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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 312 毫秒
1.
随着国内外能源的过度消耗和环境污染,寻求高效、清洁、可持续的能源已成为当前的首要任务。关于易合成的黄钠铁矾在析氧反应(OER)方面的研究较少。因此,通过水热法合成了4种不同铁铬物质的量比的铬掺杂黄钠铁矾[Na Fex Cry(SO4)2(OH)6]催化材料。利用SEM、XRD、Raman和电化学方法对其结构和性能进行表征。结果表明,Cr3+成功地掺入到黄钠铁矾晶格中,随着Cr3+掺杂量的增加,黄钠铁矾颗粒尺寸逐渐减小;在1 mol/L KOH的电解液中,n(Fe3+)/n(Cr3+)为1∶1的样品的OER催化性能最佳;当电流密度为10 m A/cm2时,其过电位为370 m V,塔菲尔斜率为92.99 mV/dec,电化学双层电容(Cdl)为10.94 mF/cm2。  相似文献   

2.
基于旋涂法制备了Eu3+掺杂的SnO2薄膜,并通过紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流-电压测试和原子力显微镜(AFM)等对样品的光学性质、电学性质和表面形貌进行了表征。研究发现,在200nm~380nm的波长范围内,掺杂15at%Eu3+的SnO2薄膜光吸收率最高;在380nm~700nm的可见光范围内,掺杂15at%Eu3+的SnO2薄膜光透射率较强,掺杂20at%Eu3+的SnO2薄膜光吸收率最强。随着Eu3+掺杂浓度的增加,SnO2薄膜的电阻增加,表面的平均粗糙度显著降低。  相似文献   

3.
采用化学溶液法结合层层旋涂退火工艺,在掺氟氧化锡导电玻璃基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3和Bi0.9Nd0.1FeO3纳米晶铁电薄膜,并分析比较了其微结构和铁电性能。结果表明:2组分样品均为单相多晶钙钛矿结构,晶粒细小均匀,表面平整,结构致密。两薄膜均获得了饱和电滞回线,且BiFe0.95Mn0.05O3薄膜具有向上的择优取向极化和更优异的铁电性能,其剩余极化强度(Pr)达60mC·cm–2,在1~50 k Hz频率范围与25~200℃温度区间内铁电极化响应稳定,保持时间长达1′103 s工作与反复极化翻转高达1′109次表现出优异的电荷保持力和抗疲劳稳定性。  相似文献   

4.
本文采用烧结法制备MgO-Al2O3-SiO2(MAS)微晶玻璃,研究不同Al2O3/SiO2质量比对MAS微晶玻璃的微观结构和理化性能的影响,采用X射线衍射、差热分析、红外光谱、扫描电子显微镜对基础玻璃与微晶玻璃的结构和表面形貌进行表征,并对微晶玻璃的密度、力学性能、耐蚀性、热学性能和介电性能进行测试分析。结果表明:随着Al2O3/SiO2质量比从0.52增大至0.64,基础玻璃的玻璃化转变温度Tg增大、析晶峰值温度Tp减小,促使样品析出α-堇青石晶相;样品密度在2.52~2.60 g/cm3波动,介电常数εr由1.73增加到4.51,热膨胀系数由4.46×10-6-1降低到2.38×10-6-1,介电损耗tan...  相似文献   

5.
掺杂Hf O2铁电薄膜在非易失性存储器件中的重要应用前景使其成为当前凝聚态物理与材料科学领域的一个研究热点。近年来,结果表明:La掺杂Hf O2拥有优异的铁电性能,铁电剩余极化强度为45μC/cm2,是目前Hf O2基薄膜材料中报道的最高值。由于Nd与La的化学性质相近,Nd掺杂同样有望增强HfO2的铁电性,但相关研究工作却鲜有报道。使用氧化物分子束外延技术,在La0.67Sr0.33Mn O3(底电极)/SrTiO3(001)衬底上外延生长高质量Nd掺杂Hf O2(Nd:HfO2)薄膜。X射线衍射以及高分辨电镜表征结果均显示Nd掺杂有助于诱导Hf O2从单斜相向正交相的转变,压电力显微镜和铁电测试仪进一步证实正交相Nd:Hf O2具有良好的铁电性。此外,高分辨电子显微镜表征还发现Nd:Hf O...  相似文献   

