Doublet replié actif à large bande à la réception (Transistor-fed thick folded dipole with large bandwidth at reception)

On présente un doublet replié actif de faibles dimensions fonctionnant à la réception de 300 à 1400 MHz. Le transistor permet l'adaptation de l'impédance de sortie; l'impédance de rayonnement de l'élément passif est déterminé pour assurer une sensibilité correcte à la réception. A small active folded dipole used for reception between 300 and 1400 MHz is presented. The output impedance is matched by a transistor and the folded-dipole radiation impedance is determined to allow good sensitivity to the reception of weak signals.     

Utilisation de diodes Schottky comme détecteurs et mélangeurs à 30 THz (Using a Schottky diode in detecting and mixing at 30 THz)

La note décrit les résultats préliminaires obtenus avec des diodes Schottky utilisées comme mélangeuses dans la région des 10.6 ?m. Le battement entre deux lasers à CO2 a été observé ainsi que des effets de directivité et l'influence de la polarisation de la diode. à 10.6 ?m une sensibilité de la détection de 1 V/W a été obtenue. The letter describes preliminary results on Schottky diode mixers at 10.6 ?m. We observed the beat note between two CO2 radiation lasers. The detection dependence is reported with respect to the directivity and the d.c.bias. A sensitivity of 1 V/W was obtained at 10.6 ?m.     

Un resultat sur l'application de procédés limites de synthèse à des fonctions booléennes (Result of limited synthesis procedures applied to switching)

Lors de l'essai de synthèse d'une fonction Booléenne par une méthode qui ne permet pas d'atteindre toutes les fonctions complètes, la probabilité de succés est plus élevée si la fonction est quelconque (et, en particulier, incomplète) que si elle est complète. On donne ici une limite inférieure du gain moyen. When it is attempted to synthetise a switching function by a given limited method, i.e. one which does not generate all the complete functions, the probability of success is greater on any functions, complete or not, than on a complete one. The letter gives a lower bound on the average gain.     

Influence de la réduction de mobilite due au champ transversal sur les caractéristiques des transistors m.o.s. (Influence on the characteristics of m.o.s. transistors of the mobility reduction due to a transverse electric field

La lettre analyse l'effet de la réduction de mobilité des porteurs, sous l'action du champ transversal, surles caractéristiques des transistors m.o.s. On y détermine l'expression du courant de drain en utilisant une dépendence hyperbolique entre la mobilité et le champ transversal. Cette expression est en bonne concordance avec les résultats expérimentaux. Les méthodes de détermination des parametrés intervenant dans la relation IO(VG.VD) sont exposees. The letter deals with the effect of the reduction of the carrier mobility on the characteristics of an m.o.s. transistor when a transverse field is applied. The expression for the drain current is developed by the use of a hyperbolic relation between the mobility and the transverse field, and gives good agreement with the experiment. The determination of the parameters used in the IO(VG.VD) relation is presented.     

Numerical simulation of cruiser or aircraft lightning (Simulation numerique du foudroiement d'un croiseur ou d'un avion)

Ship and aircraft manufacture requires modern technologies based on composite materials, which increases the vulnerability of electronic equipment subjected to an electromagnetic pulse (EMP). The use of a 3D finite-difference method to simulate a natural EMP, such as lightning, is limited by excessive CPU time. Improvements are introduced to described these phenomena using large computation time windows with reduced CPU cost. Numerical results are given when the hull of a cruiser is subjected to lightning. Les bateaux et les avions, fabriqués avec des technologies modernes basées sur des matériaux composites résistants ou faiblement conducteurs, deviennent de plus en plus vulnérables aux impulsions électromagnétiques (IEM). L'utilisation d'une méthode aux différences finies à trois dimensions, dans la simulation des IEM d'origine naturelle telles que la foudre, est limitée par un temps de calcul élevé. Les améliorations, qui sont présentées, permettent de décrire ces phénomènes sur de larges fenêtres de temps tout en réduisant les co?ts de calcul. Les résultats numeriques proposés sont obtenus dans le cas du foudroiement d'une caréne de croiseur.     

Sur une formulation unifiée des mécanismes de focalisation et de défocalisation dans les transistors plans (Generalised approach of pinch-in and crowding effects in planar transistors

On montre quc I'analyse du mécanisme de focalisation dans les transistors plans, qui intervient en régime d'avalanche, conduit à une formulation générale des effets bidimensionnels induits par la résistance répartie de base, indépendamment de I'origine et du sens du courant base. Les résultats sont expérimentalement confirmés. An analysis of pinch-in effect in planar transistors for reverse base-current drive conditions is presented. This analysis leads to a general formulation of base-bias effects due to the flow of the forward as well as the reverse base current. An experimental proof is added.     

