单色仪光谱透射率的误差表示及其对探测器光谱灵敏度的影响

本文给出了单色仪光谱透射率随光源温度变化而变化的误差表达式,并讨论了它对探测器光谱灵敏度测定的影响。     

内调制光电探测器与GCMPD灵敏度的比较

通过严格的对比实验发现，内调制光电探测器的灵敏度比ＧＣＭＰＤ的高很多。文中还指出了ＧＣＭＰＤ理论的基本错误和实验的欠妥之处。     

用光声光谱技术测量光电探测器的光谱响应

根据光声效应原理,用驻极体电容微音器作为传感器,用吸收系数接近1的碳黑作为吸收物质,制作了高灵敏度的光声传感器。用该传感器作为光源功率监测器,用归一化的光声光谱技术测量了光电探测器的相对光谱响应曲线,从而消除了光电探测器量子效率对光源滤长的依赖性,获得了光电探测器比较准确的相对光谱响应特性曲线。     

光度色度仪器中探测器的光谱灵敏度匹配

系统介绍光度色度仪器中探测器的光谱灵敏度的匹配方法,指出其关键是正确地设计一组与光探测器相匹配的滤光器。文中对滤波器的理论设计和实际测试进行了系统的     

基于硫化铅薄膜的宽光谱光电探测器

硫化铅因具有高载流子迁移率、高光吸收系数等出色的光电特性,所以在光电探测领域备受关注。文章通过化学浴沉积(CBD)的方法合成了高质量硫化铅薄膜,并基于厚度约为500 nm的硫化铅薄膜构建了光电探测器。光电测试表明该器件具有从365～1 650 nm的宽光谱响应。进一步的光电特性分析表明,该器件在光强为18.6 μW cm^-2的1 050 nm光照下,响应度和增益高达9.56 A W^-1和11.32,为低成本宽光谱的光电探测器的发展提供了一个有利的平台。     

多光谱红外超像元光电探测器

美国专利US2004/0108564 (2004年6月10日公布) 在军事应用中,多光谱光电探测器可以用来探测经过伪装的目标和区分不同类型的目标。 本发明提供一种用于探测四个以上不同波段红外辐射的多光谱超像元光电探测器。该超像元光电探测     

集成光电探测器绝对光谱响应度的研制

分析了光电探测器的结构及光谱响应度的测试原理,基于LabVIEW图形化软件,研制了一套0.2～1.1 μm的光电探测器绝对光谱响应度测试装置.本系统采用单光路小光点标准替代法进行测量,系统组成灵活并可扩展,配合自行研制的驱动电路和采样保持电路,可以满足不同器件的需要.采用本系统对上海技物所研制的多种集成光电探测器的绝对光谱响应度进行测试,测试结果表明了系统的可行性.     

激光诱导扩散研制短波响应灵敏的硅光电探测器

普通的硅光电管,对红光和近红外光的响应度和稳定性方面显示了极大的优越性。但是它对于紫光和近紫外光的响应却很微弱。分析其原因可归结为:首先,硅的吸收系数大(4000(?)时约10~5cm~(-1)),短波光大部分在硅表面而不是在PN结区被吸收;其次,PN结深度太大(一般约2000(?)以上);此外,表面复合和扩散杂质表面浓度大,使扩散层缺陷多造成光生载流子复合损失大;最后,硅的表面反射系数大(4000(?)时约50%)。为了使得硅光电探测器在绿、兰、紫和近紫外区有较好的响应度,则要求这种结型光电器件的结做得非常浅,扩散杂质的表面浓度尽量低,使所谓“死区”尽可能薄。而常规的扩散工艺是难以实现的。本文报导采用激光诱导扩散的新技术研制短     

用于傅里叶变换红外光谱学的光电探测器

Vigo系统公司推出一种型号为PCI-2TE-13的、适用于傅里叶变换红外光谱学的光电探测器。这种探测器的响应光谱带宽为1μm-13μm,具有一个较宽的谱线     

3通道短波红外光谱可识别列阵探测器的研制

用掩模分离方法或薄膜刻蚀方法制作出多波段微型滤光片列阵,交过类微型焦平面色散元件与列阵探测器结合,构成光谱可识别列阵探测器,报道了3通道短波红外滤光片列阵的设计和制作,以及4元3通道光谱可识别探测器的研制。     

FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.     

薄片PIN探测器及其阵列的灵敏度和上升时间测定

利用CΓC67实验装置测量了薄片PIN探测器及其二元和三元阵列的低能γ射线灵敏度和上升时间。实验证实,三元阵列灵敏度比单个探测器提高到近3倍,但上升时间也随之增大到近2倍。     

基于硒微米棒的宽光谱响应的光电探测器

采用物理气相沉积法合成硒微米棒,并以银浆为电极制备了金属-半导体-金属结构的光电探测器。该光电探测器在3 V偏压和450 nm光照下具有快速的响应速度（上升时间=41 ms,下降时间=46 ms）,优异的响应度（18.32 mA/W）和探测率（1.65×10⁸ Jones）。光谱测试表明器件具有从可见光到近红外的宽光谱探测能力（450-1550 nm）。此外,该器件还可以在无偏压下进行自供能探测。本研究将进一步完善硒半导体在宽光谱光电探测中的应用和发展。     

红外激光辐照下光电探测器光谱响应度的研究

响应度R是反映探测器性能的一项重要指标.当光电探测器被激光损伤后,其响应度R将会下降.文中探讨了强激光对光电探测器的损伤机理,对不同功率密度强激光作用下探测器的光谱进行了测量,研究了探测器在强激光辐照下探测器响应度变化规律.对光电对抗以及光电探测器的抗激光损伤研究具有一定的参考价值.     

光电探测器的设计

分析了硅光电二极管的基本结构，等效电路，噪声等情况，为了提高测量时的线性，要选取Ｒｄ大，Ｒｓ小，ｉ０小的硅光电二极管，并在输出短路状态下工作。因此常采用将运算放大器接成电流－电压转换器的办法来满足这一要求。分析了运算放大器的噪声电压，噪声电流，失调电压，失调电流和硅光电二极管的噪声因素对硅光电二极管与运算放大器组合电路的影响。考虑这些因素可以设计出响应快，灵敏度高，稳定度好，测量线性好，信噪比高的     

光谱灵敏度的测试

本文对光谱灵敏度的测试原理进行了简要的阐述,重点讨论了测试方法和实现的手段。文中所提出的测试方案,在光路设计、微弱信号的采集、标准探测器的选择、数据处理和输出方式都有自己的特点。测试装置在380～800nm 范围内能准确而方便地获得各类光电器件的光谱响应曲线和相对光谱灵敏度的数据。