通孔电镀填孔工艺研究与优化

为了提高高密度互连印制电路板的导电导热性和可靠性,实现通孔与盲孔同时填孔电镀的目的,以某公司已有的电镀填盲孔工艺为参考,适当调整填盲孔电镀液各组分浓度,对通孔进行填孔电镀。运用正交试验法研究加速剂、抑制剂、整平剂、H2SO4浓度对通孔填充效果的影响,得到电镀填通孔的最优参数组合,并对其可靠性进行测试。将得到的最优电镀配方用于多层板通孔与盲孔共同填孔电镀。结果表明:电镀液各成分对通孔填充效果的影响次序是:抑制剂>整平剂>加速剂>H2SO4;最优配方是:加速剂浓度为0.5 ml/L,抑制剂浓度为17 ml/L,整平剂浓度为20ml/L,H2SO4浓度为30 g/L。在最优配方下,通孔填孔效果显著提高,其可靠性测试均符合IPC品质要求。该电镀配方可以实现多层板通孔与盲孔共同填孔电镀,对PCB领域具有实际应用价值。     

微导通孔填铜电镀的影响因素研究

由于印制电路板对高密度、高精度、高可靠性及低成本的强烈需求,常规的导通孔敷形镀技术已经不能满足高密度布线的要求,所以提出了微导通孔填铜电镀和微盲孔填铜电镀技术。通过在添加剂方面对影响微导通孔填铜电镀的因素进行分析,运用正交试验的研究方法,得到了添加剂的最优组合和配比,从而实现微导通孔的较好填充。     

导通孔和通孔填孔镀用的CuSO4电镀工艺“Cu-BRITE TFⅡ”

概述了CuSO4电镀工艺＂CU-BRITE TFⅡ＂的开发和特性,适用于镀铜层填充导通孔和贯通孔。     

下一代电子电路板用CuSO_4填充镀技术

概述了下一代电子电路板填充用的CuSO4电镀技术。（1）盲导通孔填充,（2）贯通孔填充,（3）半导体用的凸块和（4）TSV填充。     

用正交试验法优化挠性单面板精细线路的工艺

在制成能力为70μm/70μm的设备上探索进行理论线间距为40μm/40μm的挠性板精细线路工艺研究过程中,用正交试验法的L9（34）正交表安排蚀刻速度、曝光能量和显影速度三因素试验。试验发现,显影速度对精细线路影响最大,其最佳工艺优化参数为A1B3C2,即蚀刻速度为5.5 m/min、显影速度为2.8 m/min和曝光能量为60 mj。     

多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究

硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现电流密度较低时,呈等壁生长,而电流密度较高时,底部产生孔洞。     

新产品与新技术（36）

精细线路用抗蚀干膜的新动向 日本旭化成公司针对PCB高密度化,推出精细线路用抗蚀干膜系列产品。有激光直接成像用ADH系列干膜,其中供减成法蚀刻工艺的干膜厚度1μm,最小线路解像度L/S=12μm/12μm;供半加成法图形电镀工艺的干膜厚度25μm,     

正交法制作50μm／50μm精细线路工艺参数的优化

在公司批量生产HDI板最小线宽／间距为75μm／75μm能力的基础上制作了线宽／间距为50μm／50μm的精细线路,试验用LDI曝光机曝光后再用正交试验法的L9（3^4）正交表安排了显影速度、蚀刻速度、显影压力、蚀刻压力四因素试验,选取线宽和蚀刻因子作为指标。通过对两个指标的综合分析,试验得到最佳工艺参数为：显影速度为4．0m／min,显影上压力为0．18MPa,下压力为0．15MPa,蚀刻速度为4．5m／min,蚀刻上压力为O．28MPa,下压力为0．25MPa。     

小粒径片状银粉的制备

讨论了化学还原--机械球磨制备片状银粉的生产工艺.通过正交试验法安排试验,分析了前驱体银粉制备工艺及球磨工艺对最终片银粒度分布等性能的影响,得出的较优工艺参数组合是:硝酸银初始浓度为60 g/L,水合联氨初始浓度为80 g/L,分散剂用量为硝酸银质量的0.4%,结果表明,该工艺参数组合制备的片银粒度分布的D50在3μm～4μm.     

