ITO透明导电膜制备工艺研究

电子器件柔性化、超薄化对柔性ITO透明导电膜需求越来越为迫切,但是由于ITO薄膜本身性质局限和柔性衬底问题,使得ITO透明导电膜的光电性能极容易受到影响。以PET柔性基材制备ITO膜为例,从ITO透明导电膜膜系结构出发,研究就ITO透明导电膜的制备工艺,对提高ITO透明导电膜的光电性能进行简要的探讨。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜的研究进展

ITO透明导电薄膜以其优良的透明导电性能在平面液晶显示(LCD)、电致发光(EC)等多个领域得到了广泛的应用.制备ITO薄膜的方法很多,其中采用溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜具有成本低,设备简单,工艺可控,有利于大面积成膜等优点,因而受到了广泛的关注.较详尽地介绍了ITO薄膜的透明导电机理、溶胶-凝胶法的工艺特征,并初步论述了溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜的应用和发展前景.     

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究

通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO（或SiO2)膜，不仅具有优良的光电特性，而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比，膜层附着力提高了3．5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用。     

高透明低方阻ITO—Ag—ITO柔性镀膜技术

高透明低方阻ITO－Ag-ITO柔性薄膜具有广泛的用途，本文介绍了膜系设计，工艺参及控制，对设备结构也做了简要叙述，测试结果表明，ITO－Ag-ITO多层膜采用连续卷绕镀的方法生产，性能优异，工艺稳定，系统可靠。     

电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究

本实验是在低温条件下，采用电子柬蒸发制备ITO透明导电薄膜，通过监测电阻来控制薄膜的厚度，通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170nm和83nm时透过率和反射率可达95％和6％。     

电子束法沉积ITO膜的XPS研究

采用电子束蒸发法制备了均匀、致密、透明导电的ITO膜。讨论了其光电性能,并用XPS技术研究了ITO膜的表面组成、结构和状态。     

薄膜厚度对ITO膜结构与性能的影响

本文对所研究的直流磁控溅射法制备的ITO透明导电薄膜,采用X射线衍射技术进行了膜层晶体结构与薄膜厚度关系的分析, 并测量了薄膜电阻率及透光率随薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,当控制薄膜厚度达70 nm以上时,可获得结晶性好、电阻率低和透光率高的ITO透明导电薄膜,所镀制的ITO膜电阻率已降到1.8×10^-4 Ωcm,可见光透过率达80%以上.最后还对所镀制的ITO透明导电薄膜的质量指标作了评估.     

激光用于LCD板ITO膜修复的研究

对激光修复LCD板ITO膜的过程及影响因素进行了理论分析和计算。设计并加工出一套激光聚焦系统，由一个用于扩束和压缩发散角的倒置开普勒望运镜和聚焦透镜组成，其聚焦光斑为15μm。优化了调Q基模Nd：YAG激光器的参数，并用其进行了实验研究。结果表明，能修复各种不同厚度的ITO膜，打的孔小于20μm，位置漂移量小于3μm。     

低方阻、高透光度复合透明导电膜的研制

摘要:针对低方阻、高透光度透明导电膜的要求,利用薄膜光学干涉原理,设计了ITO+Si02复合型的透明导电膜;研究了基底温度、沉积速率、充氧量等工艺参数对ITO膜的影响;利用优化的工艺参数成功制备了复合透明导电膜.测试结果表明,膜层性能优异,能够满足使用要求.     

柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展

回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜（包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等）的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工芑及制备参数的依赖关系，给出了在此领域内应进一步进行的工作。     

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究

通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO(或SiO2)膜,不仅具有优良的光电特性,而且提高了膜层在基片上的附着力.与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比,膜层附着力提高了3.5倍.此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用.     

