膨胀合金与热双金属

500513 FeNi因瓦合金膜中可逆一Y转变特征 一一(牙R。,oB H.H.等),《中MM》,1981, 51,恤6,1300一1307(俄文)500514 FePd合金的X一射线光谱与因瓦效应中 的电子定域一(3axapOB A .H.等), 《小MM》,1981.51,越6,1314一1317 (俄文)500515专利封接材料,冷轧Fe一Ni合金.热处 理(还原气氛中),并银复层—日本专利, 滩.6003一653,公布:1981年1月500516专利耐磨封接铸铁,含51、B并加适量 的M。以保证硬度—日本专利恤.1003一 424,公布:1981年1月500517专利玻璃封接合金.含Fe、Ni及Mg, 用作气密半导体封接—日本专利沁.5145 一153.公布:1980…     

精密电阻与电气触点合金

301017专利变阻器用材料一一(雄谷)[松卜 电器〕,日本专利,饰54一35310,申请: 1979.11,冲48一130340,公布:1979.11 获专利的材料成分为25一75多Cdo,75一25拓其他组元,其中包括44一80多Bao、CaO,Sro,以及19一55男B203、510:和0.0一8形CuO.301。仿专利变阻器用合金—(一下鸟)【东 芝电气〕,日本专利,掩54一17687,申请: 1972.11;恤连7一116580.公布:1979.7 厚6微米的AI膜沉积于厚0 .5毫米成分为Ni80拓Cr20拓合金极上并经适当处理,可用于加热元件等。301019可经受液氦温度多次冷却的丝电阻器 -一(H .A.naoRpaTOB),《n 0 T3》, 1980,恤1,…     

磁性材料

403501磁记录材料的应用—(西本幸三), 咤七,之,夕久》,1981,16,恤3,198一 203(日文)403502记忆压力的磁性材料一一(筱原猛), 魂日本金属学会会报》,1981,20,饨5, 连03一405(日文)403503金属及合金中磁转变与性能以及马氏体 转变关系-一《国外金属材料》,1081, 恤9,42一46(中文)403504专利磁性合金的形变热处理,冷却到形 成磁性相,塑性变形后时效—西德专利 灿.8001一851.公布:1980年9月4035D5非晶态磁性合金可能的用途—《Cesk. Cas .Fyz.》,、1980,30,场6,625一629(斯 洛伐克文)403506 Co,。Zr:。铁素体非晶态合金中磁性与畴 壁的研究…     

精密电阻与电气触点合金

3OIOOB铸造的防合金微细导线的电性能— (中ap二a、o，c二。盆B .B.).《Mo TOM》， 1980，滩2，58一60(俄文)301009作精密低温电阻用的铂锗合金一〔Mac Farlane J.C.)，《Pt.Motals Rcv『》， 1979，23，恤4，150一152(英文) 一种结构简单的铂锗丝绕电阻，能在液氦中在ZK温度下提供稳定的精密电测量值。301010专利电阻器材料一一日本专利，恤54 一36304，申请:1073，11，19;恤48一 130334，公布:1979，11，1301011抗渗碳电热合金材料的研究一(一于洪 香、张复中)，《电炉》，1980年，恤2，44一 50 …     

弹性合金

102626专利易变形高强度铜合金一日本专 利,沌53一26223,公布:78.3.10 铜合金含Nis一25厂,Snl一7多,P0.01一1 .0多。材料在1250℃高频感应炉的石墨增锅中熔炼,熔锭在叨0℃热处理,随后冷变形,650℃最终退火3小时.合金的。=68公斤/毫米,,。>2,用作阀座,膜盒和齿轮,10262了专利铜一铝一镍导电弹簧—日本专利 恤53一37129,公布:78.4.G 合金含(拓):Cus一8凌.5、Al 12一14、Ni 3.5一5.0。合金在高频感应炉熔炼,8的℃退火4小时,冰水中淬火。102628 Mn一Ni一Ti和Mn二Ni一Zr系无磁恒弹性 合金—(增本量),《日本金属学会志》,1979, 43,沁1,13一1…     

磁性材料

403089第四届软磁材料国际会议—《日属学会会报》,1980,19,滩l,41一43文)本金 (日403090稀磁性合金研究中的压力参量一一 《Ady.Phys.》1979,28.恤5,657一715, (英文)403091专利耐蚀高导磁铁基合金-一卜}木专 利.饨53一l!0723,申清:l()77,3.30;恤52 一34609,公布:1978,l().「{飞 提出了Fc基、F。一Ni墓、Fc一Al基或Fc一人l一si基合金。热处理:在H:或含0.001一10多 N:的Ar气氛中一100℃退火。合金Hv为180, “o=5 0000,拼。a:=150000.He=0.018奥, B,。二6700高斯,以薄片状态用作音响器的 铁芯。403092作磁头用的坡莫合金的固相硼化一一…     

