六氟-1,3-丁二烯的提纯方法及应用优势

介绍了六氟-1,3-丁二烯的性质、纯化技术以及与传统含氟刻蚀气体刻蚀性能的比较。六氟-1,3-丁二烯是一种新型的电子气体,主要应用于超大规模集成电路的干法刻蚀方面。优越的刻蚀性能和优良的环境性能使其成为具有发展前景的下一代刻蚀气体。     

电子级六氟丙烷的制备及纯化研究进展

近年来电子级六氟丙烷以其优越的安全性、高效的刻蚀速率、良好的选择性,成为了新一代等离子体刻蚀气体。对六氟丙烷HFC-236fa及其同分异构体HFC-236ea进行了概述,并介绍其制备方法、工业级及电子级纯化方法的研究进展。     

吸附法精制电子特气全氟丁二烯

全氟丁二烯(六氟丁二烯,六氟-1,3-丁二烯,C4 F6,HFBD)是一种性能优异的新一代电子工业用蚀刻气,应用前景广阔.HFBD的合成工艺多样,基本上都是采用偶联法、脱卤法和格氏试剂法.原料中含有的主要杂质除氮气(N2)、氧气(O2)等不凝性气体能用精馏法轻松脱除外,其它的杂质均可以用吸附法脱除.通过使用沸石类分子筛...     

MXene的制备与光催化应用的研究进展

MXene材料由于拥有较大的比表面积和丰富的表面基团以及对可见光良好的吸收性,使其在光催化方面拥有着广泛的用途,但存在合成时表面官能团难以精确调控等问题。概述了MXene的一些主要合成方法,将合成方法分成了含氟和不含氟两大方向,含氟方法介绍了HF酸刻蚀法、盐酸(HCl)和氟盐刻蚀、氢氟化铵(NH₄HF₂)刻蚀和熔融氟盐高温刻蚀法。不含氟的方法介绍了路易斯酸法、盐酸-水热刻蚀、碱溶液刻蚀、电化学刻蚀法。同时,归纳了MXene材料的插层方法及其在光催化方面的一些应用,并指出MXene基复合材料是提高材料光催化性能的一种有效方式,同时由分析表明MXene材料可以作为其他光催化材料的助催化剂,用来提高其他光催化材料的光催化性能。     

聚偏氟乙烯-六氟丙烯基复合聚合物电解质的化学改性研究进展

主要介绍了近年国内外锂离子电池聚偏氟乙烯-六氟丙烯基复合聚合物电解质的化学改性研究进展。对组成聚偏氟乙烯-六氟丙烯基复合聚合物电解质的隔膜、增塑剂、锂盐的研究现状及机理做了总结,并展望了聚合物电解质的发展前景。     

气相色谱法分析六氟丁二烯中的6种气相杂质

通过对反吹系统和仪器工作条件的设计和优化,建立了一种利用气相色谱法分析六氟丁二烯中6种气相杂质的方法,并进行了验证实验。实验结果表明,该方法能够实现六氟丁二烯中H₂、O₂+Ar、N₂、CO、CO₂、CH₄杂质的检测分析,检测限分别可达0.02×10^-6、0.01×10^-6、0.02×10^-6、0.01×10^-6、0.04×10^-6、0.02×10^-6。各组分峰面积的相对标准偏差均<5%,相对平均偏差均<2%,线性相关系数均>0.99。     

化学刻蚀对超疏水表面性能的影响研究

以金属铝合金为基底,分别以氯化铜、氢氧化钠及盐酸为刻蚀液,利用十七氟葵基三乙氧基硅烷为疏水剂,制备了不同疏水性能的表面,考察了化学刻蚀液对表面疏水性能的影响。结果表明:在中低温环境中,使用氯化铜或低浓度氢氧化钠对铝合金表面进行刻蚀,其后将其浸渍在含低表面能的有机溶剂中即能制备出具有超疏水性的表面。扫描电镜图表明,利用上述方法制备的表面具有微纳米二级疏水结构。表面疏水性能随刻蚀液浓度的增加而增强,表面接触角随刻蚀时间及刻蚀温度的增加而增大。     

CF4流量及射频功率等对反应离子刻蚀硅基材料的影响

通过一系列的刻蚀实验,研究了在反应离子刻蚀(RIE)过程中,CF4流量及射频功率等工艺参数对刻蚀硅基材料的影响,采用不同工艺条件,得出了对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较与分析,得到了相对最佳的工艺条件,能较好地实现硅的各向异性刻蚀,为硅基材料刻蚀技术在半导体工艺中的应用做了一定的实验探索.     

