高档次多层共挤流涎机控制系统

多层复合薄膜的加工方法很多，归纳起来主要有涂布法、层压法和共挤法三种。涂布法和层压法的复合工艺基本上有些相似，简单地讲就是用粘结剂使一层薄膜与另一层基材(即薄膜、纸张或金属箔等)结合，或多层薄膜与基材结合起来。而共挤法则是近年来刚刚发展起来的一种较新的多层复合薄膜加工方法。这种方法是将多种聚合物熔体由一个特殊模头汇集在一起，成为由多层不同聚合物熔体构成的薄膜状熔体流，经冷却而得到多层共挤出复合薄膜。     

以PVA为溶剂ZnO薄膜的液相法制备及其机理研究

以聚乙稀醇(PVA)水溶液为溶剂,采用液相法制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。采用XRD、Raman以及AFM分析了退火温度与涂层厚度对ZnO薄膜的影响。结果表明,随着退火温度的提高,ZnO薄膜的结晶度及其均方根粗糙度有所提高;同时厚度的增加使得ZnO薄膜的单一取向性减弱。其生长机理可表述为:在每一层涂层中一致或不一致的成核同时产生,通过层内与层间晶粒的聚合、联并,最后形成具有(002)取向的柱状与颗粒状并存的ZnO连续膜。     

聚乙烯薄膜

本发明涉及聚乙烯薄膜料和薄膜的加工,尤其单轴的和双轴取向固体状态伸展的薄膜,且在高速拉伸速率、低挤出压力下也可加工,所制备的薄膜具有高的拉伸强度和模数及低的收缩率。用来制薄膜的聚乙烯密度0．940—0．960g／cm3,相对分子质量分布大于10,熔体流动速率为O．30～1．00g／10min,     

Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究

采用Sol—Gel工艺，在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜，研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响，探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制．结果表明：退火温度显著影响薄膜的C轴取向生长，其(00ι)品面的取向度F=(P—P0)／(1-P0)由550℃的0．081增加到850℃的0．827，退火时间对其(00ι)晶面的取向度也有较大影响；经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向，对铁电性能有较明显的削弱作用；薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大，但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长。     

美国东丽推出金属化BOPP薄膜

正东丽塑料(美国)有限公司已经扩大了其白色薄膜产品系列,现在为消费品公司和中间商提供了五种新的Torayfan白色金属化双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜。这款薄膜有可密封和不可密封两种版本,并具有各种热密封强度。终端用户也可以选择防氧化和防潮等级。东丽将颜料、密封剂和阻隔剂组合在一层薄膜中,使得终端用户和加工商在许多应用领域(如盐渍脆片、饼干、蛋白质棒和糖果)中能用双层来替代原来的三层薄膜。     

基片弯曲法分析Ag/Fe多层膜退火过程中界面应力的变化

有关薄膜应力的一般测量方法存在精度不高和不能实时测量的缺点。多层薄膜材料是在非平衡条件下制备的性能优异并包含高密度界面的新型亚稳定材料，由于其结构的差异，一般测量薄膜应力的方法如X射线衍射法、拉曼光谱法等失去作用。阐述了基片弯曲法测量薄膜应力的原理，设计了用光杠杆法测量试样曲率的装置，并实时测量了Si基Ag／Fe多层膜在退火过程中表面弯曲曲率的变化。同时开发了软件处理系统，并计算和分析了Ag／Fe多层膜退火过程中膜-基界面的应力变化。研究表明，经过退火处理的薄膜应力有极大的增加，其中升温过程发生了再结晶，使薄膜应力降低，而降温过程则使应力不断增加。     

北欧化学新开发成功塑料薄膜

Borealis（北欧化学）集团新开发成功的牌号为BorclearRB707CF的PP薄膜，突破了传统挤出吹塑薄膜不能用PP树脂的限制。据介绍，新牌号有极好的光学性能、良好的加工性和平衡的刚性、韧性，其熔体流动速率达到1．8g／10min，并能直接与茂金属聚乙烯连接且黏接牢固。而在此之前，绝大多数PP牌号由于加工性差、韧性低，特别是光学性能不良，不能进行挤出吹塑薄膜加工。     