Le maillage parallélipipédique et le changement de maille dans la méthode TLM en 3 dimensions (Parallelipiped meshing and mesh change in the 3D TLM method)

La théorie des mailles parallélipipédiques et du changement de maille dans la méthode TLM est exposée. Des résultats sont donnés pour des structures fin-line en cavité. Le temps de calcul est réduit dans un rapport considérable pour de nombreux problèmes. The letter shows how the introduction of parallelepiped meshes and a variable-size mesh into the original three-dimensional TLM method leads to a dramatic reduction of the CPU time needed. The theoretical aspects of these modifications are given, as well as some numerical results obtained for `fin-line? structures in a cavity.     

Low-frequency noise in GaAs Schottky-gate f.e.t.s.

Measurements of the low-frequency noise in GaAs Schotty-gate f.e.t. channels have been performed from 10 Hz to 0.5 MHz between ?120 and +21 °C. Diffusion and recombination noise sources appear to be predominant at low temperatures for low-power-level conditions. Nous avons entrepris la mesure du bruit basse fréquence prenant naissance dans le canal des f.e.t. à l'arséniure de gallium pour des fréquences allant de 10 Hz à 0. 5 MHz et une température comprise entre ?120 et +21 °C. Nous avons mis en évidence que pour de faibles puissances dissipées les sources de bruit principales à basse température ont pour origine des phénomènes de diffusion et de génération recombinaison.     

Realisation materielle des reseaux de Pétri generalises (Hardware implementation of generalised Petri nets)

Cette lettre présente une réalisation matérielle des réseaux de Pétri généralisés. On considère ici des réseaux bornés dont les arcs entre places et transitions et transitions et places sont pondérés par des entiers positifs, et dont lea transitions peuvent être étiquetées. This letter describes a hardware implementation of generalized Petri nets. Bounded nets with arcs having positive integer weights and with labelled transitions are considered.     

Antenne spirales équiangulaires planes à réflecteur conique (Plane equiangular 4-arm spiral antenna with conical reflector)

On présente une étude expérimentale des principales caractéristiques de rayonnement d'une antenne à quatre spirales équiangulaires planes disposées au-dessus d'un réflecteur conique dont on fait varier l'angle au sommet. Un compromis entre gain et bande passante a été trouvé. We present experimental work giving the radiation characteristics of a plane equiangular four-arm spiral antenna with a conical reflector whose cone angle is varied. A compromise between gain and bandwidth is given.     

Arbitre N-utilisateurs, une ressource, programmable. One-step N-user programmable arbiter

Cette lettre décrit un arbitre n-utilisateurs une-ressource pour lequel la stratégie d'arbitrage est programmable. Sa conception synchrone en fait un circuit facile à intégrer en un seul boitier, et donc bien adapté à des structures multimicroprocesseurs. In this letter, an n-user one-step programmable arbiter is described. Priority rules are defined and programmed by the designer. It is designed as a synchronous machine, and as a consequence it can be easily integrated on a chip and used in multimicroprocessor structures.     

Détermination directe des vitesses de phase et de groupe dans les lignes microondes par la méthode TLM (Direct determination of phase and group velocities in microlines by the TLM method)

La méthode TLM permet d'agir sur l'excitation dans lea lignes. Les vitesses de phase sont déterminées en s'approchant du synchronisme entre l'excitation et les modes existants. La vitesse de groupe est déduite de la modulation de fréquence créée par variation des dimensions de la structure. L'accès à ces grandeurs réduit notablement les temps calcul. The TLM method permits modification of the excitation of modes in microlines. This property gives us access to phase velocities by synchronisation of excitation and propagating modes. Producing frequency modulation by variation of geometrical dimensions, the group velocities are deduced. Theoretical aspects and numerical results are given.     

Self-healing hulls [update]

Among the claims to fame of Switzerland?s Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) is Alinghi, the yacht, which won not one but two America?s Cups. Part of that success can be attributed to the state-of-the-art carbon-fiber composites that make up Alinghi?s hull. In many cases, such composites can substantially heal themselves following a collision. Now a graduate student has invented a way to juice the self-healing with a little electric current.     

Le maillage rectangulaire et le changement de maille dans la méthode TLM en deux dimensions (Rectangular meshing and mesh change in the 2D TLM method)

L'utilisation de mailles rectangulaires et le changement de maille dans la méthode TLM en deux dimensions permet de réduire le temps de calcul sur ordinateur dans de grandes proportions pour de nombreux problèmes. La théorie est exposée et des résultats sont donnés pour des structures `fin-line?. The letter shows how the introduction of rectangular meshes, and of a variable-size mesh process in the original 2-dimensional TLM method, leads to a dramatic reduction of the needed CPU time. The theoretical aspects of these modifications are given, as well as some numerical results obtained for 'fin-line' structures.     

