叠盖电极技术在SPRITE 探测器上的应用

文中主要介绍了叠盖电极技术在SPRITE探测器上的实际应用，并给出了具体实验结果。选择适当的叠盖电极尺寸可以使SPRITE的响应率Rυ提高一倍以上，探测率D^*普遍提高30％左右，高的可达80％。实验结果表明，叠盖电极技术明显地提高了SPRITE器件的性能，是一种简便的提高SPRITE性能的新途径。     

叠盖电极技术在SPRITE 探测器上的应用

文中主要介绍了叠盖电极技术在SPRITE 探测器上的实际应用,并给出了具体实验结 果。选择适当的叠盖电极尺寸可以使SPRITE 的响应率Rv 提高一倍以上,探测率D3 普遍提高30 %左右,高的可达80 %。实验结果表明,叠盖电极技术明显地提高了SPRITE 器件的性能,是一种简便的提高SPRITE 性能的新途径。     

叠盖电极高性能SPRITE探测器

由于扫出效应，载流子大量聚集在邻近电极的区域，但电极处的强复合作用使SPRITE读出区光生载流子数衰减很多，采用叠盖电极技术可以有效地阻载流子在地电极处的快速复合，读出区中光生非平衡载流子总数为无叠盖电极时的2.18倍，输出信号大幅度提高。该技术对现有工艺的改变极小，是一种比较现实的提高SPRITE探测器性能的有效办法。叠盖电极用于SPRITE探测器，可明显提高性能。     

采用叠盖电极的高性能光导HgCdTe红外探测器

介绍叠盖电极探测器的物理机理和结构，与标准结构探测器比较，其响应率和黑体探测率均有大的增长，实验结果表明响应率增长约１倍，赤体探测率增主３０％。无需改变现有工艺，成功制备实用工程探测器，性能明显提高。     

背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响

测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅｒ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响。结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且，该变化量与探测器性能有很好的对应关系。     

光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价

制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化.通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现.通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞.这表明宏观...     

碲镉汞光导探测器的性能

本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77～300K温度范围3～5μm和8～14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论研究所做的理论预测进行了比较。力图阐明理论与实验结果之间的差异。     

HgCdTe光导探测器的失效分析

利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。     

电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击，对比了冲击前后探测器的电阻温度特性，并用该参数研究了器件的电学参数；测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命. 实验结果显示：短时间（42mA, 70h）的电流冲击对探测器性能影响不大，探测器组分减小，截止波长变长；冲击时间长到（42mA, 100h）一定程度后，探测器性能有不同程度的下降，组分变大，截止波长变短. 这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应，从而使器件截止波长发生变化.     

防盗报警用的红外探测器装置

据《World Patent Abstracts Journal》Week8633报道的英国专利号GB2170—952一A内容是菲利浦电子联合公司生产了一种红外报警装置。这种装置是由两组相交叉的双向红外探测器件组成,并有一个共同的输出端。每一组双向探测器构成一个独立的探测通道,各有两个热释电探测器件,这两个热释电探测器件是由热释电材料和配制的电极组成。每组双向探测器中的两个探测器件都是相互离开的,并且连接     

叠层HgCdTe光导器件载流子浓度分布及器件性能

根据Ｍ．Ａ．Ｋｉｎｃｈ提出了的叠层结构，从解一维连续性方程出发，对有叠层和无叠层器件光生载流子浓度空间分布进行了计算和分析，结果表明，叠层结构相当提供一个少数载流子存储区，可有效抑制扫出效应，提高体内光生载流子的平均浓度，从而提高响应率，实验上采用两种工艺实现了有叠层结构，并给出了器件性能的测量结果。     

A unified approach to multiuser detectors for CDMA and theirgeometrical interpretations