PZT薄膜反提拉生长的PbO挥发与退火条件研究

通过一新的溶胶-凝胶工艺:反提拉涂膜方法,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了PZT(Zr/Ti=52/48)铁电薄膜,并研究了退火工艺及其PbO的挥发对薄膜微结构、表面形貌、取向、及铁电性能的影响.本文首次提出并应用反提拉涂膜技术制备了PZT薄膜,此技术相对于传统的溶胶-凝胶工艺具有以下几方面的优点:操作控制简单方便、成本低、原料利用率高、无污染等.研究发现PZT薄膜通过增加PT晶种层后可以抑制PbO的挥发,同时薄膜呈现较强的(110)取向;在薄膜的退火处理过程中还发现氧气氛有助于降低PbO的挥发、促进晶粒的长大和降低钙钛矿的晶化温度,在氧气氛中退火的PZT薄膜显示了很好的铁电性能,其剩余极化强度明显增大而矫顽场只有极小的增加.     

七层共挤吹塑包装薄膜制造技术：——浅析PA—PVDC共挤出吹塑复合薄膜加工技术

一、项目开发的市场背景 我们研究开发共挤复合薄膜的目的就在于用最简单的加工方法使各种树脂的个性通过组合,在其最终产品上以最经济,最合理,最充分,最廉价的形式体现并满足市场及消费者的需求。共挤出多层复合薄膜的发展离不开设备（特别是多层模头）、原料以及加工艺的紧密配合和互动。只有当加工设备、加工原料。加工工艺三者的技术通过配合达到最高境界时才能获得最理想的作品。 目前,市售的高阻隔多层复合薄膜多以ＰＡ和ＥＶ ＯＨ与ＰＥ、ＥＶＡ、Ｓｕｒｌｙｎ等树脂组合共挤功能性薄膜而风靡包装市场。特别是 ＥＶＯＨ以它优异…     

退火对溅射ZnO薄膜的形貌和内应力的影响

用超高真空射频磁控溅射技术制备了高C轴取向的ZnO薄膜,用扫描电镜和X射线衍射仪分别研究了退火对ZnO薄膜形貌和内应力的影响.结果表明:适当温度退火后薄膜的形貌和内应力得到改善,通过增氧、缺陷原子的热激活和晶粒融合等可以有效地降低薄膜中由热效应、缺陷效应和粒子注入效应等引起的张应力,薄膜组织致密化并且柱状晶粒取向趋于一致.450℃退火的ZnO薄膜具有最低的张应力和最佳的结晶质量.     

脉冲准分子激光CuO－SnO_2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高ａ轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉积，４００～５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高到６００～７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现，薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显．在玻璃基片上沉积的薄膜，经４００℃低温处理后，（２００）取向度很小；随着退火温度的升高，达到５００℃时薄膜呈高ａ轴（２００）取向生长，结晶度较好，晶粒分布均匀．     

磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池的工艺及性能研究

采用磁控溅射方法直接溅射铜铟镓硒(CIGS)靶材,制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGS薄膜,然后在Se气氛中对该CIGS薄膜进行退火处理。采用扫描电镜、X射线衍射、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分以及电学性能的影响,并制备了CIGS太阳能电池。结果表明,采用磁控溅射CIGS靶材+Se气氛中退火处理的方法,可以制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGS薄膜;退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时,退火效果不明显。退火温度在400℃,退火时间达120 min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGS薄膜;退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用。本文采用该方法制备出的CIGS太阳能电池的最高转换效率为7.69%。     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。     

