飞利浦为LCD背光和投影仪推出新型功率MOSFET

皇家飞利浦电子公司日前宣布，推出新型功率MOSFET——150V系列和200V系列，用于LCD TV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。这些新型功率MOSFET采用飞利浦深受赞誉的TrenchMOS技术，同时提供超高转换速度和超低RDS(on)值，将转换损耗和直流电损耗降至极低，达到逆变器高效运行所需。     

飞利浦新型功率MOSFET

皇家飞利浦电子公司(Philips Electronics)推出新型功率MOSFET：150V系列和200V系列，用于LCDTV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。这些新型功率MOSFET采用飞利浦的TrenchMOS技术，     

直接用市电运作的STARplug系列电源芯片

飞利浦半导体的STARplug系列是反激式DC/DC转换控制器,型号为TEA152x,器件中包含高压功率MOSFET开关,用它做的DC/DC转换器可以直接连到交流90V至276V电网上,最大输出功率为30W,效率最高为89～90％。输出电压精度10％,如果使用光耦合反馈控制,精度可以     

新型600V超快软恢复的PFC二极管

PFC的效率一直是大功率开关电源中人们关注的焦点，此外功率损耗及EMI等参数都是改善电路性能的重要因素。国际整流器公司（IR）推出一种新型超快软恢复二极管，选用这种高性能PFC二极管及相应K系列500V硬开关HEXFET MOSFET，可以大大提高升压电路的FPC效率，并降低30％的功率损耗。     

TOPSwitch—JX系列电源转换IC

Power Integration推出TOP Switch—JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成一个725V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

正瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150 mΩ(栅源间电压为10 V时的标称值)的600 V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600 V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率     

电源转换IC可使上网本适配器空载功耗降至85mW

Power Integrations公司(PI)日前针对反激式电源设计推出了TOPSwitch-JX系列器件,新系列共由16款高度集成的功率转换IC组成,所有产品内部均集成一个725 V功率MOSFET,新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法,可提高整个负载范围内的功率效率.     

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology,Inc宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／,将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。     

e络盟为亚太区新增英飞凌革命性的COOLMOS~(TM)系列功率MOSFET

正e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列CoolMOSTM功率MOSFET,它们具备极低的开关和传导损耗,从而可实现更高的功率密度和效率。同时,该系列功率MOSFET还提供最优化的硬开关拓扑性能,完美应用于太阳能、服务器、电信设备及UPS(不间断电源)等应用领域。英飞凌科技公司高压功率转换产品负责人Jan-WillemReynaerts表示:"英飞凌推出的CoolMOSTM是一款用于根据超结理论设计高压功率MOSFET的     

IR StrongIRFET MOSFET新增60 V器件

正全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪     

元器件与组件

用于数字地面广播移动电话的可调式天线变容二极管，三款新型25V DirectFET MOSFET，能够耐150℃高温的芯片式固体钽电容器，优化DC／DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET，1206封装IW表面贴装电阻器。[编者按]     

电源管理

Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件Diodes公司进一步扩展其多元化的MOSFET产品系列,推出15款针对LCD电视和显示器背光应用     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

浅析MOSFET高速驱动器电路设计

通过对MOSFET转换过程的分析，得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项，得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。     

SiS426DN/SiR496DP/Si7718DN／Si7784DP：第三代功率MOSFET

Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45％，从而降低切换损耗及提高切换速度。     

新型三相谐振极软开关逆变器

为提高三相逆变器的转换效率,提出了一种新型三相谐振极软开关逆变器拓扑结构,通过在每相桥臂上增加结构简单的辅助电路,实现了主开关的零电压软开通和零电流软关断.逆变器主开关采用金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）或者绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）时,都能实现无损耗切换,解决了MOSFET内部结电容造成的容性开通损耗问题和IGBT拖尾电流造成的关断损耗问题.分析了电路的工作过程,实验结果表明开关器件完成了软切换.因此,该拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义.     

在500V电压等级的AC／DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争

仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。     

高性能高压功率MOSFET

超结型MDmeshV系列功率MOSFET晶体管拥有极低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;新产品STW88N65M5MDmeshVMOSFET又将重要的能效指标提高23％以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。     

新型单相低能耗半桥逆变器

为实现单相半桥逆变器的高效率运行，设计了一种新型单相低能耗半桥逆变器.在逆变器工作过程中，主开关和辅助开关均能完成零电压软切换，逆变器主开关采用高频金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）时，都能实现零损耗切换，消除了MOSFET内部结电容导致的容性开通损耗.文中具体分析了电路工作过程.在额定功率为1kW样机上的实验结果表明开关器件都实现了软切换.因此该半桥软开关逆变器拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义.     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的