高纯氟甲烷中杂质含量色谱分析

高纯氟甲烷作为新型的含氟电子气体,常温下是一种无毒、无色、无嗅、可燃的存储在钢瓶中的液化气体。一氟甲烷作为刻蚀气体对纯度要求甚为严格,往往需要大于99.99%,甚至99.999%。探讨了高纯氟甲烷的杂质含量分析方法,采用高灵敏度的氦离子化放电检测器(DID),高效的色谱柱系统,实现了对其中杂质含量的分析。     

碳氟感应耦合等离子体的SiO2介质刻蚀的研究

使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8] [Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,与R的关系则存在R=8%处的刻蚀速率峰值。C2基团的发射谱线强度随R的变化类似于SiO2刻蚀速率对R的依赖关系,对此给出了解释。在此基础上,对SiO2介质光栅进行了刻蚀。结果显示,在较大的R及自偏压等条件下,刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案,同时光刻胶掩膜图形出现分叉。结合扫描电镜技术对此进行了分析,认为光刻胶表面与侧面的能量传递和聚合物再沉积是导致出现上述现象的原因。     

电子级六氟乙烷的色谱分析

使用氦离子化色谱仪对电子级六氟乙烷进行分析,结果显示本实验方法很好的实现了电子级六氟乙烷杂质的色谱全分析,并且为建立电子级六氟乙烷标准提供实验基础。     

基于六氟丙酮的功能材料

在介绍六氟丙酮理化性能的基础上,对于以六氟丙酮作为最初始原料合成的功能性材料的起始物进行了介绍,并对由此起始物出发所形成的双酚AF类、6F-双酸(酐)类、一元或多元氟醇类、环氧聚合物类等各类功能材料的制备及主要性能进行了介绍和评述,最后对基于六氟丙酮的功能材料发展进行了展望.     

射频等离子体放电的宏观参数与PET表面改性的关系

通过射频等离子体放电，采用O2，CF4及CH4／CF4混合气体等离子体对PET表面进行处理。改变射频等离子体放电的宏观参数，如放电时间、放电功率、电极间距离和复合参数，详细地研究了这些参数对PET表面改性的影响。结果表明：碳氟混合气体等离子体在PET表面的沉积速率为正值，在PET表面形成了聚合物；而O2和纯CF4气体的沉积速率为负值，两者在PET表面产生刻蚀效应。增加等离子体放电功率和放电时间，聚合或刻蚀效果更明显；而增加电极间距离和复合参数，聚合或刻蚀效果明显减弱。     

含氟低表面能ABS树脂的结构与性能

甲基丙烯酸（2,4-二三氟甲基）十二氟戊酯（FA）接枝聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（ABS）得到一种新型树脂,用红外光谱（FT-IR）和光电子能谱（XPS）证实了产物反应结合的结构。文中同时研究了产物的表面性能和热性能。结果表明,甲基丙烯酸（2,4-二三氟甲基）十二氟戊酯的加入量控制在6phr时,接枝率为11.8%,所得产...     

锂离子电池电解质六氟磷锂的制备技术

结合国内外对锂离子电池电解质六氟磷锂的研究,介绍了六氟磷锂4种制备方法的研究进展,即气-固反应法、HF溶剂法、配合物法和溶液法,并总结了各方法的优缺点,其中,配合物法和溶液法以其方便快捷等优点成为未来六氟磷锂制备技术的发展趋势。     

纳米MgO对六氟丙烷热分解性能影响及机理研究

研究了纳米MgO在管式反应器中对六氟丙烷热分解性能的影响,用在线气相色谱（GC）、气相色谱-质谱（GC-MS）、离子色谱仪（IC）对热分解气体进行分析,采用X射线衍射仪（XRD）及X射线光电子能谱仪（XPS）对作用前后的纳米MgO晶型和组成进行表征。研究表明,六氟丙烷高温热分解时主要发生脱氟化氢（HF）的反应。在空管中随着反应温度的增加,六氟丙烷的分解率提高,而加入纳米MgO后六氟丙烷分解率均增大,在700℃时,六氟丙烷的分解率由空管时的23.9%增加到100.0%,同时热分解气体中HF的含量比空管时降低了42.4%。XRD及XPS结果表明,作用后的纳米MgO是MgO和MgF2的混合物。分析作用机理认为是部分纳米MgO与六氟丙烷热分解产生的HF进行反应生成MgF2,MgF2催化六氟丙烷发生脱HF反应。     

锂离子电池电解质六氟磷锂的制备技术

结合国内外对锂离子电池电解质六氟磷锂的研究,介绍了六氟磷锂4种制备方法的研究进展,即气-固反应法、HF溶剂法、配合物法和溶液法,并总结了各方法的优缺点,其中,配合物法和溶液法以其方便快捷等优点成为未来六氟磷锂制备技术的发展趋势。     

三氟化氮与等离子体工艺

介绍了用NF_2代替传统使用的NH_3制备掺氟低氢等离子增强化学汽相淀积(PECVD)Six Ny:F膜、用NF_3代替CF_4等离子刻蚀超厚氮化硅薄膜的工艺试验条件和结果,对有关实际问题进行了讨论。     

六氟丁醇的合成及应用研究进展

2,2,3,4,4,4-六氟丁醇是一种重要的含氟有机中间体,可广泛用作溶剂和农药、染料以及含氟特种表面活性剂的制备原料.通过机理分析和对不同引发条件下的自由基加成反应的比较,认为过氧化物引发自由基加成反应制备六氟丁醇具有工业化前景.此外,对六氟丁醇的应用作了简要介绍.     

Ar~+与氟化的Si样品相互作用机制的研究:分子动力学模拟

采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。