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1.
溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
采用溶胶-凝胶方法在单晶Si基片上制备了TiO2-SiO2复合薄膜,研究了溶剂、pH值对先体溶液成胶时间的作用,溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大,其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的I-V、C-f特性,由于薄膜中的热击穿效应而使得TiO2含量较高的薄膜2的I-V呈非线性变化。 相似文献
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超声波对化学镀Ni—Cr—P非晶态薄膜的金刚石性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了超声波对化学镀Ni-Cr-P非昌态薄膜的金刚石性能的影响,结果表明,超声波可使金刚石非晶态薄膜更加均匀和致密,从而提高了抗压强度,氧化温度和晶化后的强度,随超声波频率的影响,金刚石性能有增加的趋势。 相似文献
3.
研究了磁性薄膜场电效应的测试方法,RE-TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应(霍尔效应和磁阻效应)及其温度特性,实验结果表明,制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为-38℃。 相似文献
4.
金属—绝缘体复合薄膜中的纳米颗粒形态控制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用多靶磁控溅射仪旋转基片的方法,利用红外灯管加热基片,制备了不同基片温度的Ag-SiO2复合薄膜,采用TEM分析了薄膜的微观结构并测定了薄膜的电阻率。研究结果表明:通过改变基片温度,可以控制Ag-SiO2复合薄膜中Ag颗粒直径为10 ̄100nm;薄膜的电阻率亦可能过基片加热在10^2 ̄10^6μΩ·cm范围内改变。 相似文献
5.
溶胶—凝胶法制备BaTiO3薄膜的介电性质的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以正丁醇钛和钡为主要原料,采用溶胶-凝胶法在铂基底上制备了BaTiO3薄膜。用TG-DTA和XRD分析了该薄膜形成过程和结构。研究了薄膜厚度、温度和频率对薄膜的介电性质的影响。结果表明,在室温,1kHz下,薄膜的介电常数ε’为760,介电损耗为0.017。 相似文献
6.
Sol—Gel法合成TiO2纳米粉末和薄膜 总被引:41,自引:1,他引:40
用Sol-Gel法成功地合成了TiO2纳米粉末和薄膜,研究了工艺参数如热处理温度,保温时间等因素对材料结构和物性的影响,粉末的平均粒径为3-100nm,比表面积为17-251m^2/g,其在室温至750℃之间经历无定形态--锐钛矿-锐钛矿与金红石共存--金红石的相变,以石英玻璃和单晶硅为基片,采用均胶法获得沿(101)择优取向的金红石薄膜,研究表明,薄膜经锐钛矿转变为金红石的转变温度固基片不同而异 相似文献
7.
采用离子束辅助沉积方法在Al2O3陶瓷衬底上制备了TiO2-Nb2O5的氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结果的影响。电阻-氧分压特性测试结果表明,纯Nb2O5薄膜的氧敏特性优于纯TiO2薄膜;掺入少量的Ti可使Nb2O5薄膜的氧敏特性提高,以5mol%TiO2掺杂的Nb2O5薄膜最佳; 相似文献
8.
本文利用 R·F溅射技术在炮钢基上沉积Ta-10W合金薄膜,运用 XPS、XRD和划痕等测试手段对薄膜的成份、晶体结构及附着力进行了全面的研究。结果表明: R·F溅射Ta-10W合金薄膜的Ta·W相对含量比基本与靶相同。薄膜中氧含量随氩气压强的增加或对基片施加正偏压而增加.薄膜的附着力与 Ta-10W相结构有关,提高沉积温度对薄膜的附着有利。 相似文献
9.
溶胶—凝胶制备TiO2/SiO2复合薄膜的FT—IR表征 总被引:14,自引:0,他引:14
FT-IR吸收谱用来研究具有多孔结构的TiO2/SiO2复合薄膜;薄膜在1200cm^-1有一较强的肩峰,其强度与峰位随热处理温度度而生变化。在955cm^-1的吸收峰是由于Si-O-Ti和Si-OH的结果,并随着热处理 度的提高其吸收峰完全是Si-O-Ti振动所引起的,其峰位随着TiO2的增加,向低频区域移动。 相似文献
10.