6.
林聪毅  陶宏磊  李蔚 《硅酸盐通报》2023,(10):3764-3768
作为重要微波介质材料之一,Al2O3陶瓷介电性能优良,在微波电路方面得到广泛应用。但Al2O3陶瓷的烧结温度较高,制备工序需消耗大量能源。低成本降低烧结温度对Al2O3陶瓷的进一步发展具有重要意义。本论文通过MnO2-CuO-TiO2掺杂实现了Al2O3陶瓷的低温烧结,并对其烧结行为和微波介电性能进行了研究。结果表明,MnO2、CuO、TiO2的质量分数分别为0.7%、0.5%、0.8%时,复合掺杂可以大幅降低Al2O3陶瓷的烧结温度,所获陶瓷具有良好的微波介电性能。在烧结温度为1 250℃时,Al2O3陶瓷的密度可达3.92 g/cm3,介电常数εr=10.02,品质因子与谐振频率的乘积Q×f值...  相似文献   

7.
铁电陶瓷的极化内建电场可分离光生载流子并有效降低载流子间的复合率,但是其高带隙限制了对光的吸收。本文以具有良好铁电性能的Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)陶瓷为基体,通过掺杂La2Mo2O9降低光学带隙,提高光电流密度。样品使用传统固相法制备,随后分析了此陶瓷的XRD、拉曼、光吸收、光电流、铁电和介电性质。结果表明,La2Mo2O9掺杂能显著提高光吸收强度,随其含量增加,光学带隙值先明显下降,然后缓慢增加。在掺杂含量为0.7%(摩尔分数)时,陶瓷的带隙值最低为1.57 eV,远低于纯BNT陶瓷的2.9 eV,对应的最大光电流密度和开路电压为71.06 nA/cm2和4.40 V,得到的最大输出功率为312.7 nW/cm2,并且随时间增加变化不大,同时保持很好的铁电性能。研究结果表明,La2Mo2O9改性BNT铁电陶瓷是一种非常有前景的铁电光伏材料。  相似文献   

8.
采用Pechini方法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基板上沉积了均质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3 (CMT),CaTiO3(CT)和堆叠次序不同以及摩尔比不同的异质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3/CaTiO3(CMT/CT)薄膜。结果表明:以CT为底层的异质CMT/CT薄膜可以形成单一的钙钛矿结构,以CMT为底层的异质薄膜则有杂相产生。对于以CT为底层的不同摩尔比的异质CMT/CT薄膜,随着CMT含量的增加,异质薄膜中CT的衍射峰逐渐减小至消失,而CMT的结晶度变得更强,这说明以CT为缓冲层将有助于上层的CMT形成钙钛矿相。介电性能研究表明:异质CMT/CT薄膜的介电常数高度依赖于CMT的含量,而介电损耗不但与CMT含量有关,还与异质薄膜中界面数有关。当n(CMT):n(CT)=1:1 (摩尔比)时,异质的CMT/CT薄膜的介电常数和损耗分别为56和0.038。  相似文献   

9.
低介电常数、低介电损耗的微晶玻璃是制造低温共烧陶瓷基板的重要材料。本文采用熔融水淬法制备了CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,重点研究了m(CaO)/m(SiO2)质量比、B2O3含量对CBS微晶玻璃介电性能的影响。结果表明:CBS微晶玻璃的主要晶相有Ca3Si3O9、Ca2B2O5、CaB2O4、SiO2和Ca2SiO4。随着m(CaO)/m(SiO2)质量比的增加,介电常数增加,介电损耗先降低后增加;硅灰石相的增多使介电损耗从2.87×10-3降到1.36×10-3,介电损耗随着SiO2、Ca2B...  相似文献   

10.
弛豫铁电陶瓷由于优异的介电和储能性能,在陶瓷储能电容器中具有较大的应用潜力。本文采用固相烧结法制备了0.05 mol Nd3+、Sm3+和Gd3+稀土离子掺杂的0.6BaTiO3-0.4Bi(Mg1/2Ti1/2)O3陶瓷。结果表明,所有陶瓷均表现为典型的弛豫铁电体,其中Nd3+掺杂的陶瓷样品具有最小的介电损耗,获得了最大的击穿场强(350 kV/cm)和储能效率(94.38%);Gd3+掺杂的陶瓷样品具有最大的介电常数,获得了最高的可恢复储能密度(4.33 J/cm3)。  相似文献   

