基于IP库的可编程器件辅助设计软件

针对当前嵌入式系统的特点,设计了一个基于IP库的可编程器件辅助设计软件。这个辅助软件不仅可以对已设计的IP模块进行管理,而且还能根据系统设计规范的要求自行生成相应的HDL程序,提高了设计效率,并可实现设计的重复利用。     

半导体金刚石与器件

本文介绍了半导体金刚石材料的结构、光电特性及其器件的特点,总结了与器件制备相关工艺的发展和这种器件的研制历史与现状,同时还指出了金刚石器件走向实用化所需克服的困难。     

全国半导体计算机辅助设计和模拟学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术学会主办的《全国第一次半导体计算机辅助设计和模拟学术会议》于1980年8月 11日至15日在青岛举行.来自全国59个单位的科研、工厂、高等院校的110多名代表参加了会议. 中国电子学会副理事长、四机部副部长孙俊人到会听了部分报告,并就发展我国的半导体计算机辅助设计和模拟等问题讲了话.     

半导体光电二极管和有关器件

半导体结器件(光电二极管、光电晶体管,等等)是0.1微米—1微米波长范围内的一种重要的探测器。光电二极管同光电导体相比,其主要优点是有高频响应。原因在于光电二极管的频率响应是由耗尽层电容和受激载流子的渡越时间所确定,而不是象光电导体那样由少数载流子的寿命或俘获时间所确定。本文阐述半导体结光电探测器的某些性能,重点在光电二极管方面。     

SiC半导体材料与器件

阐述了ＳｉＣ材料的结构和性质，系统介绍了相关制备、器件制作的进展，并将ＳｉＣ与Ｓｉ，ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调了ＳｉＣ做为一种接近实用的功率器件材料的优越性，同时指出了为进一步实用化所需解决的问题。     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件，评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

半导体放电器件

介绍了一种新颖的过压保护固体器件的工作原理，参数和结构及其在程控交换机中的应用。     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件。评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

半导体和陶瓷敏感器件的发展

本文概述敏感材料及其功能效应,半导体和陶瓷敏感器件的发展。指出集成、薄膜和多功能是敏感器件的主要发展方向。     

半导体分立器件

超快恢复二极管提高了供电效率 80EBU02/04和150EBU02/04超快恢复二极管采用IR公司专有的powIRtab封装,额定电流为80A。而60EPU 02则采用TO-247封装,额定电流为60A。80EBU02/04和150EBU02/04的其它性能指标包括:额定反向电压为200～400V,额定正向电压为1.08～1.30V,反向恢复时间是35～60ns。     

DWDM辅助设计软件的设计和实现

介绍了一个基于厂商产品参数而开发的,综合考虑线路衰减、色散、光纤非线性等因素的DWDM系统辅助设计软件的设计和实现。阐述了DWDM链路和OADM环网在色散补偿模块配置、放大器配置、OSNR预算方面相同和不同的优化设计技术要点和计算原则。该软件对实际的工程设计与调测具有极大的指导意义,可望用于10Gb/s的DWDM系统优化设计中。     

半导体电场敏感器件和电场传感器

本文介绍了用MOS工艺制作的直接栅电场敏感FET,对其敏感特性进行了实验研究和理论分析.室温下,用此器件在空气中检测电场时,在外加电场小于空气击穿场强的范围内,器件的电流-电场跨导大于2μA/(kV/cm).用直接栅FET和普通MOSFET作差分对,利用栅绝缘层上压降正比于外电场的原理,用反馈和差分放大组合电路制作电场传感器.得到了0.2V/ (kV/cm)的线性输出.     

半导体材料与器件九十年代最新进展

本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。     

声表面波器件的计算机辅助设计

本文简介了计算机辅助设计技术在声表面波器件设计领域的应用，及ＣＡＤ硬件平台向微机转移和软件平台向Ｗｉｎｄｏｗｓ转移的趋势。     

光纤通信和半导体光电器件的发展概况

本文对光纤通信和半导体长波长光电器件作了评述.介绍了光纤通信的发展概况及其前景,其中重点介绍了光纤市话中继系统和长途干线通信系统以及未来的光纤通信、超长波长光纤通信、超外差光纤通信、全光通信等.本文还介绍了半导体长波长光电器件及其国内外发展概况.     

谈CSP封装器件的返修工艺流程

球栅列阵封装技术，简称BGA封装，早在80年代已用于尖端军备、导弹和航天科技中，它对于电子设备的微型化和多功能化起到决定性作用。随着半导体工艺技术的发展，近年来在各行各业中部亦广泛地使用到BGA封装IC元件，领导这一发展趋势的芯片级封装(CSP)在今天已开始得到广泛应用，随之而来对于CSP封装器件的返修更显重要。     

新型半导体红外器件

光测技术往往是根据光电器件的特性来探测物体。直到现在,因为用目视调节比较方便,所以可利用的光限止在可见光区。如果仅限于在半导体方面考虑的话,CdS器件接近于人的视觉特性,所以用得最普遍,这大概就是理由之一吧!然而,最近光的利用方法有了很大的变化,光的强度除了具有物理意义以外,已经利用光来传送情报。特别是由于激光的发展,从过去的非相干光的应用技术正在发展以相干光为主要的应用技术。可以举光通信、激光显示器等为例,要考虑背景光和空气当中的吸收光和散乱光,红外光就比可见光具有更多的优点。新型光计测的方向是在红外区域扩展它的幅度。因此,在红外方面,高灵敏度的半     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。