化学镍钯金表面处理工艺研究

采用扫描电子显微镜、润湿性、拔/撞锡球和打金线测试等分析手段,比较研究了四家化学镍钯金药水表面处理焊盘的焊接可靠性,同时比较研究了化学镍钯金表面处理和化学镍金表面处理焊盘的焊接可靠性差异.研究表明,化学镍钯金表面处理相对化学镍金表面处理可有效防止镍腐蚀(黑盘)缺陷引起的连接可靠性问题.     

基于镍钯金PCB的数字传声器键合工艺匹配研究

介绍了数字传声器的关键结构,并基于其既有焊接又有键合工艺的特点,为提高PCB连接可靠性,特别是这种IC封装用PCB与芯片连接的可靠性,引入了镍钯金PCB,实现了其高可靠性的连接;并根据键合工艺的的要求,优化选择了键合温度、键合机台压力、功率和键合时间等工艺参数,进行了一系列引线键合实验,取得了键合点的相关实验数据,并对...     

不同条件下化学镍钯金的可焊性研究

可焊性是印制电路板组装产品极重要的性能之一。文章讨论了化学镍钯金(ENEPIG)的可焊性,首先对化学镍金(ENIG)和化学镍钯金的特点进行了对比,然后通过实验对影响产品焊接的可能因素进行了验证,得出钯层的有效控制能解决化学镍钯金的可焊性问题。     

化学镀镍钯金电路板金丝键合可靠性分析

在微组装工艺应用领域,为保证印制电路板上裸芯片键合后的产品可靠性,采用化学镀镍钯金工艺（ENEPIG）,可在焊接时避免“金脆”问题、金丝键合时避免“黑焊盘”问题。针对化学镀镍钯金电路板的金丝键合（球焊）可靠性进行了研究,从破坏性键合拉力测试、第一键合点剪切力测试以及通过加热条件下的加速材料扩散试验、键合点切片分析、键合点内部元素扫描等多方面分析,与常规应用的镀镍金基板键合强度进行了相关参数对比,最终确认了长期可靠性满足产品生产要求。此外,对镍钯金电路板金丝键合应用过程中需要注意的相关事项进行了总结与说明。     

LTCC纯银基板的化学镀镍钯金工艺

通过在银导体上逐次化学镀镍钯金来实现在LTCC纯银基板上的键合、钎焊等功能,避免了传统LTCC基板常用的多次贵金属套印,有效降低了生产成本.通过对样品进行试验验证,膜层键合强度和可焊性等都满足使用要求,可广泛应用于表面贴装和裸片邦定的微波产品工艺.     

化学镍钯金钯层表面孔洞黑点可靠性研究及其标准制定

化学镍钯金为近几年新兴的表面处理方式,因其具备优良的打线和焊接性能被应用得越来越广泛;目前行业内对化学镍金表面处理的镍金层可靠性研究是非常多且有明确的一套接收标准,但对于化学镍钯金表面处理的钯层的一些可靠性研究目前却是非常少的。本文针对化学镍钯金镀层其钯层表面的孔洞黑点进行老化前后的可靠性验证,确定正常、轻微、中度、严重四种不同程度的孔洞黑点推拉力均可满足标准,中度以下的孔洞黑点可以直接放行使用,严重程度的孔洞黑点则需要做进一步的可靠性评估;针对孔洞黑点制定出的管控标准,为企业标准提供依据支持,对镍钯金产品质量管控前移具有重要的意义,可供业内进行参考。     

替代镍钯金用于键合金线的表面涂覆工艺研究

由于目前镍钯金的制程能力无法趋向间距更细密化发展,且镍钯金的制作成本较高,因此我司研究在普通镍金的基础上加以返向沉钯加封孔剂作用的方式以及更新型的银钯金与镍钯金对比金线拉力测试和焊锡性,通过设计试验因子研究多种涂覆方式替代镍钯金的可行性.     

