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给出了一种利用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现的2.5 Gb/s跨阻前置放大器.此跨阻放大器的增益为66.3 dBΩ,3 dB带宽为2.18 GHz,等效输入电流噪声为112.54 nA.在标准的1.8 V电源电压下,功耗为7.74 mW.输入光功率为-10 dBm时,PCML单端输出信号电压摆幅为165 mVp-p.模拟结果表明该电路可以工作在2.5 Gb/s速率上. 相似文献
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基于OIF-VSR5-01.0规范,分析了12路并行40Gb/s甚短距离(VSR)光传输转换器模块的实现原理.采用top-down分析方法,使用硬件描述语言verilog,在可编程逻辑器件上完成了时钟数据恢复、基于字节对齐方案的帧同步、信道去斜移、比特间差奇偶校验(BIP)等功能模块的程序设计,实现了SFI-5与OIF-VSR5-01.0电信号格式的相互转换,并在Altera的Stratix II GX 系列的高速现场可编程门阵列(FPGA)上对功能模块进行了功能验证和联合仿真.结果表明所设计的各个功能模块满足系统应用要求,为下一步将系统设计转换为专用集成电路(ASIC)奠定了基础. 相似文献
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采用中芯国际(SMIC)0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现了功耗为160mW、速率为10Gb/s的16:1复接器。该复接器采用可以分级优化的树型结构。低速(622Mb/s→5Gb/s)复接和低速(2.5GHz→622MHz)分频单元采用CMOS逻辑电路实现,高速(5Gb/s→10Gb/s)复接和高速(5GHz→2.5GHz)分频单元采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL)电路实现。测试结果表明,在1.8V的工作电压下,芯片可以稳定工作在10Gb/s的速率上,输出信号逻辑正确,眼图良好,单端峰-峰值180mV。 相似文献
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采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级Cherry-Hooper结构。芯片面积仅为0.47mm~2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。 相似文献