11.
采用高温固相法合成了Ba3Y1.9(BO3)4:0.1Sm3+橙色荧光粉,对其发光性质进行了研究。样品的X射线衍射(XRD)图谱表明制得的样品为纯相。样品的激发光谱由位于200~275 nm之间的宽峰和位于300~500 nm之间的一系列锐峰组成,其中宽峰归因于O2-→Sm3+电荷迁移带跃迁,而锐峰则归因于Sm3+的f-f跃迁吸收。在紫外光、近紫外光和可见光激发下,Ba3Y1.9(BO3)4:0.1Sm3+在566 nm、602 nm和651 nm处有强发射峰,分别归因于Sm3+4G5/26HJ/2(J=5,7,9)特征发射。通过CIE色度图可知样品发光位于橙色区。研究结果表明Ba3...  相似文献   

12.
采用涂覆工艺制备聚四氟乙烯/二氧化钛(PTFE/TiO2)复合薄膜,针对TiO2粉体密度大容易沉降问题,探究浆料总量、浆料黏度、涂覆速率的压力差等因素对成膜厚度均匀性的影响。结果表明:在涂覆速度为0.20 m/s条件下,浆料黏度范围为969~1 139 mPa·s(测试转速20 r/min)时,制备了目标厚度(55±10)μm的PTFE/TiO2复合薄膜。通过扫描电镜观察,PTFE/TiO2复合薄膜的表面均匀平整,TiO2分散性良好,成膜质量良好。复合薄膜的相对介电常数、薄膜拉伸强度、断裂伸长率的离散系数均≤5%,证明制备的薄膜的介电性能和力学性能一致性良好。  相似文献   

13.
以溶胶凝胶法制备了Ba2LaZrO5.5:Eu3+荧光粉,探讨溶液的pH值、焙烧温度和掺杂Eu3+的量对荧光粉的结构和发光的影响。证实了当pH=3、焙烧温度为800℃时Ba2LaZrO5.5:21%Eu3+荧光粉为立方体钙钛矿结构;在280nm激发下基质Ba2LaZrO5.5在468nm处有较强的蓝光发射,而Ba2LaZrO5.5:21%Eu3+荧光粉在612nm处有Eu3+的红光发射峰最强。  相似文献   

14.
采用溶胶凝胶法制备TiO2-SiO2∶Eu3+发光材料,通过XRD, FTIR,荧光光谱仪的测试表征材料的结构和发光性能。结果表明,通过溶胶凝胶法成功的制备了TiO2-SiO2复合氧化物荧光粉。FTIR证明1070cm-1为Si-O-Si的反对称伸缩振动,795cm-1为Si-O-Si的对称伸缩振动,937cm-1为Ti-O-Si特征峰。荧光光谱表明以465nm为激发波长,Eu3+在612nm(5D07F2)红色发光最强。Ti/Si为1∶1时,Eu3+掺杂浓度为4mol%时发光强度最佳。  相似文献   

15.
杨变  孙少东  吕洁丽  崔杰 《硅酸盐学报》2023,(12):3046-3051
与传统铁电材料相比,具有准同型相界(MPB)的铁电体具有增强的介电、压电和电光性能。通过传统固相烧结技术获得致密的(1–x)Ba2Na Nb5O15–x Sr2KNb5O15 (BNN–SKN)钨青铜结构陶瓷二元固溶体系,系统研究了BNN–SKN的结构、介电和铁电性能,探究迄今尚未确定的MPB区域。Ccm2与P4bm共存的MPB在x=0.7附近,随着SKN含量的增加,所测样品的相变温度及介电常数均在x=0.7附近取得极值,Tm=170.1℃,εT R=1 211,εm=3 326,给出了BNN–SKN体系的铁电性能,并讨论了该二元体系铁电性变化的影响因素。  相似文献   

