一种斩波失调稳定仪表放大器的研究与设计

采用斩波失调稳定技术设计了一种包括辅助运放和主放大器的仪表放大器.辅助运放采用内置解调器结构,形成低噪声和低失调电压来调节主运放的噪声和失调,使输出极点成为主极点,无需低通滤波器.仪表放大器的带宽由主运放决定.本电路采用TSMC 0.35μm 5 V混合信号工艺设计,利用Cadence公司Spectre进行仿真.结果表明,电路开环增益达87.3 dB,增益带宽积12MHz,共模抑制比可达117 dB.     

射频宽带放大器设计

基于VCA821射频的宽带放大器设计,系统前级使用射频LNA作为前级低噪声放大器,中间级使用压控线性增益放大器VCA821,最后一级使用两片OPA695增加整体增益倍数与提高输出幅度能力。其增益可控范围为0~60dB,-3dB的截止频率约为100kHz~100MHz左右,通带内增益起伏很小,在1MHz~80MHz的频带内增益起伏不超过1d B,输入电压有效值小于20mV,通频带内最大输出正弦波电压有效值大于1V。     

基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计

基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。     

超宽带信号低噪放大电路的设计与实现

本文设计了一个应用于超宽带穿墙探测雷达系统中的低噪声放大电路.放大器选用BFP420晶体管,采用两级级联反馈式的设计原理,工作频段为100MHz～1.8GHz,增益约为23.6dB,噪声系数小于1.5dB,对脉冲信号的放大效果良好.     

宽带低噪声放大器的设计

探讨了使用S参数设计低噪声放大器(LNA)的方法。设计采用了PHEMT晶体管(ATF-35143)。设计过程首先从等效集总元件电路模型设计入手,然后对如何提高电路稳定性,降低噪声系数等方面进行了探讨,最后给出了工作带宽为1650M~2350M,增益G>29dB,增益平坦度GF±1dB,噪声系数NF<0.8dB的两级低噪声放大器的电路仿真结果。     

一种噪声优化的900MHz低噪声放大器设计

设计了一种900MHz的低噪声放大器,采用新的优化方法,同时获得了功率匹配和噪声匹配,在工作电流3．4mA时,得到了0．2dB的噪声系数,20dB的增益以及良好的隔离度和线性度。     

基于ADS的ku波段线性低噪声放大器的设计

主要介绍了宽带低噪声放大器的设计理论及用安捷伦公司的ADS仿真软件进行Ku波段（10.8~12.7 GHz）放大器的设计和仿真。在设计的过程中选择了Hittite Microwave公司的HMC564LC4芯片和安华高的AMMP-6408芯片,其噪声系数更低,增益和工作频率更高。使用微带线进行电路匹配,最终仿真结果：增益平坦度小于1 dB,增益大于30 dB,噪声系数小于2 dB。     

一种射频CMOS低噪声放大器的设计

应用TSMC0.35um CMOS工艺模型,设计了可应用于无线通信系统的低噪声放大器(LNA),电路采用单端共源共栅结构,用SmartSpice对电路进行分析优化,仿真结果表明,噪声系数为1.65dB,增益高于20dB。     

应用于北斗卫星通信系统的低噪声放大器设计

北斗卫星导航系统由我国自主研发,其研制目的是为了在日益严峻的世界环境下巩固我国的军事实力。北斗射频接收芯片是北斗卫星导航系统中整个地面端设备的核心,因此,关于射频接收机芯片的研发工作具有十分重要且实际的意义。文中在基于窄带低噪声放大器理论的基础上,采用TSMC0．18μmCMOS工艺设计了一种应用于北斗通信系统中的低噪声放大器。放大器采用改进的单转双电路结构,并通过缓冲级电路对差分信号的幅度和相位偏差进行了有效的校正。实验结果表明该电路在2．45GHz-2．55GHz频带内输入回波损耗小于-28dB,噪声系数小于1．1dB,功率增益大于15dB,电压增益高于32dB。     

宽带直流放大器的设计

该文以AVRmega16单片机作为控制核心,通过控制12位D/A对AD603实现增益可控放大,设计了一个在0~5MHz频带内,增益0~40dB连续自动可调、增益波动小于1dB、在50Ω负载输出最大电压达22V的宽带直流放大器。     

基于小信号S参数的MOSFET射频功率放大器设计

介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器.在工作频段内,功率放大器增益大于23 dB,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 dB.实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值.     

一种微弱信号的宽带程控高增益放大器设计

本文设计并制作了0～15 MHz带宽的宽带放大器,放大器可放大不低于1 mV的有效值信号,增益0～80 dB预设或手动可调,最大输出电压峰峰值为42 V,在通频带范围内起伏增益1 dB左右,放大器在增益为60 dB的时候,输出噪声电压的峰-峰值为200 mV,通过单片机控制可以实现电压增益和放大器的带宽可预置并显示的功...     

