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及合成匹配电路,输入输出阻抗均为50Ω。制作了微波测试载体及夹具,最终实现了X波段GaN MMIC功率放大器微波参数测试。在8.7～10.9 GHz频率范围内,该功率放大器输出功率大于16 W,功率增益大于14 dB,增益波动小于0.4 dB,输入驻波比小于2∶1,功率附加效率大于40%,带内效率最高达52%。