仪表与仪表材料一般问题

。03865工业自动化仪表的发展动向一一(徐纯 九)引包子与自动化》,1980年,饨2,1一6003866以低成本、高效率为目标的太阳能电池 (特集)一一《电子材料,,1980,冲8, 22一 95(日文)00386了光纤维通信器件与系统一一《电子科 学》,j98o,30,灿5,13一55(日文)0 03868液晶显示器:具有高可靠性的元件-一一 《Componen之5 RoPort》1979.14从3, )21一124(英文)003869超导的空间应用:低频超导器件— (J .E.Zimmerma。),《Cryogenics》, 1980,20,恤1,3一上0(英文)003870树脂分散烧结型热熔断器一过热保护元 件,一《National Teehoieal Repo:t》 1980,…     

精密电阻与电气触点合金

301031超精密金属膜电阻器-一《Natjonal Teehnieal Report》,1980,26,滩2,283 一201(日文) 研制出能与精密线绕标准电阻相匹敌的超精密金属膜电阻.使用NICrAI合金膜。电阻温度系数<士sppm/℃,电阻值精度达士0.肠解,经年变化<士0.的5多。301032专利薄膜电阻一Ni一cr一Al合金电阻温 度系数低稳定性高—西德专利摊2204一 120,公布:1980年2月 合金成份为(重量另):巧Ni,25Cr,60AI;55Ni,10Cr,35AI;55Ni,43C:,ZAI;3ONi,68Cr,2AI;lsNi,68Cr,z7AI.301033高温用耐热电热合金丫ss一S丫TT一一 《冶金》,1980年,饨9,56~57 高温用耐热电热…     

膨胀合金与热双金属

k,a等),《Solid Sta土。Com边认。ieation》,1981,38,恤T,5启1一5后4(英文)500521专利热膨胀陶瓷玻璃封接合金,用于电 器或电子元件.为铁素体材料含N,及Cu -一日本专利了码昭3一457公布:1981 年喜月 合金含舰一4Q二t.务C住余Fe其热膨胀系数为4.SXIQ“‘厂℃,温域在一般温度到3的℃之间,由于此种合金的热膨胀系数与玻璃、陶瓷或松香的热膨胀系数差异甚小。此合金非常适合将大规模集成电路封接于陶瓷基片上,亦可用于封接玻璃、陶瓷或松香于真空管端。合金具有良好的可拉、可弯曲性。仁牧摘〕500522专利Ga一C。合金作真空封接材料— 关国…     

膨胀合金与热双金属

500448C。基非铁磁性因瓦合金-(深道征明) 《日本金属学会会报》,]978,17,饨12,972 一974(日文)500449专利低线性膨胀系数及高耐蚀合金- 苏联专利饨572一529,公布:1977,9月     

仪表材料文献索引

0.仪表与仪表材料一般问题003354自动聚焦电子化照相机的研究—(百懒 治彦)嘴电子材料》,1马78,越l,11马一125 (日文)003355超大规模集成电路-一(垂井康夫), 《真空》,1977,20,恤11,370一379(日文)003356高集成度器件最近进展一一(垂井康夫), 《电子材料》,1978,灿l,30一32(日文)00335了矫顽力1000奥以上的磁录卡片的研究— (日向野荣),唁三菱制钢技报》,1977,11, 沁1一2,1一14(日文)003358专利高寿命信息记录元件一基片及记录膜含 Bi及AI一日本专利,倾52130一3例,公布: 77,11 纪录装置中有基片及记录层,其中含有第一金属Bi,Sb或Ti以及第…     

膨胀合金与热双金属

500467因瓦和艾林瓦非晶态合金—《IEEE Tran;.on Magneties》1979,MAG一15, 座6,1404一1409(英文)500468 FeNi因瓦合金的反常特性与磁非均匀 」l生一一(Shi二izu M.),《J.Magnetism挽 Magnetie Materials》,1980,19,冲l一3 (英文)500469「ePt因瓦合金均匀的强铁磁体—《J. MMM》,1979,12,(2),127一134(英文)5004了0专利无磁低热胀系数合金—〔大同特 殊钢l日本专利,恤54一56019,申请:1匀77, l,沁52一121904,公布:1979,55004了1专利低热胀系数的非晶态钢—〔东北 大学金属材料研究所〕,日本专利,恤53一 l互7G04,申请:1977.5,冲52…     

测温材料

2时1叨用偏振法测量表面真实温度一唁国外 计量》,1981,沁5,27一29(中文)203101专利熔融金属的测温装置一美国专 利恤4243402.申请:1匀78.9,公布:1081.1.203102表面温度测量一(Gaut】:ie。Randal A),召Instr,,.Tee五》,1981,2习沁.2,57- 60(英文)203103等离子蚀刻期间玻璃基板的温度测定 (R .A Bond),《J .Vae .Sei.Te- ehnol》,198一,一8,怕.2,335一338(英文)203104专利测定碳化氢含量和排气温度的敏感 元件-一日本专利,灿叨一285的,公布: 1980.7.28.203105放射温度计的适用领域一(菱Xl]功), 《计装》,1981.24,摊.7,69一75(日文)2031…     