Best approximation for design of natural resonance frequencies of microwave dielectric disc resonators

Une méthode nouvelle pour le calcul des fréquences de résonance des résonateurs diélectriques cylindriques est présentée. La condition de court-circuit magnétique imparfait appliquée successivement à toutes les parois augmente considérablement la précision. Les valeurs théoriques et expérimentales diffèrent au plus de 1%. We present a new method for efficient computation of the resonance frequencies of dielectric disc resonators. Successive applications of imperfect open-circuit boundary conditions to all walls greatly improve the accuracy for resonance frequencies. Theoretical values agree within 1% of experimental results.     

Sur une expression des puissances d’une matrice et son application aux réseaux itérés

Annals of Telecommunications - Après une brève introduction, dans unepremière partie, l’auteur donne (I), de lapuissance d’une matrice d’ordre 2, une expression...     

An extended UTD analysis for RCS computations involving higher order curved surfaces

An extended utd (eutd) solution is developed for the scattering and diffraction of high frequency em fields from higher order (polynomial and spline defined) curved surfaces. The new solution is computationally efficient and overcomes the difficulties of the classic go/gtd/utd solutions near ray caustics and caustic terminations. The approach for constructing the eutd solution is based on a spatial domain radiation integral representation for the scattered field which is then reduced using a uniform asymptotic procedure. Further heuristic modifications are also made and correct the go induced current assumption near the shadow boundaries. New uniform reflection, first order edge diffraction, and zero-curvature diffraction coefficients are then derived and involve higher order phase integrals as canonical functions. Numerical results involving third and fourth order polynomial strips are provided and compare favorably with reference moment method results. abs]Fr|Résumé Une théorie uniforme de la diffraction étendue (eutd) est développée pour la diffraction ? un champ électromagnétique à haute fréquence sur des surfaces de courbure complexe. La nouvelle résolution est intéressante du point de vue du temps de calcul et permet ? éviter les difficultés classiques des méthodes gtd/utd près de certaines caustiques. ? approche prise pour la construction de ? eutd est basée sur une représentation intégrate dans le domaine spatial du champ diffracté, réduite par une procédure asymptotique uniforme. Des modifications heuristiques sont faites qui corrigent le courant ? optique géométrique près de la frontière ? ombre. Des expressions uniformes sont alors déduites qui demandent le calcul ? intégrates de termes possédant une phase ? ordre élevé. Des résultats numériques sont donnés et comparés avec ceux obtenus par une méthode des moments.     

Étude de la stabilité d’un estimateur de puissance en métrologie des bruits d’avion

Annals of Telecommunications - Pour replacer dans son contexte particulier le problème général de l’estimation de la puissance d’un bruit en sortie d’un filtre...     

Berechnung des unbeweglichen Anteiles der Raumladung im Halbleiter einer MOS-Struktur

Under the assumption of Boltzmann statistics the immobile part of the semiconductor space charge in a MOS structure is calculated. The result of this calculation is compared with the value, which is obtained from a theory of Schottky. This theory yields a square root relation between the immobile space charge and the external device voltage. It is shown that Schottky's theory represents a good approximation to the exact relation. Values are given for the diffusion voltage belonging to the depletion region dependent on substrate doping, external voltage and inversion edge concentration.

Résumé

En assumant les statistiques Boltzmann, on calcule la partie immobile de la charge d'espace du semiconducteur dans une structure MOS. Le résultat de ce calcul est comparé avec la valeur obtenue de la théorie de Schottky. Cette théorie fournit une relation à racine carrée entre la charge d'espace immobile et la tension extérieure du dispositif. On démontre que la théorie de Schottky représente une bonne approximation de la relation exacte. Des valeurs sont données pour la tension de diffusion appartenant à la région d'épuisement dépendant de la dope de la couche inférieure, de la tension extérieure et de la concentration de la borne d'inversion.     

Filtre recursif nonlineaire [Nonlinear recursive filter]

Un filtre récursif nonlinéaire est synthétisé de fa?on simple par utilisation de la transformée de Laguerre multivariable et d'un isomorphisme entre l'espace des signaux continus et l'espace des signaux discrets. A nonlinear recursive filter is easily synthesised by use of the multidimensional Laguerre transform and of an isomorphism between the continuous-signals space and the discrete-signals space.