化学镀镍钯金技术在LTCC低成本化进程中的应用

介绍了一种通过在LTCC银导体上化学镀镍钯金替代金导体的工艺方法。利用该方法制备LTCC微波基板可有效解决化学镀镍金在LTCC基板制备过程的工艺缺陷。通过性能测试可知,化学镀镍钯金LTCC基板平均金丝键合强度可达到305 mN,平均金带键合拉力均大于500 mN,平均芯片剪切强度达到5.28 kgf。利用化学镀镍钯金技术制备的LTCC基板性能良好,有效推进了LTCC基板的低成本化进程。     

化学镀镍金板的镍厚影响因素探讨

文章从化学镀镍金板件的镍厚控制出发,对影响镍厚因素进行了探讨和比较分析,并对生产操作中镍厚控制给予处理建议,具指导和参考意义。     

关于沉金镍腐蚀问题的研究

近年来,在无铅化的大背景下,PCB产业随之发生重大变化,表面处理工艺亦然如此。沉金工艺在诸多选择中可谓异军突起,因其固有的优点,其所占比重迅速提高,当前已经占据PCB总量的半壁江山。但沉金工艺又有其难以克服的顽疾,镍腐蚀问题就是一直困扰沉金的难题。关于镍腐蚀问题,国内外同行都做了许多方面的研究,尽管对镍腐蚀控制取得长足的进步,然而对此问题的认识、理解依旧不尽而一。实际生产中镍腐蚀问题仍是难以根除,沉金焊接性投诉还是时有发生。本章由生产实际出发结合相关实验测试,对镍腐蚀问题的关键影响因素进行了独特的探讨,分析其内在机理,以期能够帮助生产实际,为业内同行改善沉金工艺品质提供切实、有效的参考。     

化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展前景分析

随着电子封装系统集成度逐渐升高及组装工艺多样化的发展趋势,适应无铅焊料的化学镀镍镀钯浸金（ENEPIG）表面处理工艺恰好能够满足封装基板上不同类型的元件和不同组装工艺的要求,因此ENEPIG正成为一种适用于IC封装基板和精细线路PCB的表面处理工艺。ENEPIG工艺具有增加布线密度、减小元件尺寸、装配及封装的可靠性高、成本较低等优点,近年来受到广泛关注。文章基于对化学镍钯金反应机理的简介,结合对镀层基本性能及可靠性方面的分析,综述了ENEPIG表面处理工艺的优势并探讨了其发展前景。     

化学镍金工艺中金剥落问题的探讨

化学镍金工艺能够有效的保护导电和焊接表面而被广泛的应用于PCB行业.然而,针对该工艺的品质保证绝非易事.化学镍金工艺受药水等因素的影响,在品质上容易会出现甩金、渗镀等不良问题.本文利用SEM、EDS分析手段对化学镍金工艺中的甩金问题进行了分析探讨.结果发现:甩金处镍层被腐蚀而形成空洞,EDS分析发现镍层中含有铜元素.这很有可能是金缸受到污染,镀液中存在一定含量的Cu2+,镍层与Cu2+发生自发的置换反应置换出铜而沉积在镍层上面,从而腐蚀镍层形成大量孔洞,使之与金层的结合力下降,导致化学镍金后甩金.     

化学镀镍钯金LTCC基板工艺研究

为降低LTCC基板加工材料成本,在全银基板上化学镀镍钯金(ENEPIG)方案具有明显的成本优势和工艺优点.本文从银导体烧结形貌出发,对比了不同阻焊材料的抗酸碱腐蚀性,分析了内层银导体厚度对基板平面度的影响.针对化学镀存在的金层渗镀和漏镀、陶瓷腐蚀、镀层剥离、金层发白和色斑等问题,从机理上分析了问题产生的原因,提出了有针...     

