反应磁控溅射法制备氧化铟锡钽薄膜

利用掺锡氧化铟(ITO)靶和Ta2O5靶双靶共溅法制备了氧化铟锡钽(ITTO)薄膜,研究了在不同衬底温度和退火温度下ITTO薄膜的微结构和光电性能。ITTO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,不同的处理过程导致了晶面择优取向的转变。室温下制备的ITTO薄膜展示了较好的光电性能,提高衬底温度和合理的退火处理可以显著地提高薄膜的光电特性。载流子浓度对于近红外反射、近紫外吸收和光学禁带宽度具有重要的影响。ITTO薄膜具有较宽的光学禁带宽度。在优化制备条件下,可以获得方阻10～20Ω/□、可见光透过率大于85%以及光学禁带宽度大于4.0eV的ITTO薄膜。     

磁控溅射Zr掺杂ITO薄膜在3种模拟腐蚀环境中的电学稳定性和耐腐蚀性

过去,鲜有Zr掺杂氧化铟锡（ITO）薄膜电学稳定性及耐蚀性的研究报道。采用磁控溅射法制备了ITO薄膜和Zr掺杂ITO薄膜（ITO：Zr）,研究了2种薄膜的微观结构、光电性能及其在3种模拟腐蚀环境（酸性、海洋、工业）腐蚀液中的电学稳定性及耐腐蚀性。结果表明：Zr的掺杂导致了ITO薄膜择优取向向（400）晶面转变,ITO：Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的光电性能;2种薄膜在3种环境介质中都能发生自钝化,在工业环境中具有最好的耐腐蚀性能;ITO：Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的电学稳定性和耐腐蚀性。     

用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作ITO膜及其性能研究

在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜,需要在低温及无损伤(即避免离子轰击及热损伤等)情况下进行.为满足此要求,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究;对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测.最后,在PI衬底上获得高质量ITO膜,其可见光透过率超过90%,电阻率低于5×10-4 Ω*cm.     

衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在＞100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度＞100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加.     

氢稀释比与衬底温度对硅基薄膜相变及其光电性能影响的研究

采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积法(HWAMWECR-CVD),通过改变衬底温度及氢稀释比制备了系列硅基薄膜,研究了衬底温度及氢稀释比对薄膜由非晶相转晶相相变及其光电性能的影响。研究结果表明,当采用低温制备硅基薄膜时,衬底温度和氢稀释比的提高都有利于非晶相向晶相的转变,但提高氢稀释比对相变的影响更为显著;晶化比越高并不代表薄膜光电性能越好,95%氢稀释比条件下制备的微晶硅薄膜具有优良的光电性能。     

柔性ITO衬底上铜酞菁薄膜有序生长的X射线衍射研究

采用石英晶体微天平实时监测薄膜生长速率,通过控制衬底温度与薄膜生长速率,在柔性ITO导电衬底上真空蒸发沉积了铜酞菁薄膜.X射线衍射分析表明,适当提高衬底温度与薄膜生长速率,可促进薄膜的有序生长.当衬底温度为90℃,生长速率为10nm/min时,薄膜的有序度最高,薄膜晶型呈(相和(200)晶面.     

偏压对ITO薄膜生长模式和光电性能的影响

为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移".     

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.     

热处理气氛对ZnO透明导电膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法、在空气、Ar气、H2气中热处理制备Al3+、F-掺杂的致密ZnO薄膜.利用XRD、SEM、分光光度计和四探针测试仪对薄膜性质进行表征.研究表明,强还原性H2气处理促进了薄膜晶界中吸附氧的解吸,减少了晶界处缺陷数目,有利于薄膜晶化程度和载流子浓度提高,所制得掺杂ZnO薄膜最低方阻为10Ω/□,在可见光范围内的达透射率在可达90%以上,性能接近ITO导电薄膜.     

铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究

采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5～5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。     

铟锡氧化物陶瓷靶的制备

研究了铟锡氧化物(ITO)粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响.结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下具有体心立方In2O3结构,1100℃退火后由In2O3和SnO2两相组成;ITO粉末经过喷雾造粒后,形成了实心球形颗粒并具有合理的颗粒级配,通过气氛烧结可以制备出高密度优良的ITO...     

废弃氧化铟锡中铟的回收技术综述

废弃氧化铟锡(ITO)的回收利用对我国铟资源的可持续发展与环境保护具有重要意义。本文首先对废弃ITO的回收潜能进行了初步评估;进而系统概述了废弃ITO回收技术的研究进展,回收工艺主要包括湿法与火法,分析比较了现有回收技术的优缺点;在此基础上,指出了当前废弃ITO资源化处理过程中存在的主要问题及相应的解决对策;最后展望了废弃ITO资源化利用未来的研究趋势,开发高效、环境友好型回收工艺是今后重要的研究课题。     

铟锡氧（ITO）纳米晶的可控合成

本文研究了ITO纳米晶合成中不同羧酸对产物的形貌的影响。采用简便的“一锅法”,在反应体系中采用直链的正辛酸盐或具有支链结构的2一乙基己酸盐,可以分别得到单分散性较好的球状纳米晶（7．6nm±1．9nm）和纳米花（18．3±2．1nm）。我们认为这是由于反应前驱体具有不同的反应活性,并通过红外实验对这一想法进行了验证。我...     

退火处理对铟锡氧化物粉末的影响

对两种不同比表面积(BET)的铟锡氧化物(ITO)纳米粉末进行退火处理,研究和比较了温度对两种粉末微观组织和结构的影响,并对这两种粉末烧结的靶材进行了比较。结果表明,在800～1500℃进行不同温度的退火处理后,在1200℃以上,两种比表面积的ITO粉末粒径增长显著,颗粒之间出现了相互合并和结合长大现象,而高BET粉末的粒径增加幅度比低BET粉末的更大;在1525℃烧结后,用高BET粉末烧成的靶材的晶粒和气孔尺寸更大,气孔数量也更多。     

ITO薄膜的透射谱解谱

用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130hm左右的ITO薄膜,分别在100、200、300和400℃下退火lho测量了退火前后几个样品的XRD和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱,结果表明,未退火样品'为非晶结构,退火后为多晶结构;退火温度在300℃以下的样品,随着退火温度的升高其n和k值都有明显的降低,退火温度为400℃的样品n和k值却有所增大.利用吸收系数得到了几个样品的直接带隙,其变化范围在3.7eV一3.9eV之间.     

塑料基体低温沉积ITO薄膜的研究

综述了塑料基体低温沉积ITO薄膜国内外的最新研究现状,并指出了现在存在的问题,认为实现低温沉积、保证薄膜的光电性能和改善薄膜表面质量是3个关键技术.同时结合自己的研究工作,提出了相应的解决方法和建议.