存贮器系统

<正> 3.1 概述 DJS 186计算机采用高速缓冲存贮器来提高对中央处理机对主存系统的访问速率。从功     

集成联想存贮器系统

联想元件 联想存贮器单元电路示于图1。字线通常保持在+1V,位线保持于+0.5V,使其在字线上无电流。如果D_a上升到+3V,T_1饱和,则流入D_a的电流转入字线。如果T_2饱和,D_a电压升高,则无电流流入字线。电流的有     

高性能LSI存贮器系统

已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位     

低功率的计算机存贮器系统

引言 宇宙航行的关键技术之一是电源功率。降低功率要求以及改进电源本身的重要性日益强调。在现今的宇宙航行计算机中,存贮器系统的功率消耗约占计算机总功耗的40％到60％。这主要是由于目前磁芯存贮器大的驱动要求,或是与磁薄膜存贮器相关的读出问题所致。所以,降低存贮器的功率要求,对于延长有效的航行时间具有重大的影响。     

磁鼓存贮器的高速开关系统

本文描述了一个选通时间小于1微秒的磁鼓存储器的内磁道选通系统。详细地介绍了线路并讨论了把选通时间减小到0.1微秒的可能性。     

兆位半导体存贮器系统的设计

引言 本文描述一台取数时间为250毫微秒、周期时间为400毫微秒的32,768字×36位的读/写存贮系统。 存贮系统的存贮阵列以MOS工艺为基础,接口电路以双极工艺为基础。按功能设计的带内部译码的存贮阵列芯片使外部连接数目减到最少,因而整个系统的可靠性大大提高。整个系统的平均功耗,包括全部外围电路的功耗,保持在大约每位0.4毫瓦。系统以包含102个微型组件的插件结构为基础,每个组件的最大功耗为600毫瓦。     

双极型存贮器系统取数时间分析

本文对存贮器系统取数时间的因素进行了分析,其中包括:对ECL RAM组件地址取数时间的分析;对RAM组件地址取数时间典型值的分析;对RAM组件地址取数时间最大值的分析。文章还介绍了容量、字长、集成度以及微带线的传输延迟等对系统取数时间的影响。图8幅,表3个。     

存贮器的发展与新型存贮器介绍

本文回顾了近年来存贮器件的发展概况及趋势,简要地介绍了 Flash 非易失存贮器,NVRAM、Cache 产品以及 Latch RAM 等新型的专用存贮器件。文中还介绍了 IC 芯片技术发展所遇到的一些基本极限,讨论了存贮器技术的发展方向。     

双极型高速存贮器系统的应用

前言 对计算机系统高速化的要求越来越高,最近研制的超大型计算机,速度方面正在越过毫微秒级界限,向微微秒级进展。 FACOM M-200计算机是世界上实际使用的水平最高的超大型通用计算机。这台计算机全面采用高速LSI以及各种先进的控制,是为追求高性能而研制的机器。 可达到高性能的技术之一是采用高速缓冲     

动态存贮器构成的68000存贮系统

支持68000的最大存贮容量为16M字节,已在各方面有所应用,但大部使用的是静态存贮器(SRAM)。若用动态存贮器(DRAM)构成一个存贮系统,则具有体积小、功耗少、成本低、性能价格比好的特点,为人们所注意。但与静态存贮器相比,必须在线路上安排定期进行刷新。这类刷新的电路尽管各自特点不同,但统属二种类型,一类是由 TTL 门构成的,另一类是由 DRAM 控制器构成的。本文就这二类问题作个初步探讨。     

虚拟存贮器与变换存贮器的区别

二种扩大计算机存贮器容量的方法,其名称常被混淆。这是二种完全不同的方法,各有优点和缺点 许多计算机使用者、销售者甚至分析者,对“变换存贮器”和“虚拟存贮器”就象附属于计算机的其它器件一样,常相混淆。不明确的地方在于这二种存贮器各做些什么工作和如何区别。许多厂把变换存贮器说成虚拟存贮器,是并不奇怪的,因这二种设计一般都包含变换的概念。     

新型半永久存贮器金属卡片存贮器

日本电气通信研究所为电子交换机的需要,研制了一种采用新原理的随机取数半永久存贮器——金属卡片存贮器。该种存贮器主要构成部分是作为存贮媒介体的金属卡片和由具有为数很多读取线圈的印制线圈板迭成的存贮体。情极信息的记录决定于金属卡片某位置上有无圆孔,信息的读出借助于线圈间的高频电磁耦合。在金属卡片上有孔和无孔的地方电磁耦合差值很大。     

磁泡存贮器

目前,在计算机系统特别是微型机系统中半导体存贮器芯片应用得非常广泛,但当国外研究出了磁泡存贮器后,许多人开始怀疑半导体存贮器芯片将来会不会被淘汰。磁泡存贮器是贝尔实验室研究出来的,目前多用正铁氧体、石榴石型铁氧体等材料制造。这些单晶强磁性薄膜或多晶台金磁膜在外加磁场作用下产生许多磁泡。磁泡在电路的控制下按规定方式移动形成存贮器件,其存贮密度可达1.6×10~5位/平方毫米。1979年,得克萨斯仪器公司、富士通、英特尔、洛克韦尔等公司就开始使用了磁泡存贮器,因这种存贮器很有前途,所以有许     

存贮器系统设计

引言 每个计算系统都有信息存取系统(hiera-rchy),即便是简单的计算机也采用一种由内寄存器和键控数据输入的外寄存器组成的两级存取系统,在典型的计算系统中人们还可以看到一种多级的存取系统,它里面有操作寄存器,随机存取主存贮器,直接存取装置,按序存取     

磁泡存贮器用于微机应用系统的探讨

目前,微机已广泛地应用于各个领城,在研制微机应用系统特别是在研制适于恶劣环境的微机应用系统时,迫待解决的一个主要问题是选择一个比较理想的半固定存贮器用于存放数据、修正数据、校正数据,用以记录有关应用系统工作状况的统计数据等。理想的半固定存贮器应是信息能够重复使用、能够变换,且有信息非易失性,即电源断,信息不丢。同时还应有一定的存贮容量,存取速度,一定的工作温度范围,并坚固耐用,易于加固。而现今常用的存贮器,不论是半导体存贮器(RAM,ROM),还是磁性机械存贮装置(磁盘,磁带),都不够理想,尤其是在恶劣环境     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

巨型存贮器件

在国际固态电路会议上,首次展出了1/4兆位的动态随机存贮器件(RAM)和64K位的静态随机存贮器件。东京的日本电气株式公社—东芝(NEC—Toshiba)信息系统公司和日本电信电话公社—武野藏(NTT—Musashino)电气通讯实验室都提供了256K×1位的动态RAM。NEC片子的存取时间为160毫微秒,周期350毫微秒。而NTT的存贮器用钼加速信号传