热处理对不同相对分子质量iPP挤出拉伸薄膜结晶行为的影响

选用了3种不同相对分子质量及其分布的等规聚丙烯(iPP),使用Hakke挤出机制备iPP薄膜,然后在140℃,3%的小应变条件下对薄膜退火处理10min。利用广角X射线衍射、差示扫描量热仪和红外光谱衍射仪研究了小应变退火对不同相对分子质量iPP薄膜结晶行为和取向结构的影响。实验结果表明,小应变退火后3种相对分子质量样品的结晶度均有提高,用WAXD测试的结果分别由未退火前的59.53,60.40,66.48提高到68.48,68.56,68.74。晶相和非晶相的取向度相比未退火前也均有所提高。     

Ag基底织构和表面状况对YBCO薄膜性能的影响

采用MOD方法在三种不同织构和表面状态的Ag基底上制备了YBCO薄膜,研究了Ag基底的织构和表面状态对YBCO超导薄膜的影响.在真空中退火的Ag基底上沉积的YBCO薄膜仅有c轴取向,且薄膜表面有很多平行条纹,薄膜的连接性不好,J_c不高;在氩气气氛中退火的Ag基底上沉积的YBCO薄膜,具有很强的c轴取向和良好的面内织构,J_c相对较高为1.2×10⁴A/cm²;冷轧Ag基底沉积的YBCO薄膜织构没有氩气退火的Ag基底上的强,但薄膜的表面平整,连接性好,临界电流密度最高为1.5×10⁴A/cm².     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的晶粒定向生长与光学性质

采用溶胶一凝胶法在普通化玻片上制备出高C轴择优取向的ZnO薄膜,深入研究了溶胶浓度、甩膜层数、退火温度对薄膜相结构、晶粒定向生长和紫外光吸收与可见光透射特性的影响.实验发现,在300～600℃退火范围之内,随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长取向性增强,晶粒尺寸增大;用Zn含量为0.5mol/L的溶胶使用旋涂法甩膜和经过预热处理的5层膜再经过550℃退火1h后所形成的薄膜晶粒沿C轴高度择优取向,结构系数Tc(002)达到5.1,该薄膜的平均透射率为90%.     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用ＲＦ磁控溅射法，在纯Ａｒ气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ｂａ铁氧化薄膜，研究了退火温度对薄膜Ｃ轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好Ｃ轴垂直膜同的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ｍｓ＝２９６ｅｍｕ／ｃｍ＾３，Ｈｃ＝３０８７６１Ａ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。     

DSM公司推出新型高产率PA6挤出树脂

DSM公司的一种新型高产率PA6挤出树脂据说能为包装用多种厚度规格的流延薄膜提供较宽的加工窗口。AKulonXP能给优化多层薄膜的厚度率提供更大的熔体强度和更好的吹膜膜泡稳定性，这种透明的材料可印刷和热成型。目标市场包括食品、药品和农产品的包装。     

MOD法制备的Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3

采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)／Si衬底上制备了Pb0．985La0．01(Zr0．4Ti0.6)O3铁电薄膜，在薄膜的快速退火过程中，增加了一个中间温度预退火过程，并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响．结果发现，中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择．没有中间温度预退火过程的薄膜，显示出(100)择优取向；而经中间温度预退火的薄膜则表现为随机取向．对薄膜铁电性能的研究表明，没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差，经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能．晶型结构取向和缺陷是影响PLZT。薄膜铁电性能的两个主要因素．     

银薄膜织构变化的定量研究

利用X射线衍射(XRD)织构分析技术研究了未退火及在400℃温度条件下经4h真空退火处理后的银薄膜织构。结果表明，银薄膜主要存在(111)和(100)面织构组份。银沉积薄膜(未退火)中(111)取向的晶粒多于(100)取向的晶粒。经退火处理后的硅基银薄膜表现更强的(111)和(100)面织构，而且(111)和(100)取向的晶粒数量基本相当。用表面能和应变能各向异性驱动晶粒生长的机理对此给予了解释。