纳米钯材料的制备及其在PCB化学镀铜中的应用

以二水合氯化钯为原料,PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂,抗坏血酸（从）为还原剂,在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL）,透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析,结果显示,在PVP分散剂的作用下,得到的纳米钯为粒径8nm～22nm,无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液,可以减少沉铜的工艺步骤,经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级,通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。     

线路板化学镀铜活化液

非金属化学镀前有不同的活化方法。本文就印制板化学镀铜的活化液性能进行了分析比较，分别讨论了不同类型活化液的性能及其特点。同时提出了适用于印刷板化学镀铜的半导体氧化物活化剂。该活化液成本低廉，配制方法简单，污染少，性能优良。且所得镀层结合力特别强。     

多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结

研究了多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结行为。热重分析（ＴＧＡ）结果表明，在烧结过程中，银／钯内电极浆料发生氧化－还原反应。ＸＲＤ分析表明，由于内电极浆料的氧化－还原反应，在不同的烧成温度下，银／钯内电极具有不同的合金状态。通过计算，可以初步确定内电极的银／钯合金状态和银／钯合金为银／钯比例。这些结果有助于理解多层陶瓷电容器在烧成过程中的银扩散和挥发。     

钯银合金镀层性能

根据接触电阻,抗腐蚀性,耐磨性和微振磨损试验数据表明,电镀的钯银合金对于连接器来说是一种富有生命力的镀层。含40％银的钯银合金镀层比钯或者钯镍合金镀层性能好,成本低。     

厚膜钯银导体超声丝焊性能的改进

在钯银导体浆料配方中采用钯银比为1:10,高温粘结相中加入适量的氧化物和玻璃(粒度小于5μm),银粉和钯粉经化学细化处理(粒度小于5μm,颗粒呈球形),可使钯银导体的金属丝焊性能得到大的改善。     

无机添加剂对多层陶瓷电容器钯银内电极浆料的影响

为了满足多层陶瓷电容器陶瓷介质与钯银内电极浆料烧结一致性要求,研究了无机添加剂纳米BaTiO3和纳米ZrO2对钯银内电极浆料的烧结过程产生的影响。结果表明所用添加剂使MLCC烧结过程中钯银内电极浆料的收缩与陶瓷介质的收缩保持一致。     

低温共烧玻璃陶瓷基板用钯—银浆料试制

本文简要介绍了低温共烧技术的有关情况。给出了低温共烧玻璃陶瓷基板用钯－银浆料配方、制备工艺及钯－银浆料性能。着重讨论钯－银浆料对低温共烧基板成品率的影响和如何减少钯－银导电带方电阻以及提高低温共烧基枝上钯－银的可焊性三个关键问题。     

氧化铝基片对厚膜钯银导体附着力的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中氧化铝基片对钯银导体附着力的影响。试验发现不同厂家或不同批次的氧化铝基片的钯银的附着力有很大的差别，不同的钯银浆料在相同的基片上的附着力也不同。     

从EDTA溶液中电镀银钯合金

本文研究了从合有EDTA,碳酸铵和氨水的碱性溶液中镀取银钯仑金的方法。合金沉积的阴极电位为-0.37V,它介于单位银溶液和单独钯溶液的阴极电位之间。银钯合金沉积属于非正则共沉积,合金层中钯的含量总是小于电镀液中钯的含量。共沉积的钯含量随着镀液的pH值增加或者电流密度的增加而增加,并且,随着镀液温度增加而减少。镀液阴极电流效率大约是70％,与镀液温度无关。它随着pH值增加而提高,随着电流密度的增加而降低。SEM照片表明,合金镀层表面光滑无裂纹并且与基体结合力好。     

银钯内电极与多层陶瓷电容器(MLC)的可靠性

银钯合金广泛用作多层陶瓷电容器的内电极。从一个失效分析实例出发，讨论了不同银钯内电极对多层陶瓷电容器可靠性的不同影响。     

提高金—钯厚膜导体老化结合强度的尝试

<正> 金—钯厚膜导体不如银—钯厚膜导体使用那样广泛。但在有些军用的厚膜线路中拒绝用银,因为已有因银迁移而失效的教训。在这种情况下,采用金—钯导体是最经济的解决办法(1)。但是,钯的存在,钯的氧化—还原性质阻碍了金—钯导体在800℃以下烧结过程中的密度增长。与金—钯导体比较,烧成膜的致密性差(2)。热老化过程中,锡较易往导体     

