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本文发展了一种简明的氢化非晶硅局域态电荷密度统一模型。从a-Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发,采用Shockley-Read-Hall统计描述,推导出局域态电荷密度统一的解析表达式,该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。 相似文献
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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:H TFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:H TFT静态特性的影响明显增大,本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:H TFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致。 相似文献
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非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性. 相似文献
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王广民 《固体电子学研究与进展》1996,16(1):44-47
报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0.7eV处的带隙态密度从4×1016cm-3eV-1,增大到1×1017cm-3eV-1。 相似文献
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采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。 相似文献
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a—SiNx:H薄膜对a—Si:H TFT阈值电压的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了测定a-Si:HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a-SiNx:H薄膜淀积时反应气体NH3/SiH4流速比以及a-SiNx:H膜厚对a-Si:HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明:a-Si:HTFT的阈值电压随a-SiNx:H的膜厚增加而增大;增大X-SiNx:H薄膜淀积时NH3/SiH4气体流速比,可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 相似文献
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XIONG Zhibin WANG Chang''''an XU Zhongyang ZOU Xuemei ZHAO Bofang DAI Yongbing WAN Xinheng 《半导体光子学与技术》1997,(4)
DependenceofThresholdVoltageofa-Si:HTFTona-SiNx:HFilm①XIONGZhibin,WANGChang’an,XUZhongyang,ZOUXuemei,ZHAOBofang,DAIYongbing,W... 相似文献
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N/A 《半导体光子学与技术》1997,3(4):290-295
The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiNx:H)films is investigated.It is observed that the threshold voltage,Vth,of a-Si:HTFT increases with the increase of the thickness of a-SiNx:H film,and the threshold voltage is reduced apparently with the increase of NH3/SiH4 gas flow rate ratio. 相似文献
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本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
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a—Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对a:Si:H TFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ta2O5/a-SiNx双绝缘层的制备技术,提出了一种新的双有源层结构a-Si:H TFT来降低背光源对器件特性的影响,研制的a-Si:H TFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。 相似文献
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PECVD a—Si:H薄膜对TFT有源矩阵性能的影响及其淀积工艺研究 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了a-Si:HTFT有源层──a-Si:H薄膜质量和厚度对于a-Si:HTFT关键性指标(通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率)的影响,深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si:H薄膜组分、结构的影响,并在实验的基础上给出了它们之间的关系曲线,确定了最佳淀积工艺参数,从而获得了高性能的7.5cm372×276象素a-Si:HTFT有源矩阵。 相似文献
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本文介绍了 C_yF_(14)+ O_2等离子刻蚀 a=Si:H/a-C:H 超晶格的工艺原理及方法,简便可行. 相似文献
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Hai Yuhan Hai Hao Xi Zhonghe Zhang Qiang 《电子科学学刊(英文版)》1999,16(1):81-87
The photocurrent-voltage characteristics and photoelectric sensitivity of a-Si:H samples with slit and comb electrodes are measured. A method for calculating the charge intensifying gain from the photoelectric sensitivity is proposed. The obtained charge intensifying gain of a-Si:H under an electric field of 105 V/cm through this method is as high as 4.3×103. The generation process of the charge intensification effect in a-Si:H is discussed on the basis of the energy level diagram. And the product of electron's mobility and its lifetime is calculated from the measured values of the gains. 相似文献