FLOTOX EEPROM存储管的简单模型分析和实验研究

分析了ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ的简单电路模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈会晤窗口有很大的影响、采用指数上升波形或三角波形进行了编程可以改善ＥＥＰＲＯＭ的耐久性。     

一种简化的E~2PROM存储管I—V模型

提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。     

RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

串行E^2PROM AT24CXX的原理及应用

本文分析了美国爱特梅尔（ＡＴＭＥＬ）公司生产的最新二线式串行ＣＭＯＳＥ＾２ＰＲＯＭ芯片ＡＴ２４Ｃ０１／０２／０４／０８／１６的内部结构性能特点，读写时序，并说明了使用方法。     

串行E^2PROMX2444在微机中的应用

本文介绍了Ｅ＾２ＰＲＯＭＸ２４４４的内部结构，管脚功能和工作原理，并详细阐述了典型应用电路。     

一种全功能2kb E^2PROM的研制

论述了Ｅ＾２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计，升压电路设计，存储阵列设计等，然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ＾２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。     

一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

串行E^2PROM—93C46在微机系统中的应用

本文介绍串行Ｅ＾２ＰＲＯＭ－９３Ｃ４６与８０Ｘ８６系列微机的两种接口方案给出了相应的接口电路和软件流程，探讨了用ＦｏｘＢａｓｅ＋等高级语言访问该芯片的方法，具有一定的实用价值。     

FLEX^EM—高速寻呼编码格式

我国现有无线寻呼系统基本上都采用ＰＯＣＳＡＧ编码格式，本文指出了ＰＯＣＳＡＧ码的一些不足之处，并介绍了美国Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司新近开发的新型高速寻呼编码格式－ＦＬＥＸ＾ＴＭ码的编码格式及其主要特性。该ＦＬＥＸ＾ＴＭ码提供了更快的寻呼速度，更长的电池寿命，更强的系统灵活性及更精确的数据传输能力。     

一种简单实用的E^2PROM——AT24C01的应用

从实用的角度，详细介绍了串行Ｅ＾２ＰＲＯＭ－ＡＴ２４Ｃ０１的操作时序及其使用方法，并配以实用的读写程序。     

SUPERTEX公司DMOS选型指南

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ...     

基于E^2PROM的单片机PIC16C84

基于Ｅ￣２ＰＲＯＭ的单片机ＰＩＣ１６Ｃ８４福州高奇电子科技公司李东星，陈小牧美国Ｍｉｅｒｅｃｈｉｐ公司近年推出的ＰＩＣ系列单片机深受市场欢迎。我们已经向读者介绍了其中的ＰＩＣ１６０５Ｘ和ＰＩＣＪ１６Ｃ７１，现在再向大家介绍一种新型的，基于Ｅ２ＰＲＯＭ...     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

QBe2合金硬态分级时效电镜观察

ＱＢｅ２合金硬态分级时效电镜观察蔡传荣，张　琼，平德海，李斗星（福州大学，福州３５０００２）（中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室）本工作在ＪＥＯＬ－２０００ＥＸ和ＪＥＯＬ－２０００ＦＸ上利用ＴＥＭ和ＨＲＴＥ技术，对硬态分级时效ＱＢｅ２合金［Ｃｕ...     

NEAX61-E的集中交换功能

ＮＥＡＸ６１－Ｅ的集中交换功能天津日电电子通信技术有限公司李素鹏ＮＥＡＸ６１－Ｅ←ＩＣＴＯＧＴ→ＭＤＦ普通用户ＣＥＮＴＲＥＸ用户ＬＣ用户环路，用户线和电话机都一一对应。在用户侧不需用户交换机等其它设备。↑←↑ＭＤＦ：主配线架ＯＧＴ：出中继ＬＣ：用户线...     

无数据地址总线端口的MOTOROLA系列单片机与外部存储器的并行接口技术

本文提出了一种采用简单通用芯片与软件配合实现ＭＯＴＯＲＯＬＡ系列无数据地址总线单片机与外部存储器的并行接口方法，并以ＭＣ６８ＨＣ０５Ｃ８为例，描述了其与外部ＥＰＲＯＭ的连接方式和接口软件程序。     

FLEX编码体制详释

文章对ＦＬＥＸ编码体制作了比较详细的注释，同时讨论了ＦＬＥＸ编码系统的一些要素。主要内容包括ＦＬＥＸ编码系统在整个寻呼系统的地位和ＦＬＥＸ帧结构；ＦＬＥＸ的几个一般参数及ＦＬＥＸ的实现，其中包括与漫游相关的几个参数的讨论，如同播系统标识（ＳＳＩＤ）、网络标识（ＮＩＤ）、帧偏置、最大跨帧数（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｃａｒｒｙ Ｏｎ）和系统信息发送等。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。