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利用掺锡氧化铟(ITO)靶和Ta2O5靶双靶共溅法制备了氧化铟锡钽(ITTO)薄膜,研究了在不同衬底温度和退火温度下ITTO薄膜的微结构和光电性能。ITTO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,不同的处理过程导致了晶面择优取向的转变。室温下制备的ITTO薄膜展示了较好的光电性能,提高衬底温度和合理的退火处理可以显著地提高薄膜的光电特性。载流子浓度对于近红外反射、近紫外吸收和光学禁带宽度具有重要的影响。ITTO薄膜具有较宽的光学禁带宽度。在优化制备条件下,可以获得方阻10~20Ω/□、可见光透过率大于85%以及光学禁带宽度大于4.0eV的ITTO薄膜。 相似文献
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过去,鲜有Zr掺杂氧化铟锡(ITO)薄膜电学稳定性及耐蚀性的研究报道。采用磁控溅射法制备了ITO薄膜和Zr掺杂ITO薄膜(ITO:Zr),研究了2种薄膜的微观结构、光电性能及其在3种模拟腐蚀环境(酸性、海洋、工业)腐蚀液中的电学稳定性及耐腐蚀性。结果表明:Zr的掺杂导致了ITO薄膜择优取向向(400)晶面转变,ITO:Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的光电性能;2种薄膜在3种环境介质中都能发生自钝化,在工业环境中具有最好的耐腐蚀性能;ITO:Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的电学稳定性和耐腐蚀性。 相似文献
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用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作ITO膜及其性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜,需要在低温及无损伤(即避免离子轰击及热损伤等)情况下进行.为满足此要求,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究;对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测.最后,在PI衬底上获得高质量ITO膜,其可见光透过率超过90%,电阻率低于5×10-4 Ω*cm. 相似文献
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衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加. 相似文献
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为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移". 相似文献
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本文研究了ITO纳米晶合成中不同羧酸对产物的形貌的影响。采用简便的“一锅法”,在反应体系中采用直链的正辛酸盐或具有支链结构的2一乙基己酸盐,可以分别得到单分散性较好的球状纳米晶(7.6nm±1.9nm)和纳米花(18.3±2.1nm)。我们认为这是由于反应前驱体具有不同的反应活性,并通过红外实验对这一想法进行了验证。我... 相似文献
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ITO薄膜的透射谱解谱 总被引:1,自引:1,他引:0
用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130hm左右的ITO薄膜,分别在100、200、300和400℃下退火lho测量了退火前后几个样品的XRD和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱,结果表明,未退火样品'为非晶结构,退火后为多晶结构;退火温度在300℃以下的样品,随着退火温度的升高其n和k值都有明显的降低,退火温度为400℃的样品n和k值却有所增大.利用吸收系数得到了几个样品的直接带隙,其变化范围在3.7eV一3.9eV之间. 相似文献
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