膨胀合金与热双金属

500450因瓦和埃林瓦合金的发展—(斋藤) 《Pliys.公且d Appl.Iuvar Alloys》,To- k丁。,又978.3一z了(英文)5。。451晶态和非晶态合金的因瓦行为一《国 外金属材料》.1920年,饨3,37一40500452因瓦合金的弹性和磁弹性效应一《国 外金属材料》,193D年,恤3,40一43500453专利无磁因瓦合金—日本专利.恤53 一33085,申1青:11)74,10,14,灿49一 11709J.公布:1978,9 .12 提出一种成分为(形):51 0.5一9.0.Mn0 .1一1 .2.余Cr的无磁因瓦型合金.合金具有良好力正L性,在一钧到 40℃温度范围内热胀系数小{几士4·10一6/℃。合金可用于录象装置。500454 …     

高纯金属与半导体材料

的i了13氢化的非晶态硅的热弹性能—(K。:- ho:。n一入.5.等),《Mater.Sei.及Eng- ng.》,1981,49,沁乙,127一132(英文)印1714 sno:薄膜中的气敏机理-一(R.B. C.〕oPer等).《J .Eleetrouie Materials》, 1981.10,饨3,455一472(英文、 用射领喷涂技术制备的SnO:薄膜带有1肠和川肠SbZO3的掺杂。此薄膜然后在人造的空气中进行试验,了解它们对H:和CO的反响。〔铣摘〕6D1715专利食半导体金属合金,为Nf3AI互基一一 日本专利随0049一1妞,公布:1980年12月601了16对非晶半导体的电导和热电势率的测定 分析一(Niclsen Paul),《AIP Conf. pr…     

仪表与仪表材料一般问题

003486七九年度技术展望—(H.E.Chand- ler等),《Metal progress》,1979,Vol. 115,饨1,PPI一71 文中对能源、材料、制钢技术、有色金属工艺、高温合金,特种材料工艺、塑料、陶瓷和复合物的工艺、铸造工艺、清洗、精整和涂层工艺,热处理艺、成型二艺、焊接、试验和性能检验,以及粉末工冶金等问题作了述评。003487日本仪表工业概况一一《工业仪表与自动 化装置》,1979年,恤,17一23003488何谓技术,(仪器仪表在技术中的地位) 一一(吉谷丰),《计装》,1979,22,饨1,6 一g(日文)003439第六届国际液晶会议录一《Moleeular Crystals and Liquid C…     

膨胀合金与热双金属

5 00440面心立方铁合金的比热和热膨胀反常—- (W .Bendiek等),《J .P五ys .F:Metal Phys.》1378,Vo].8,滩12,2525一2534 讨论了Fe一Ni一Mn合金和Fe一Ni合金的热膨胀,比热反常的物理问题500441专利低热膨胀铁合金-一一苏联专利598一 955,公布日期1978.2.25. 此合金含:Co50一52拓,Crs.5一9.0多Cul.0一2.0多,F。余量.允许杂质含量为:M刀0.2一0 .4多,51(0.2万,C《0.03多 此合金热膨胀系数,在十100℃~一[洲℃温域内很低,高饱和磁感应强度和低的矫顽力.500442专利在电子计算机中用千与软玻璃封接的合金一一日本专利314G一915,公布日期197…     

国外新材料、新工艺专利信息

相变型光记录材料 据英国德温特《化学专利文摘》1988年第44期(周刊)报道,日本于1988年9月20日公布了一项光记录材料专利(专利号J3225933)。 相变型光记录材料具有一层透明的基底,光记录介质是一种合金薄膜,主要成分是Sb和Au,此外至少含Se、Bi、As、Te和Zn等元素中的一种。Sb和An的比例(摩尔比率)为4:1～1:1,其他元素含2～50原子％。     

金属化微生物细胞镀层导电性研究

从5种不导电的材料中筛选出化学镀效果最佳的材料作为基体,通过SEM,EDX对比该基体与细胞的表面镀层,最终通过测量所选基体表面镀层的电阻率间接研究7种用于微生物细胞金属化的镀层的导电性.结果表明:所选基体和细胞的表面镀层组成和成分基本一致;7种镀层中含Cu量达100%的镀层导电能力最强,含Ni 76.08 %,Fe 15.53 %,P 8.38%(原子分数)的NiFeP镀层导电能力最差,4种含Cu的镀层中,随含Cu量增加导电能力增强,但并非线性相关.     

高纯金属与半导体材料

601578半导体的历史与展望-一一()l!村肇)《固 体物理》,1979,14,恤3,2一6(日文)601579半导体存储器的现状与发展—(山、}、 真一郎)《电子材料》,1980,恤6,22一26 (日文)601580半导体外延工艺中的分析检验一 (Jly中:B.八.)《3aoo及e .oa6op.》. 1979,恤12,1088一109吐(俄文)601581多元化合物半导体材料一一(水岛宜彦) 《电子通信学会志》,1980,63,沁3,279一 280旧文)6Q1582电流强度对GaAs阳极氧化膜成分的影 响—(Croset M.).《J .Eleetroehem. Soc.》,IU79,126,沁9,1543一547(英文)601583砷化稼高纯外延层的制取及其性能一- (Fy刀3 …