A straightforward design technique for narrowband multi‐stage low‐noise amplifiers with I/O conjugate match

Low‐noise amplifier (LNA) designers often struggle to simultaneously satisfy gain, noise, stability, and I/O matching requirements. In this article, a novel design technique, tailored for two‐stage low‐noise amplifiers, is presented. The proposed design method is completely deterministic and exploits inductive source degeneration to obtain a two‐stage LNA featuring perfect input and output match together with low noise figure (NF) and a pre‐determined gain, including stability analysis. A novel flowchart is provided together with the corresponding design chart that contains gain, matching, and stability information, therefore addressing all key figures‐of‐merit of a linear amplifier. The design chart is easily implementable in commercial Electronic Design Automation software, to aid designers in the difficult task of selecting the appropriate source degeneration inductor value. The noise performance, on the other hand, is the best possible since the matching networks are designed to provide the input of the two Field Effect Transistors with the optimum termination for noise. The design method is validated with two separate test vehicles operating respectively at Ka‐band (26.5‐31.5 GHz) and K‐band (20.0‐24.0 GHz). The realized Monolithic Microwave Integrated Circuits exhibit 18 dB gain for both versions, NF of 1.5 and 1.2 dB, respectively for the Ka‐band and K‐band version. Input and output matching are typically better than 12 and 15 dB.     

适用于WLAN接收机的高线性电流模式混频器设计

针对无线局域网接收机对低成本和线性度的定制化需求,设计了一款适用于IEEE 802.11 b/g/n/ax标准WLAN接收机的高线性度电流模式混频器;采用零中频接收机架构,电流模式混频器的电路结构主要包括跨导级放大器,混频开关级和跨阻放大器;通过跨导级两种工作状态的转换和跨阻放大器反馈电阻的两种取值变化实现了混频器的四档增益可调;混频开关级选用双平衡无源混频电路以提供良好的线性度;为了解决零中频接收机存在的直流失调问题,加入了一种电流注入式的直流失调校准电路,进一步提高了混频器的线性度;对跨阻放大器中的跨导运算放大器电路进行优化设计以提高其带宽,使跨阻放大器的输入阻抗足够小以保证混频器的线性度;基于180 nm RF CMOS工艺,借助Cadence软件对混频器进行仿真:当本振频率为2.4GHz时,四档增益分别为38dB、32dB、27dB和21dB,中频带宽可达20MHz;噪声系数在高增益的情况下为8.46dB,输入三阶交调点在低增益的情况下可达13.72dBm;仿真结果表明,在较宽的中频带宽下,电流模式混频器取得了良好的线性度性能,满足WLAN接收机的定制化需求。     

3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,...     

HTS filter subsystem for future mobile communication system

A high-temperature superconducting （HTS） filter subsystem consisting of a 10-pole HTS filter with group delay self-equalization, a cryogenic low noise amplifier （LNA）, and a cooling device is presented in this paper. The HTS filter has a 0.51% fractional bandwidth at 1955 MHz, simulated in Sonnet, and is fabricated using double-sided TI2Ba2CaCu208 films on 0.5 mm thick LaAIO3 substrate. Measured responses show that the minimum insertion loss of the filter is 0.16 dB, and the out-of-band rejection is better than 75 dB. The slope is 27 dB MHz^-1 at the low band edge and 22 dB MHz-1 at the upper band edge. The HTS filter subsystem has a gain of 19.3 dB and a noise figure （NF） of 0.8 dB. Furthermore, the phase distortion of HTS filters is considered, and an efficient design approach for self-equalized HTS filters is proposed.     

一种13bit 40MS/s采样保持电路设计

设计了一个用于13bit40MS/s流水线ADC中的采样保持电路。该电路采用电容翻转结构,主运算放大器采用增益提高型折叠式共源共栅结构,以满足高速和高精度的要求。为减小与输入信号相关的非线性失真以获得良好的线性度,采用栅压自举开关。采用电源电压为3.3V的TSMC0.18μm工艺对电路进行设计和仿真,仿真结果表明,在40MHz的采样频率下,采用保持电路的SNDR达到84.8dB,SFDR达到92dB。     

激光测速雷达射频前端仿真设计

根据相干激光测速雷达系统对信号采集前端的要求,确定了适用于激光测速雷达系统的射频前端系统,并采用自顶向下的设计方法,借助Agilent公司的ADS2008软件,设计了中心频率为55 MHz,工作带宽为22 MHz,增益在50 dB以上,噪声小于2 dB的射频前端,重点对低噪声放大器(LNA)、抗混叠滤波器和自动增益控制系统(AGC)进行了设计、仿真及优化。     

Five‐order narrow‐band tunable superconducting filter

This article designed a five‐order narrow‐band tunable superconducting filter. The superconducting microstrip circuit was loaded by varactors diode. The center frequency of the tunable can be tuned through the changing of the bias voltage added in the varactors diode. The whole device has a parallel coupling structure and the filter circuit was fabricated by DyBa₂Cu₃O₇ superconducting film with 0.5 mm thickness and 2 in. LaAlO₃ as the substrate. The frequency can be continuously adjusted from 235 MHz to 250 MHz. The insertion loss of the filter was in the range of 2.51 dB to 9.64 dB. The bandwidth of the tunable filter was in the range of 0.5 MHz to 0.9 MHz. The out‐of‐band rejection was better than 70 dB. The measured results are in good agreement with the simulated ones.