不同间距精细线路图镀铜厚差异的探究

本文以理论分析为基础,结合不同电镀参数/不同间距精细线路图形电镀的试验结果,对镀层厚度差异进行了探究,并提出改善方向,为精细线路在图形电镀时的操作提供了一些参考。     

正交试验研究制备工艺对片状银粉性能的影响

采用正交试验法,分析了前驱体球状银粉的制备及球磨工艺对最终片状银粉性能的影响。经优选得出的工艺参数组合是:硝酸银初始质量浓度为60g/L,水合联氨初始质量浓度为80g/L,ζ(十二烷基硫酸钠:硝酸银)为0.2%等。该工艺参数组合制备的片状银粉性能很好,比表面积达0.697m2/g,方阻为3.2mΩ/□。     

半加成法制作30μm精细线路及其工艺优化

在公司制程能力为70mm/70mm的工艺条件下,运用半加成法探索进行线宽为30mm的挠性双面板精细线路制作工艺研究。通过正交试验法的L9（34）正交表设计对精细线路制作中的显影速度、显影压力、蚀刻速度、蚀刻压力四个因素进行工艺优化,确定了线宽为30mm的挠性双面板精细线路制作的最佳条件。结果表明,显影速度为主要影响因素。     

提高电镀填盲孔效果的研究

随着电子产品的持续发展,HDI印制电路板的应用越来越广泛,本文通过正交实验优化电镀填孔工艺参数,并通过控制变量法研究了通孔孔径及位置对盲孔电镀填孔效果的影响,并以金相显微镜分析盲孔的凹陷度作为考察指标。研究结果表明采用优化参数能够降低盲孔填充凹陷度,通孔对盲孔的填孔电镀效果会产生影响,随着通孔孔径的增大,对盲孔的填孔电镀越有利,同时实验还发现,若在孔金属化后通孔孔壁与盲孔底部铜层电导通有利于盲孔的填孔。     

HDI板盲孔裂纹探讨

依据常规PCB走向更高密度的HDI/BUM板的必由之路,传统PCB板导通孔难以胜任其基层(a+n+b,n为芯板的层数,a和b为高密度积层的层数)的层数越来越多结构产品,必须运用仅在需要电气互连的相关的内层之间才有导通孔的埋/盲孔进行导通;而盲孔品质直接关系产品导通性能;文章根据我公司出现盲孔裂纹现象进行理论分析,通过对PCB板从材料、过程、影响的因素几个方面进行了详细的分析;最后对如何在生产过程中进行管理给出了建议。     

硫酸双氧水型超粗化剂BTH-2066的开发及在精细线路图形制作中的应用

介绍了新一代H2SO4/H2O2体系超粗化剂BTH-2066的工作原理、工艺及其在精细线路图形制作中的应用。BTH-2066超粗化处理过的铜表面成均匀的蜂窝状,显著地增大了铜箔表面积,为干膜、湿膜有着良好的粘合力提供了强有力保证。传统的H2SO4/H2O2体系化学清洗只对铜面有初步的清洁作用,铜面呈现半光亮或光亮状,铜面微观粗糙度低,对于3mil/3mil及以下的精细线路,很容易因粘附力不足而产生线路图形的缺陷,影响做板良率。BTH-2066超粗化具有稳定可控的微蚀速率,极佳的超粗化微蚀面,彻底地解决了铜面与干膜、湿膜之间机械粘合力的问题,可降低线路不良比率,增加细线路制作能力。BTH-2066超粗化是高精密线路制作化学前处理的首选工艺。     

应用于MEMS封装的TSV工艺研究

开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。     

龙门式电镀线生产75μm/75μm线镀铜均匀性探究

主要阐述我司通过对佳辉龙门式电镀线进行电镀均匀性的改善和研究,达到可以生产75μm/75μm线的工艺制作能力,以及使用龙门式电镀线制作75μm/75μm线镀铜均匀性控制要点、工艺能力维护等,为我司生产精细线路的产品提供一定的参考和制作依据。     

电镀填盲孔取消闪镀直接填铜工艺研究

文章主要阐述HDI电路板在电镀填孔制作中的一种填铜新工艺，经垂直沉铜后取消闪镀，直接进行填铜。用正交表L16（45）安排不同介质厚度、浸酸时间、浸酸浓度、三因素进行电镀试验，进行综合分析得到了填铜的最佳参数。     

添加Li+的硫酸铵电解液超级电容器的研究

在电解液(NH4)2SO4中加入Li 添加剂,用以提高二氧化锰/活性炭混合超级电容器以及活性炭电容器的容量.测试结果表明,当在2 mol/L 的(NH4)2SO4溶液中添加0.37 mol/L的Li2CO3时,比容量提高幅度最大.添加剂在混合超级电容器中起的作用比在单纯活性炭超级电容器中大.对于混合超级电容器,加入Li 添加剂后比容量提高了77 %,且2 000次循环后比容量为30 F/g,仅衰减了2.9 %.     

水合肼还原制备微米铜工艺研究

本文采用液相化学还原法,以CuSO4为原料,PVP(聚乙烯醇)为分散剂,水合肼作为还原剂,在碱性条件下制备微米铜粉。考察了不同的工艺条件对制备微米铜的尺寸与形状的影响。结果表明:CuSO4浓度为0.7mol/L,水合肼浓度为4mol/L,PVP加入量为2g,pH为11,温度为70℃的工艺条件有助于提高微米铜颗粒的稳定性,得到趋于球状、粒径较小(小于300nm)的微米铜颗粒。