16.
介绍了一种无铅发光应变材料(Bi0.5Na0.5)0.935–xSmxBa0.065Ti1–xSbxO3(BNT–0.065BT–x Sm Sb)陶瓷。研究了Sm/Sb对BNT–0.065BT相结构、形貌和电性能的影响。BNT–0.065BT–x Sm Sb陶瓷均呈现纯钙钛矿相结构。Sm/Sb的加入诱导铁电弛豫相变,从而促进了应变的改善。当x=0.004时,单极应变为0.31%(70 k V/cm),相当于大信号d33*(Smax/Emax)为443 pm/V。此外,发光性能研究表明,BNT–0.065BT–x Sm Sb陶瓷在407 nm激发下呈现明亮的橙红色发光。发光强度随着Sm/Sb掺杂浓度的增加而增大,其主要发射峰为599 nm附近的强红色发射峰,对应于4G5/26H  相似文献   

17.
孙彦琛  郭巍巍  王振  杨耀党  孔庆端  万俊锋  王岩 《应用化工》2023,(12):3257-3260+3264
以零价铁(Fe0)代替Fe2+作Fenton试剂催化剂,考察H2O2浓度、[H2O2]/[Fe0]摩尔比和pH值对UV/Fe0/H2O2技术降解乙苯气体的影响,分析了反应过程中H2O2和铁物质的浓度变化,通过GC-MS检测不同时间段的液体中间产物。结果表明,以48μm工业级Fe0作催化剂,在H2O2浓度为100 mmol/L、[H2O2]/[Fe0]摩尔比为40和pH值为3的优化条件下,UV365/Fe0/H2O2体系中乙苯气体降解率在45 min内达到67.5%。检测到不同时间段的液体中间产物,如甲苯、苯乙醇...  相似文献   

18.
通过高温固相法合成了Ca3La1.96(BO3)4:0.04Pr3+荧光粉。通过X射线衍射(XRD)确定了样品的晶体结构,通过激发光谱和发射光谱对样品发光性能进行了研究。X射线衍射测试结果表明,样品已经成相。光谱测试结果表明,在449 nm、473 nm和485 nm光的激发下,样品的发射谱峰位于607 nm附近,这归因于Pr3+1D23H4跃迁。监测607 nm时,样品的激发谱由位于320~400 nm的宽激发带和分别位于449 nm、473 nm和485 nm处的窄激发峰组成。位于449 nm、473 nm和485 nm处的激发峰分别归因于Pr3+3H43P23H43P1...  相似文献   

19.
夏光志  茆平  李燕  杨毅 《化工学报》2015,66(4):1607-1614
为解决悬浮相TiO2粉体处理水中污染物后难以分离和回收利用的缺点并进一步提高纳米TiO2对太阳光的利用率,采用溶胶-凝胶法制备了Pr3+:Y2SiO5粉体、TiO2薄膜以及Pr3+:Y2SiO5/TiO2复合膜。利用XRD、SEM等表征方法对样品进行表征。重点考察了Pr3+:Y2SiO5/TiO2复合材料薄膜对亚甲基蓝的光催化降解效率与镀膜层数等因素的关系。结果发现涂覆5层Pr3+:Y2SiO5/TiO2复合膜时,降解率可高达95.7%,其对应的第2次和第3次降解率分别为82.46%和74.94%;随着Pr3+:Y2SiO5/TiO2复合膜薄膜面积的增加降解率先增加后降低,使用8张薄膜时降解率最高达96.43%;增加光照强度有利于提高降解率,但当光照强度增加到100 W时,降解率达到稳定值96.18%;随着初始浓度的增加,降解率逐渐降低。  相似文献   

20.
高介电的类钙钛矿陶瓷材料的介电性能优化一直是该领域研究热点。本研究采用高温固相法制备了不同烧结温度的(NaLn)Cu3Ti4O12 (Ln=Ce;Nd)介电陶瓷材料,探讨了介电陶瓷的物相特性、显微结构和介电性能。结果表明:(NaLn)Cu3Ti4O12(Ln=Ce;Nd)系列陶瓷均为单相陶瓷。随着烧结温度提高,(NaLn)Cu3Ti4O12的介电常数增加,介电损耗变化。不同掺杂离子会使陶瓷内部极化机制发生变化,进而影响陶瓷的介电性能。其中在1 000℃制备的(Na1/3Ce2/3)Cu3Ti4O12陶瓷具有最高的介电性能,ε=50 552(10 Hz);而950℃制备的(Na1/2Nd1/2)Cu3Ti4  相似文献   

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