2.5GW 长脉冲功率模块优化设计与实验研究

为LTD 型重复频率脉冲驱动源研制了一种阻抗6Ω、功率2.5GW的长脉冲功率模块。为了提高单模块输出功率、 优化模块空间结构、减小脉冲波形畸变,采用了两个放电开关同步驱动四条环形Blumlein PFN 的设计思想,实现高压电 脉冲对直线变压器初级线圈的四端口对称馈电。借助激光触发火花开关技术,初步开展了LTD 电压叠加实验研究,在两 级2.5GW 脉冲功率模块上获得了功率5.2GW、半宽160ns、重频5Hz 的脉冲输出。     

大数据平台负载均衡策略优化设计研究

大数据平台的负载均衡调度策略存在调度效率低、资源利用率偏小以及优质虚拟资源频繁调度等问题,提出将改进混合蛙跳算法应用于大数据平台云工作流负载均衡调度之中,研究用时间贪心的初始化方法替代传统随机方法优化初始种群质量.此外,以动态调度为视阈,提出基于负载感知的均衡调度优化方法.研究结果表明,在搜索效率、负载均衡度以及工作流...     

P波段脉冲功率组件

叙述了Ｐ波段脉冲功率组件的设计方法和测试结果，它的主要技术指标为，频率５４０￣６００ＭＨｚ连续可调，脉冲宽度１０￣１０００μｓ，占空比１％￣４０％均可调，脉冲功率输出大于３Ｗ。     

3DA511脉冲功率晶体管

3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管。     

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。     

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果。在２ＧＨＺ短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率７０Ｗ，增益８．５ｄＢ，集电极效率５０％。     

毫米波高密度脉冲功率合成放大器设计

提出一种新颖的多层结构功率合成方法,具有密度高、插入损耗小的优点。相比传统双面合成方案,该技术在同样体积内理论上可将合成路数扩展1倍,实现输出功率增长3 dB,因而非常适合应用在对功放体积、重量有严格限制的平台中。通过对该高密度功率合成电路进行理论分析与仿真优化,在8 mm波段设计了一个具有4层电路形式的2×4路功率合成放大器。无源实测结果显示,30~37 GHz频率范围内的合成效率高于91%。放大器采用8只典型输出功率16 W的GaN MMIC单片合成,按35μs脉宽、10%占空比条件进行有源测试,在34~36 GHz频率范围内得到了最小123 W的功率输出,功率增益大于14.9 dB,功率附加效率高于21.7%。     

3DA511型脉冲功率晶体管

3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管，该器件可工作于宽脉宽、大占空比、宽温度范围并且能通过输出VSwR为3：1的射频条件。低热阻和自动压线技术确保了高可靠性和一致性。3DA511采用了气密金属／陶瓷封装和输入输出阻抗内匹配技术。     

脉冲功率电容器的应用和发展

介绍了国内外脉冲功率电容器的应用和研制现状,重点介绍了高储能密度电容器介质材料和脉冲功率电容器的性能参数,指出了今后需要解决的主要问题,总结了脉冲功率电容器的发展趋势,提出了发展我国脉冲功率电容器的建议。     

S波段50KW脉冲功率行波管

本文阐述了S波段50kW荫影栅栅控脉冲功率行波管(649)的研制,着重阐述了环杆结构。给出行波管性能参数的实际数据以及产生和设计考虑四种高频振荡及解决措施,尤其在枪区振荡引起非正常频谱。实验证明环杆结构在高功率下应用的可行性。     

3DA511型脉冲功率晶体管

3DA511型脉冲功率晶体管     

基于Volterra级数的HBT功率放大器负载阻抗的优化设计

利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2 μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺进行流片.测试结果表明,设计的功率放大器在不影响输出功率和功率附加效率的前提下,线性度得到较大改善,IP3提高6 dB,与理论分析及计算机仿真结果相吻合.     

大数据下基于Nginx负载均衡的教务系统优化设计

针对高校现有的教务信息管理系统在访问量激增时出现拥堵、无响应的问题,研究设计了一款基于B/S架构的教务信息管理系统,该系统使用Java语言结合IntelliJ IDEA集成开发环境测试开发,采用Nginx负载均衡技术提高并发性能,使用MVC三层体系结构提高系统的可维护性与可重用性.围绕学生模块、教师模块、管理员模块三方...     

含源-负载耦合的准椭圆函数滤波器小型化优化设计

提出一种新型含源-负载耦合的交叉耦合微带带通滤波器,该滤波器的传输特性由分布在介质上下表面的开环谐振器通过引入位于两介质层中间公共地板上的开缝耦舍得到,且将位于顶层的源引入底层,实现了层间源、负载的容性耦合,确保了带外的传输零点,并对源、负载间的耦合进行了等效电路分析。与传统边缘耦合的平面结构滤波器相比,体积减小为原来的一半,且带外抑制良好。三维仿真软件HFSS用来计算该滤波器的耦合系数,并协同Ansoft公司的Designer,通过对参数的提取来迭代优化该滤波器,有效地减少了滤波器的优化时间。对滤波器进行了仿真与实测,其结果表明,实测与理论值、仿真值吻合较好。     

发射机脉冲功率测量的实验分析

通过对发射机脉冲功率测量过程中极易干扰测量精度的因素进行分析，从大功率测量的基本原理入手，并结合实验中的具体数据探讨各干扰因素对特大功率总测量不确定度的反映程度，给出了改进测量精度的措施。     

超大功率L波段脉冲功率晶体管

超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...     

超高压晶闸管

目前生产的晶闸管的阻断电压一般在6—8kV之间。三菱电机公司最近研制出一种阻断电压为12kV,通态平均电流为1kA的晶闸管。这种晶闸管只需用一个器件便可直接控制一条6.6kV的线路(日本最常