洛玻0．7毫米超薄浮法玻璃成功下线

8月29日，从洛玻集团公司传来振奋人心的消息，我国第一条拥有自主知识产权的洛玻集团公司超薄浮法玻璃生产线，成功拉引出0．7毫米超薄浮法玻璃，总成品率达到42％，优一级品率达到53％，产品实物质量达到国际同等产品实物质量标准，填补了我国玻璃工业的一项空白，标志着我国超薄玻璃工艺技术达到了世界先进水平。     

超薄浮法电子玻璃

论述了浮法工艺生产不同种类电子超薄玻璃的工艺特点和技术难点,回顾了中国超薄浮法电子玻璃发展历程,提出了对中国超薄浮法电子玻璃发展展望.     

成功的跨越——洛玻集团电子超薄浮法玻璃发展回顾

洛玻作为世界三大浮法工艺技术——“洛阳浮法”工艺技术的诞生地,几十年来,为中国民族玻璃工业的发展和振兴做出了重要贡献,成为中国重要的玻璃生产基地。洛玻集团的发展史,也是一部浓缩的中国玻璃工业发展的历史。     

洛玻成功生产0．9mm超白超薄玻璃

从中国洛玻集团龙玻公司了解到，龙玻公司日前分别成功生产出1．1mm超白超薄玻璃和0．9mm超薄超白玻璃，各项经济指标达到达到国内先进水平，填补了我国玻璃工业的空白。     

超薄浮法玻璃在小型浮法线上的成形技术探讨

在小型浮法线上进行超薄浮法玻璃生产,针对生产中发现的成形问题进行了分析、探讨,改造了锡槽结构,并采取了一系列技术措施,改造的思路方法、成形结构参数和生产技术措施都是行之有效的。     

铝硅酸盐超薄电子玻璃

论述了铝硅酸盐超薄电子玻璃的特性及其应用,对溢流法与浮法、熔铸法与压延法工艺生产相应超薄电子玻璃的工艺特点进行了对比。同时围绕透明微晶玻璃的材料类型和发展历史,论述其作为电子玻璃应用的性能要求,并对浮法工艺生产锂铝硅微晶玻璃超薄电子玻璃的技术难点进行了探讨。     

不同晶形粗颗粒（0．8mm）金刚石单晶的高温高压合成

优质粗颗粒金刚石单晶(尺寸达0.8mm)在制备金刚石工具方面具有重要的应用,其合成条件相对于普通工业金刚石单晶更为苛刻.文章介绍了在具有高精密化控制系统的国产SPD 6×1670T型六面顶压机上进行优质粗颗粒金刚石单晶的合成研究.通过采用先进的旁热式组装和粉末触媒技术,并优化了合成工艺,在高温高压条件下(5.4GPa,1300℃～1435℃)成功合成出尺寸为0.8mm(20目)三种不同晶形的粗颗粒金刚石单晶.     

C．A．染料文摘（145：5、6、7、8、9）

145：125988x酞菁络合物的应用Tretyakova,I．N．等（Inst. Obshch. Neorg. Khim. Im. V.I. Vemadskogo） Ukrainskii Khimicheskii Zhumal （Russian Edition） 2005, 7 （11-12）, 85-92 （俄文） 一篇评论,对酞菁系统作为新的电致变色,非线性光学液晶材料、传感器、半导体在生物和医药中的应用可能性作了评述。     

C．A．染料文摘（144：3、4、5、6、7、8）

一、文献摘要 144：37353k在封闭系统中卧式的DS容器对平面的电色谱法的适应性 Dzido, Tadeusz H.等 （Department of Physical Chemistry Medical University, 20-081 Lublin Pol） Journal of Planar Chromatography--Modern TLC 2004, 17 （6）, 404-410 （ 英文 ） TLC用的卧式DS容器已被用于封闭系统的平面电色谱法，以乙腈-缓冲剂为流动相予润湿的RP-8和RP-18色谱平板上分离出偶氮的试验混合物。2KV电压用于10．Cm平板以产生电场。在开放和封闭（密闭）系统中使用了二个电色谱法展开的模式。从平板流动相的开放系统蒸发的缺点和展开期间吸附层的表面过多的流动相，通过封闭系统的使用被消除了。     

以1—（2，4，7—三硝基）芴基—2，6—二甲基苯胺为电子传输材料的单层结构有机光导体的研究

系统地研究了在由1－（2，4，7－三硝基）芴基－2，6－二甲基苯胺（DMT－NF），4－（二乙氨基）－苯甲醛－1，1－二苯基腙（DEH）和Y晶型氧肽酞菁（Y－TiOPc)或非金属酞菁（H2Pc)构成的单层结构有机光导体的性能，考查了电荷产生材料（CGM）浓度、电场强度和CGM的种类对光导体静电照相性能的影响。研究结果表明，光导体的量子收率和感光度与CGM浓度有很大关系，正充电时随CGM的浓度的增加而增加，负充电时随CGM的浓度增加而降低。两种光导体在近红外光谱区表现出良好的光敏性，适合LD扫描成像。Y－TiOPc光导体的最高峰在780nm处，半衰曝光量为0.588μJ/cm^2（正充电），0.828μJ/cm^2(负充电）；H2Pc光导体正充电最高峰在800nm处，半衰曝光量为1.50μJ/cm^2，负充电最高峰在820nm处，半衰曝光量为1.97μJ/cm^2。