LCD专用抗蚀剂

日本杰昂公司已将LCD(液晶显示器件)生产专用抗蚀剂商品化。加工ITO(铟、锡、氧化物)膜、TFT(薄膜场效应晶体管)等时要用这种抗蚀剂,要求对各种底膜具有较高的附着力,以使蚀刻液对抗蚀剂膜与底膜的交接处     

ITO／Al203复合透明导电膜的制备及光电性能

采用磁控溅射技术，在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理，获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2O3复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能，结果表明，当预沉积Al层厚度为40nm左右时，UTD的结晶质量得到提高，取向性能变好，电阻降低，而且在400-800mm范围内具有很高的可见光透过率。实验表明，通过改变预沉积Al膜的厚度，可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长，实现ITO预器件工作波长的匹配。     

溅射工艺对ITO膜性能的影响

采用磁控反应溅射技术在玻璃表面上淀积大面积掺锡氧化铟薄膜(英文缩写为ITO),成功的应用到各种除冰霜用挡风电热玻璃、液晶显示透明电极和场致发光器件等。本文主要讨论不同的靶材比例、溅射电压、氧分压、基片温度、膜层厚度等工艺参数对ITO膜特性的影响。     

衬底电极对丝网印刷CNT阴极场发射性能的影响

通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In_2O_3(indium tin oxides,ITO)透明导电薄膜衬底电极和Ag浆导电厚膜衬底电极上,高温烧结后得到CNT阴极,并对CNT阴极进行表面形貌和场发射性能的研究.结果表明,不同衬底电极对CNT阴极场发射性能的影响不一样,CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极、ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极及Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极场发射的开启电场分别为0.99、2.05和2.46V/μm;当电场为3.0V/μm时,它们的亮度分别为2472、1889、587cd/m~2.CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极的场发射性能最优,ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极次之,Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极最差,并根据金属-半导体理论模型分析了原因.     

聚合物太阳能电池研究获新进展

聚合物太阳能电池一般由共轭聚合物给体和富勒烯衍生物受体的共混膜夹在ITO透明正极和金属负极之间所组成，具有结构和制备过程简单、成本低、重量轻、可制备成柔性器件等突出优点，近年来成为国内外研究热点。     

金属网格柔性透明导电薄膜研究进展

随着柔性电子器件的发展，柔性显示器、柔性太阳能电池、柔性传感器等产品已经逐步从实验室走向市场。柔性透明导电薄膜作为柔性光电器件不可或缺的重要组成部分，今后其需求量只会不断增加。目前的光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、可拉伸、低成本等方面发展。氧化铟锡（Indium tin oxide,ITO）是目前使用最广泛的透明导电薄膜，但ITO制备工艺复杂，具有脆性，且铟是稀有金属，储量少，价格昂贵。因此，研制可替代ITO的高性能柔性透明导电薄膜越来越迫切。目前已有研究人员研制出多种可替代ITO的柔性透明导电薄膜，其中基于金属网格的柔性透明导电薄膜是替代ITO的有力竞争者。金属网格柔性透明导电薄膜展示了极好的光电性能和机械灵活性。它最吸引人的地方在于可以独立改变金属网格的线宽和间距，从而在调节薄膜方阻和透光率方面表现出更好的权衡性。目前，已有大量的研究人员研制出可与ITO媲美的金属网格柔性透明导电薄膜。多数研究者通过光刻技术制作出母版，再结合化学镀或电沉积技术进行导电薄膜制作。以光刻技术为基础制备的柔性透明导电薄膜性能良好，但光刻工艺复杂而且设备昂贵。还有研究人员通过其他技术进行研究，如印刷增材...     

ITO/Al2O3复合透明导电膜的制备及光电性能

采用磁控溅射技术 ,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理 ,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2 O3 复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能 ,结果表明 ,当预沉积Al层厚度为 4 0nm左右时 ,ITO的结晶质量得到提高 ,取向性能变好 ,电阻降低 ,而且在 4 0 0 - 80 0nm范围内具有很高的可见光透过率。实验表明 ,通过改变预沉积Al膜的厚度 ,可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长 ,实现ITO预器件工作波长的匹配     

积极开发各种大型靶材技术

目前阴极射线管电视正在向平面电视(液晶电视、等离子电视等)转换。因此对作为平面板使用的透明导电薄膜和电极膜等成膜材料的ITO、铝、铬、铝等溅射靶材的需求非常活跃。在技术方面，各厂家为使液晶电视等面板大型化和提高成品率，在大型靶材方面