电子元件使用的贵金属粉末生产技术

介绍了电子元件用高纯超细球形银粉、钯银合金粉的车间生产工艺及其生产线特点，探讨了影响粉末影响形貌的各个因素。用本工艺与设备批量生产的银粉、钯银合金粉完全符合电子元件的使用要求。     

合金化方法抑制银晶须生长的研究

瓷介电容器具有诸多优点而被广泛用于电子电路中,而瓷介电容器引出端金属层会自发生长晶须,晶须的产生会造成电气短路、残屑污染、等离子体电弧放电等问题,对电子行业产生一定风险。本文以瓷介电容器端面银层为研究对象,利用合金化的方法,通过向银中添加一定含量的钯,经充分混合、涂覆、烘干、烧银后置于低气压受热环境下,借助SEM、EDS等方法探究添加钯对银晶须生长的影响。结果表明,通过向银中添加钯不能完全抑制银晶须的生长现象,但钯能够减缓银的迁移速率,延长晶须生长孕育期,在一定程度上能够抑制银晶须的生长。     

从废钯银铜合金中制取超细纯钯粉

采用正交试验法,用较少的试验次数,回收废高强度漆包钯银铜合金线,纯化钯粉的纯度和粒度均达到冶金部YB1705-78标准要求,取得了较好的经济效益。     

Ag-10Pd结构及陶瓷中的电解质对银迁移的影响

研究了以Ag-10Pd混合粉、合金粉和核壳结构粉末分别作为导电相的电极在Al_2O_3陶瓷电路中的银迁移情况,也考察了Al_2O_3陶瓷受不同电解质浸泡对银迁移的影响。结果表明,采用合金化的银钯电极具有最佳的抗银迁移能力,其次是核壳结构的银钯结构电极。银在迁移过程中,负电极首先形成絮状析出物,从负极向正极形成树枝状析出物并逐渐长大成为粗枝和片状。电解质浸泡陶瓷对电极银迁移速度有显著影响,即使经0.01 mmol/L极低浓度的电解质浸泡后,银的迁移速度也会成倍增加。本文为高可靠性电路制造提供重要的电极材料优化方案和电路失效分析的依据。     

化学镀镍在MLC三层端电极中的应用

本文通过置换反应在ＭＬＣ端头银电极上沉积出金属钯，在钯的催化作用下，在ＭＬＣ银砂上可以通过化学镀镍形成一层厚度均匀而且致密的镍磷合金。与电镀相比，化学镀镍工艺简单，对于ＭＬＣ性能的影响较小。     

铜导体已成功地应用于厚膜电路

采用氧化钌电阻和铜导体之间插入银钯焊区的新工艺,获得了较好的阻值稳定性和导带附着力,使铜导体成功应用于厚膜电路。     

金银钯铂等贵金属的回收

概述了回收金、银、钯、铂的基本计量化学反应原理，回收方案，流程以及环保安全等问题，供贵金属回收参考。     

金属烤瓷全冠对患牙牙周可疑致病菌的影响

目的;探讨三种不同金属烤瓷全冠修复体对患牙龈下菌斑中魄、Aa检出率及牙周指数的影响。方法：收集进行镍铬合金烤瓷全冠、钯银合金烤瓷全冠,金合金烤瓷全冠修复的患者各30例,修复后6个月复诊,比较修复前、后患牙龈下菌斑中瞻、Aa检出率及各项牙周指数的差别。结果：镍铬合金烤瓷全冠修复6个月后患牙PD、SBI增大（P〈0．05）,PLI与修复前无差别（P〉0．05）。钯银合金烤瓷全冠、金合金烤瓷全冠修复6个月后PD增大（P〈0．05）,PLI、SBI均与修复前无差别（P〉0．05）。镍铬合金烤瓷全冠修复后患牙龈下菌斑中如检出率升高,Aa检出率无改变,钯银合金烤瓷全冠、金合金烤瓷全冠修复前、后取、Aa检出率无改变。结论;钯银合金烤瓷全冠、金合金烤瓷全冠修复对患牙牙周指数、龈下菌斑中Pg,Aa检出率影响不明显。     

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物（IMC）层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。