溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究

采用溶胶－凝胶方法在单晶Ｓｉ基片上制备了ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，研究了溶剂、ｐＨ值对先体溶液成胶时间的作用，溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大，其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的Ｉ－Ｖ、Ｃ－ｆ特性，由于薄膜中的热击穿效应而使得ＴｉＯ２含量较高的薄膜２的Ｉ－Ｖ呈非线性变化。     

超声波对化学镀Ni—Cr—P非晶态薄膜的金刚石性能的影响

研究了超声波对化学镀Ｎｉ－Ｃｒ－Ｐ非昌态薄膜的金刚石性能的影响，结果表明，超声波可使金刚石非晶态薄膜更加均匀和致密，从而提高了抗压强度，氧化温度和晶化后的强度，随超声波频率的影响，金刚石性能有增加的趋势。     

RE—TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜场电效应的测试方法，RE－TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性，实验结果表明，制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为－38℃。     

金属—绝缘体复合薄膜中的纳米颗粒形态控制

本文采用多靶磁控溅射仪旋转基片的方法，利用红外灯管加热基片，制备了不同基片温度的Ａｇ－ＳｉＯ２复合薄膜，采用ＴＥＭ分析了薄膜的微观结构并测定了薄膜的电阻率。研究结果表明：通过改变基片温度，可以控制Ａｇ－ＳｉＯ２复合薄膜中Ａｇ颗粒直径为１０￣１００ｎｍ；薄膜的电阻率亦可能过基片加热在１０＾２￣１０＾６μΩ·ｃｍ范围内改变。     

溶胶—凝胶法制备BaTiO3薄膜的介电性质的研究

以正丁醇钛和钡为主要原料，采用溶胶－凝胶法在铂基底上制备了ＢａＴｉＯ３薄膜。用ＴＧ－ＤＴＡ和ＸＲＤ分析了该薄膜形成过程和结构。研究了薄膜厚度、温度和频率对薄膜的介电性质的影响。结果表明，在室温，１ｋＨｚ下，薄膜的介电常数ε’为７６０，介电损耗为０．０１７。     

Sol—Gel法合成TiO2纳米粉末和薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法成功地合成了ＴｉＯ２纳米粉末和薄膜，研究了工艺参数如热处理温度，保温时间等因素对材料结构和物性的影响，粉末的平均粒径为３－１００ｎｍ，比表面积为１７－２５１ｍ＾２／ｇ，其在室温至７５０℃之间经历无定形态－－锐钛矿－锐钛矿与金红石共存－－金红石的相变，以石英玻璃和单晶硅为基片，采用均胶法获得沿（１０１）择优取向的金红石薄膜，研究表明，薄膜经锐钛矿转变为金红石的转变温度固基片不同而异     

离子束辅助沉积制备TiO2—Nb2OT氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５的氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结果的影响。电阻－氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；     

Ta—10W溅射涂层性能与工艺关系的研究

本文利用 Ｒ·Ｆ溅射技术在炮钢基上沉积Ｔａ－１０Ｗ合金薄膜，运用 ＸＰＳ、ＸＲＤ和划痕等测试手段对薄膜的成份、晶体结构及附着力进行了全面的研究。结果表明： Ｒ·Ｆ溅射Ｔａ－１０Ｗ合金薄膜的Ｔａ·Ｗ相对含量比基本与靶相同。薄膜中氧含量随氩气压强的增加或对基片施加正偏压而增加．薄膜的附着力与 Ｔａ－１０Ｗ相结构有关，提高沉积温度对薄膜的附着有利。     

溶胶—凝胶制备TiO2／SiO2复合薄膜的FT—IR表征

ＦＴ－ＩＲ吸收谱用来研究具有多孔结构的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜；薄膜在１２００ｃｍ＾－１有一较强的肩峰，其强度与峰位随热处理温度度而生变化。在９５５ｃｍ＾－１的吸收峰是由于Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ和Ｓｉ－ＯＨ的结果，并随着热处理 度的提高其吸收峰完全是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ振动所引起的，其峰位随着ＴｉＯ２的增加，向低频区域移动。     