采用B3N3H6-N2混合气体为原料,余辉微波等离子体增强化学气相沉积BN薄膜,漫反射富氏变换红外光谱分析表明,在550℃沉积温度下,1Cr18Ni9Ti基片上获得了低含氢量的c-BN和少量h-BN相的混合薄膜。薄膜Knoop硬度值为20.8GPa。划痕试验法测定薄膜的附着性,临界载荷为8.1N。 相似文献
11.
研究了沉积在具有无规分形结构的α-Al2O3陶瓷基底上的两侧非平整无序Pt和Au薄膜的异常R-T特性,在12-200K的温区内,当薄膜的方块电阻减小至10^2-10^3Ω量级时,基底上的分形结构开始对样品的R-T特性产物明显的影响,电阻温度系数中负急剧转化,分析认为,在低温区的此种异常现象是由薄膜中的电子相互作用和电子的弱局域效应经起的。 相似文献
12.
13.
利用金属有机物分解法在非晶石英衬义牙成功地制备了具有(202)择优取向的多晶La1-x-SrxMnOx薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征,10kOe磁场下,磁电阻值达到5%。在77K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应,2kOe磁场下的磁电阻值达到11%。薄膜的电阻-温度关系具有平缓的金属-绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在8kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷(包括晶界及疏松)有关。 相似文献
14.
本实验用对向靶溅射仪分别在Si(100),NaCl单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为0.04-0.07Pa,衬底温度淡100-150℃时,有利于Fe16N2相的形成,在此条件下制备的(Fe,Ti)-N薄膜的饱和磁化强度为2.3-2。.46T,超过纯Fe的饱和磁化强度值。 相似文献
15.
采用双靶轮流溅射技术,以Ti和六方氮化硼反应合成了Ti-B-N薄膜,并采用XRD,TEM和显微硬度计研究薄膜的微结构及其力学性能。结果表明,镀态Ti-B-N薄膜为非晶体Ti(N,B)化合物,其硬度达到HK2470;薄膜经过热处理晶化形成TiN结构类型的Ti(N,B)晶体,硬度略有降低。 相似文献
16.
综述了近年来太阳能电池材料Cu-In-Se的研究现状,对CuInSe2薄膜的制备,薄膜的光学性质,电学性质及现状等几个方面作了介绍。 相似文献
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脉冲准分子激光CuO—SnO2薄膜沉积及其结构分析 总被引:4,自引:1,他引:3
采用脉冲准分子激光沉积(PLD)技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高α轴(200)取向的CuO掺杂的SnO2薄膜,X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM扫描附件)分析表明:在Si(111)片上沉400-500℃退火温度处理的薄膜,只有(200)峰存在;当退火温度升高一600-700℃时,SnO2的其余诸峰相应出现。薄膜呈多晶态,取向度降低,晶粒尺寸变大,晶粒分界明显,在玻璃基 相似文献
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溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶-凝胶技术在Si单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Bi4Ti3O12x铁电薄膜,讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响,X射线衍射分析表明,经700℃和700℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Bi4Ti3O12多晶薄膜,该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Pr=5μC/cm^2,矫顽场Ec=130kV/cm。 相似文献
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TiO2薄膜的Sol—gel制备及结构分析 总被引:9,自引:2,他引:7
以正钛酸丁酯,无水乙醇和冰醋酸为原料,采用Sol-gel工艺匀胶技术在石英玻璃和单晶硅衬底上成功地制备了TiO2薄膜,薄膜表面均匀,致密,无裂纹。研究表明,随热处理温度的提高,薄膜经锐钛矿转变为金红石结构,其转变温度因衬底不同而异,但比凝胶粉末的转变温度高,金红石结构的TiO2薄膜具有一定的择优取向性,其晶粒大小为0.05~0.15μm。 相似文献