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忻华泰 《激光与光电子学进展》1987,24(7):35
在强烈的激光作用下，工件受照表面局部被迅速加热，接着工件离开激光束迅速淬火。这时材料的金相结构会发生变化，凝固成耐磨防锈、硬度和韧性得到提高的材料。根据所用激光照射强度和时间的不同，可以进行各种不同的表面处理。 相似文献
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用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。 相似文献
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利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇曼散射光谱研究界面结构、化学反应以及热处理引起的互扩散.实验结果表明,在富As的MBE GaAs(100)-C(2× 8)表面上淀积Al而形成的界面存在AlAs化合物;在较高的温度(≥450℃)下热处理,加剧了界面中的化学反应,并导致元素的互扩散,从而破坏了理想的突变结,使电学性能变差;还鉴别出由于Al进入GaAs层中置换Ga而形成Al_xGa_(1-x)As固溶体 相似文献
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作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV-STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪(Auger El e ctron Spectroscopy (AES))研究了多晶铌和Nb(001).实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热.经过重结晶后,在多晶铌和Nb(001)表面形成了特征性的表面超结构 .在多晶铌表面,作者观测到了(110)和(100)面,在(100)面上形成的是(n×1)超结构,而在(110)面上形成的是0.28nm×0.40 nm的周期性超结构.在Nb(001)表面作者观测到 C(2×2) 的典型结构.AES实验表明,不纯物"氧"仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中.基于这些实验结果,结合铌的微观晶格结构,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释,并对有些结构提出了原子排列模型. 相似文献
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本首先报道了清洁的Ｓｉ（１００）表面观察到Ｌ２３ＶＶ条Ａｕｇｅｒ精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为６２．８ｅＶ和６８．１ｅＶ两条谱线。前可以用Ｓｉ－Ｏ系统Ｌ２３（Ｓｉ）Ｌ１（Ｏ）Ｏ１（Ｏ）的交叉跃迁来解释；后虽已有报道，但在解释上引起争议。本根据实验认为它与Ｃ在Ｓｉ表面的吸附有关。 相似文献
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利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１０）界面形成．高分辨的芯能级谱结果表明，在低覆盖度下（＜０．１ｎｍ），Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面．当Ｓｍ的覆盖度增加时，Ａｓ和Ｇａ的表面发射峰很快消失，表明Ｓｍ与Ｇａ发生置换反应而与Ａｓ形成化学键．同时，Ｇａ原子会向Ｓｍ膜体内扩散且偏析到Ｓｍ膜表面，而Ａｓ－Ｓｍ化合物只停留在界面区域．当Ｓｍ膜厚度达到０．５ｎｍ时，Ｓｍ膜开始金属化．结合理论模型，文中还详细地讨论了界面形成和界面结构． 相似文献
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Maxim北京办事处 《世界电子元器件》2005,(3):50-51
MCU擅控制应用．DSP专数字信号处理。当系统对控制应用与数字信号处理均有要求时．很难决断MCU与DSP孰去孰留。MAXQ微控制器与乘法-累加单元(MAC)相结合的额构架解决了此两难问题．实现了控制应用与数字信号处理功能共存。 相似文献
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本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引起争议。本文根据实验认为它与C在Si表面的吸附有关。 相似文献
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