B3N3H6微波等离子体增强化学气相沉积B—N薄膜

采用Ｂ３Ｎ３Ｈ６－Ｎ２混合气体为原料，余辉微波等离子体增强化学气相沉积ＢＮ薄膜，漫反射富氏变换红外光谱分析表明，在５５０℃沉积温度下，１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ基片上获得了低含氢量的ｃ－ＢＮ和少量ｈ－ＢＮ相的混合薄膜。薄膜Ｋｎｏｏｐ硬度值为２０．８ＧＰａ。划痕试验法测定薄膜的附着性，临界载荷为８．１Ｎ。     

分形基片上无序金属薄膜的阻—温特性

研究了沉积在具有无规分形结构的α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷基底上的两侧非平整无序Ｐｔ和Ａｕ薄膜的异常Ｒ－Ｔ特性，在１２－２００Ｋ的温区内，当薄膜的方块电阻减小至１０＾２－１０＾３Ω量级时，基底上的分形结构开始对样品的Ｒ－Ｔ特性产物明显的影响，电阻温度系数中负急剧转化，分析认为，在低温区的此种异常现象是由薄膜中的电子相互作用和电子的弱局域效应经起的。     

碳—氢—氯体系金刚石薄膜生长条件预测

首次计算了一碳－氢－氯体系中生长金刚石膜的相图，研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势，与实验结果符合较好，计算结果表明，Ｃ－Ｈ－Ｃｌ系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形（ＣＨ４－Ｈ－ＨＣｌ和ＣＣｌ４－ＨＣｌ－Ｃｌ）中变化，可能生长金刚石薄膜的碳氢氯组分波严格地限制在金刚石生长区内，并随生长温度和压力等条件而变化，当气相中氯含量与氢的含量相近时，金刚石生长区趋于消失，金刚石生长     

金属有机物分解法制备的La—Sr—Mn—O薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在非晶石英衬义牙成功地制备了具有（202）择优取向的多晶La1-x-SrxMnOx薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征,10kOe磁场下,磁电阻值达到5％。在77K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应,2kOe磁场下的磁电阻值达到11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在8kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷（包括晶界及疏松）有关。     

对向靶溅射高饱和磁化强度（Fe,Ti）—N薄膜

本实验用对向靶溅射仪分别在Ｓｉ（１００），ＮａＣｌ单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为０．０４－０．０７Ｐａ，衬底温度淡１００－１５０℃时，有利于Ｆｅ１６Ｎ２相的形成，在此条件下制备的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜的饱和磁化强度为２．３－２。．４６Ｔ，超过纯Ｆｅ的饱和磁化强度值。     

非晶态Ti—B—N薄膜的制备及晶化研究

采用双靶轮流溅射技术，以Ｔｉ和六方氮化硼反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，并采用ＸＲＤ，ＴＥＭ和显微硬度计研究薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，镀态Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；薄膜经过热处理晶化形成ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，硬度略有降低。     

太阳能电池材料Cu—In—Se的研究现状

综述了近年来太阳能电池材料Ｃｕ－Ｉｎ－Ｓｅ的研究现状，对ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的制备，薄膜的光学性质，电学性质及现状等几个方面作了介绍。     

脉冲准分子激光CuO—SnO2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高α轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉４００－５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高一６００－７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现。薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显，在玻璃基     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

TiO2薄膜的Sol—gel制备及结构分析

以正钛酸丁酯，无水乙醇和冰醋酸为原料，采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺匀胶技术在石英玻璃和单晶硅衬底上成功地制备了ＴｉＯ２薄膜，薄膜表面均匀，致密，无裂纹。研究表明，随热处理温度的提高，薄膜经锐钛矿转变为金红石结构，其转变温度因衬底不同而异，但比凝胶粉末的转变温度高，金红石结构的ＴｉＯ２薄膜具有一定的择优取向性，其晶粒大小为０．０５～０．１５μｍ。     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前