基于壳聚糖膜的ISFET 麻黄碱传感器的研究

以硅钨酸为电活性物质 ,用壳聚糖代替传统的聚氯乙烯 (PVC)作为成膜物质 ,制成药物敏感膜。将其与离子敏感场效应晶体管 (ISFET)相结合 ,制成药物敏感传感器。传感器对麻黄碱有良好的响应 ,能斯特范围为 5 0× 10 - 5～ 1 0× 10 - 2 mol·L- 1 ,响应的灵敏度为 5 8 3mV/pC(C的单位为mol·L- 1 ) ,适宜的pH范围是 3 5～ 8 0。利用该传感器分析麻黄碱片剂含量 ,结果和药典方法相一致     

二氧化氮化学膜传感器

本文综述了几年二氧化氮气体化学膜传感器的研究进展,从传感器的原理、传感材料、响应性能等方面进行了评述,展望了二氧化氮化学传感器的发展方向。     

半导体气体传感器的选择性研究

本文简述了半导体气体传感器的原理、特点与应用，介绍了改进半导体气体传感器选择性的方法以及取得的研究进展。     

SAW—SXFA气体传感器敏感膜性质的研究

以SXFA聚合物为敏感膜材料制备了能够检测有机膦化合物的声表面波传感器,介绍了敏感膜材料SXFA的镀膜方法,以理论计算和原子力显微镜对敏感膜进行了证实,研究了SAW-SXFA传感器在不同膜厚度下的频率变化、不同膜厚度的传感器对检测有机膦化合物的响应结果,并对检测机理进行了初步讨论.     

一次性多功能ISFET化学传感器的研制

以四（十二烷基）碘化铵为电活性物质,制成了对一系列阴离子响应的ＰＶＣ膜ＩＳＦＥＴ化学传感器,测定了对几种阴离子的响应斜率和检测范围。该传感器具有较高的稳定性,重现性和选择性,并且制作简单、转换方便、适宜形成一次性多功能的化学检测仪器。     

聚合物敏感膜电位传感技术研究获进展

聚合物膜离子选择性电极是上世纪八十年代发展起来的一项电位型传感技术,它具有选择性高、使用方便、价格低廉、性能可靠等优点。     

半导体传感器在中国的研究和发展

本文评述了中国自８０年代开展半导体传感器研究以来的情况，内容包括概述，各种ＩＳＦＥＴ器件，分析技术等。     

差分对结构pH—ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素，采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。     

多指示剂复合pH敏感膜及其试验

采用多指示剂聚合构成 pH敏感膜 ,并用神经网络进行光谱处理 ,能有效扩大 pH的敏感范围 ,克服目前光纤化学 pH传感器量程小的缺陷 ,有助于该类传感器的实用化。     

固态氯离子敏感半导体传感器的研究

用AgCl或AgCl-Ag_2S作电化学活性物质制作固态氯离子敏感半导体传感器已有报导。仅管它性能好,但有光敏性,影响成品的稳定性。鉴于甘汞电极电极电位十分稳定,已有用它作氯离子选择性电极的报导,由此启发我们研制了Hg_2Cl_2固态氯离子敏感半导体传感器,它比AgCl作电活性物质的传感器灵敏度可高一个数量级,对氯离子的检出下限也可低达3×10~(-6)mol·L~(-1)左右。     

用于扑尔敏测定的化学敏感场效应管

本文研究用四苯硼酸钠与扑尔敏生成缔合物为电活性物质制成，ＰＶＣ膜扑尔敏敏感场效应管。应用于扑尔敏注射液和片剂含量的测定，获得了较好的效果。     

一种改进PH—ISFET测量的实用方法

一、前言作为化学量传感器的离子敏场效应晶体管(ISFET),不仅具有离子敏电极(ISE)的特点,而且具有响应快、体积小及全固体化等优点。目前虽已研制出多种 ISFET 器件,但因为器件响应难于达到平衡,时漂和滞后严重,使得测量时误差大、重复性差,读数时间长。为了减少器件的测量误差,本文以实验研究为基础,以器件的响应增量ΔV_0绘制校准曲线,提出了校准曲线的时域标定方法,建立了一种 pH 值快速定时测定方法,使 pH—ISFET 的测量精度和重复性均得到显著改善。     

SAW敏感膜材料SXFA的合成与吸附研究

声表面波化学传感器(SAW chemical sensor)是一种可用于化学战剂、爆炸物的气敏传感器.涂在SAW化学传感器上的敏感膜涂层与被测气体之间能发生可逆吸附作用,从而定量分析.本文采用水解法合成了烯丙基甲基聚硅氧烷,之后与六氟丙酮在110℃下进行反应,合成了聚(氧{甲基(4-羟基-4,4-双(三氟代甲基)丁-1-烯-1-醇)亚甲基硅氧烷})(SXFA)膜材料,采用溶剂挥发法﹑旋涂法将其涂膜,以甲基膦酸二甲酯(DMMP)为化学战剂模拟物,进行检测,频率计有3 kHz的偏移响应,同时对膜厚等因素对吸附的影响进行了探讨.     

ZnO—TiO2—NiO系PTCR新型材料的研究

为了克服(BaPb)TiO_3,系PTCR作发热体的铅污染的缺点,国内首次研究成功了无铅的ZnO—TiO_2—NiO系PTCR半导体陶瓷发热体.这种材料是一种缓变型的正温度系     

ISFET传感器不稳定性的起因及其改善技术研究

本文用实验证实了氮化硅敏感膜表面存在OH~-羟基和NH_2氨基团.指出了氢离子FET传感器不稳定的主要原因:敏感膜表面和溶液中羟基团的活跃性;被测溶液OH~-羟基因及其pH值随时间而变化,敏感膜固/液两相界面势的变化.还证实了氢离子敏FET传感器长期不稳定性与氮化硅敏感膜沉积工艺有关.通过调整或控制敏感膜表面或界面上羟基和氨基因及其比率,可以解决氢离子敏FET的长期稳定性.     

硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10~(-2)T~(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10~(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。     

一次性丁氯喘半导体传感器的研究

本文利用场效应晶体管与药物敏感膜相结合，研制成一种ＰＶＣＥ膜丁氯喘半导体传感器，该传感器具有良好的能斯特响应，传感器的丁氯喘的线性范围为５×１０＾－５－１×１０＾－１ｍｏｌ／Ｌ，检测下限７×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，响应斜率为６０ｍＶ／ｄｅｃ；适宜的ｐＨ范围为２－９。