化学镍层耐腐蚀影响因素研究

文章通过建立化学镍层表面SEM观测分级制度来检测镍层耐腐蚀性能,然后通过DOE试验分析了产线参数对化学镍层耐腐蚀性的影响,从而达到优化参数,降低风险的目的。     

PCB生产中的化学镍金浅谈

本文针对目前市场PCB厂家化学镍金应用广泛的最终表面处理。化学镍金工艺具有高度的平整性、均匀性、可焊性或耐腐蚀性等,正日益受到广大客户的青睐,本文就实际生产中遇到一些常见品质问题的原因及对策进行探讨。     

电镀硬厚金工艺及镀层性能的研究

电镀硬金具有高硬度、耐磨性,还有时极好的导电性和可焊性。如果没有镀金,现代的电子产品就不可能达到今天的高、精、尖程度,因此镀金也广泛应用于PCB的表面处理。     

环氧树脂表面激光诱导液相化学局域沉积镍的实验研究

利用1079.5 nm Nd∶YAP激光作诱导光源,环氧树脂板为基体,研究了激光功率、辐照时间对激光诱导化学局域沉积金属镍的形成过程、微观形貌、厚度分布影响规律,确定了最佳的激光工艺参数.实验所用的镀液主要成分为硫酸镍、氯化铵、次亚磷酸钠,镀液的厚度为15 mm;环氧树脂板经过清洗、活化处理后直接浸入镀液中;Nd∶YAP激光通过聚焦直接照射到基体表面上.实验结果表明:所沉积的金属镍斑的中心厚度和面积随着激光功率、辐照时间的增加而增大,如当功率P=1.1 W,辐照时间t=12 min时,中心厚度d0=45 μm.与普通化学镀相比,其沉积速度高出几十倍,电镜分析结果表明:镍斑表面光滑、颗粒分布均匀.随着激光功率的增大,如P=3.5 W时,沉积速度呈下降趋势;当功率P=4.5 W时,出现凹坑现象,而且镀层较疏松,与基体的结合力差,随着功率的提高,这种现象更加明显,甚至得不到完整的镀斑.因此,在溶液厚度为15 mm时,激光功率为1 W比较适宜.(OE5)     

化学镍金工艺中的镍足控制方法研究

PCB上的线路日趋精细,焊盘间距也在不断缩小。目前,PCB上的最小焊盘间距可以达到0.050 mm。而在这些小间距的焊盘上进行化学镍金处理后,镍足就会从焊盘边缘往外延伸,从而导致渗金短路。分析了镍足变化的主要影响因素,研究了铜箔毛面粗糙度,钯离子吸附和沉镍药水活性对镍足生长的不同作用,总结了减小镍足的若干措施。     

基于钯金复合膜亚波长圆孔阵列的氢气传感器的理论研究

提出了一种基于钯金(Pd/Au)复合膜的亚波长圆孔阵列结构的氢气传感模型,用于氢气泄漏及氢气浓度检测。利用时域有限差分法(finite-difference time-domain, FDTD)对该Pd/Au复合膜亚波长圆孔阵列结构进行模拟仿真,计算其复合膜的横纵截面电场能量分布及透射特性,并进一步分析在不同结构参数下该传感结构的异常光 透射(extraordinary optical transmission,EOT) 特性和传感特性。模拟结果表明:Pd/Au复合膜亚波长圆孔阵列结构可产生明显的EOT效应,形成两个突出的异常透射峰,记作峰Ⅰ、峰Ⅱ。当通入氢气时,钯(Pd)膜会吸收氢气引起Pd介电常数的变化,导致EOT特性发生改变,具体表现为波长和透射率的改变。氢气浓度由0%上升至4%时,峰Ⅰ和峰Ⅱ的透射率变化量分别可达到0.16和0.24。由于其透射率强度变化比较明显,因此可通过透射峰强度变化来实现对氢气浓度的监控和检测。本文所提出的基于Pd/Au复合膜的亚波长圆孔阵列结构的氢气传感器的圆孔结构加工简单,所镀的Pd膜很薄使传感器响应速度快,EOT效应使该结构信噪比(signal-to-noise ratio,SNR) 高,可利用光电集成技术进行批量生产,具有很强的实用价值。