In this paper, we align a class of known multiuser detectors for code-division multiple-access (CDMA) along with some new multiuser detectors in a unified group. The new multiuser detectors are devised by completing the structure of the group. The unified group structure is a binary tree obtained by splitting sequence and single symbol detection, maximum aposteriori (MAP) and maximum likelihood (ML) detection, and unconstrained as well as constrained detection. The link between sequence and single symbol estimators is explained revealing the increased complexity of single symbol estimators as compared to sequence estimators. Finally, the aforementioned group structure is supported by a geometrical technique depicting the detection process performed by the multiuser detectors     

一种拼接结构红外探测器的封装电学设计

随着红外焦平面探测器技术日趋成熟,由多片红外探测器组成更大规模探测器的需求也更为广泛。红外探测器往往采用多片拼接结构,达到扩大探测器阵列规模的目的。从2×2,3×3到4×4甚至更大规模的拼接结构,其拼接设计的核心均为封装结构设计。在封装结构设计中,如何进行电学引出设计,也是设计中非常重要的一个环节。文章介绍了一种红外探测器拼接结构的封装电学设计,首先介绍拼接结构的概况,然后介绍为满足该种结构的电学设计采用的结构方案,最后介绍针对该种电学设计结构方案进行的电学布线设计。     

倒装焊结构对太赫兹对数周期天线的影响

设计了一种倒装焊结构,用于340GHz的肖特基二极管探测器。探测单元是基于砷化镓（GaAs）工艺设计的。薄膜陶瓷支撑层旨在为太赫兹检测单元提供封装。通常,导电胶用作天线和输出电路之间的附接。分别对倒装焊结构和无倒装焊结构（类引线键合结构）模型对太赫兹接收天线性能的影响进行研究。为了比较的目的,使用相同的测试系统表征FC结构模型和无FC结构模型（引线键合结构）。通过引线键合与倒装焊测试增益的结果比较,表明倒装焊结构可以作为大规模太赫兹检测阵列封装的低成本解决方案。     

Multi-user detection for DS-CDMA communications

Direct-sequence code-division multiple access (DS-CDMA) is a popular wireless technology. In DS-CDMA communications, all of the users' signals overlap in time and frequency and cause mutual interference. The conventional DS-CDMA detector follows a single-user detection strategy in which each user is detected separately without regard for the other users. A better strategy is multi-user detection, where information about multiple users is used to improve detection of each individual user. This article describes a number of important multiuser DS-CDMA detectors that have been proposed     

大面阵碲镉汞芯片的热应力分析与优化

随着红外焦平面探测器面阵规模的不断扩大,大面阵碲镉汞芯片的热应力进一步恶化,受温度冲击后更容易产生损伤,进而直接影响探测器的使用,甚至导致探测器失效.这已成为大面阵探测器生产工艺亟需解决的问题.借助仿真手段研究了大面阵碲镉汞芯片的低温损伤原因,并结合小面阵探测器进行了对比分析.结果 表明,铟柱与碲镉汞接触边缘部位因应力...     

硅基BIB红外探测器研究进展

以锗基和硅基为主的阻挡杂质带（blocked impurity band,BIB）红外探测器的兴起有力推进了红外天文学的快速发展,其中硅基BIB红外探测器在特定波长的航天航空领域有着不可替代的地位。国外对硅基BIB红外探测器的研究已有40多年,以美国航空航天局（NASA）为主的科研机构已经实现了硅基BIB红外探测器在天文领域的诸多应用,而国内对硅基BIB红外探测器的研究尚处于起步阶段。本文首先阐述了硅基BIB红外探测器的工作原理,然后简单概述了器件结构和制备工艺,并对不同类型的硅基BIB探测器的性能进行了对比分析,之后介绍了其在天文探测中的应用,最后对硅基BIB红外探测器未来的发展进行了展望。     

可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器

为了实现In Ga As探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层In Ga As腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型In Ga As面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了In P衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5~1.7μm,室温下在波长为500 nm处的量子效率约为16%,850 nm处量子效率约为54%,1 550 nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响,为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.