氮氧化硅薄膜制备方法的研究

氮氧化硅薄膜综合了ＳｉＯ２膜和Ｓｉ３Ｎ４膜的优点,具有优秀的光电性能,力学性能和稳定性能,已经在光电领域获得了广泛地应用,此外在材料改性方面也有广阔的应用前景。本文综合评述了几种氮氧化硅薄膜的制备方法,比较了各自的优缺点,并指出了今后制备方法的发展趋势。     

氮氧化硅薄膜的研究进展

氮氧化硅薄膜材料具有优异的热力学、介电及光学性能,在微电子、光学器件等方面有着重要应用.其主要制备方法包括化学气相沉积、溅射、直接氮化/氧化及离子植入.综述了该类材料的制备方法和应用研究进展,并指出了制备方法和应用研究的发展方向.     

SiNxOy薄膜的制备和紫外光,蓝光发射

研究了用等离子体增强化学气相沉积方法,经过后处理制备出ＳｉＮｘＯｙ薄膜,测量了其光致发光特性,观测到强度大约为多孔硅薄光发射１０倍的蓝光和紫外光的发射。此外,测量了其Ｘ射线衍射,对其成分和结构做了一定的分析和研究。     

SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各处ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450~600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。     

低温PVD法制备多组分超硬薄膜研究

对薄膜淀积的各种PVD技术和新型薄膜研究进展进展了综述，讨论了多组分硬质薄膜低温制备存在的问题，指出了解决的办法，归纳了影响多组分硬质薄膜在三维基体上均匀，均质淀积的因素，重点讨论了基体旋转与靶源配置问题，指出了用低温PVD法淀积多组分超硬薄膜研究方向。     

金刚石薄膜CVD制备方法其评述

较系统地介绍了低压下化学气相合成（ＣＶＤ）金刚石薄膜的主要方法，并对各种方法的优劣作了简要的评述。     

金刚石及相关薄膜制备研究进展

金刚石及相关薄膜材料指的是金刚石薄膜和立方氮化硼薄膜,它们的制备技术被称为“新金刚石技术”。评述了这类材料制备技术研究进展,指出成核及生长机理的研究将是它们走向实用化的关键。     

氮氧化硅合成研究进展

综述了氮氧化硅的制备方法,系统介绍了无机固相反应法、化学气相沉积法和有机先驱体法制备氮氧化硅的工艺条件,阐述了终产品与原料和工艺条件的关系,并指出了各方法的优缺点和亟待解决的问题。着重介绍了聚合物先驱体的合成方法和结构影响因素,并详细介绍了热分解条件对氮氧化硅陶瓷成分和性能的影响。这对氮氧化硅陶瓷的成分设计、合成和性能研究具有重要指导意义。     

金刚石薄膜的发展、制备及应用

简要介绍了金刚石薄膜的发展,总结了金刚石薄膜的几种主要制备工艺并对各种工艺的优、缺点进行了分析。结合对金刚石应用的讨论,阐述了金刚石薄膜在工业领域中的应用前景和发展趋势。     

气相沉积法制备聚对二甲苯薄膜

原于序数低的CH薄膜在惯性约束聚变实验用靶的制各中应用很广泛。介绍了真空气相沉积法制各聚对二甲苯薄膜的实验设备、实验原理和实验方法。制备聚对二甲苯薄膜的原料在400K附近蒸发，950K附近裂解成单体，单体在300K的低温表面聚合成膜。研究了薄膜厚度的计算方法，并根据实验数据推导了计算公式，从而实现了对薄膜厚度的精确控制，使其在惯性约束聚变靶制备中得以应用。     

金刚石薄膜的性质、制备及应用

金刚石有着优异的物理化学性质，化学气相沉积金刚石薄膜的研究受到研究人员和工业界的广泛关注。通过评述金刚石薄膜的性质、制备方法及应用等方面的研究成果，着重阐述化学气相沉积金刚石薄膜技术的基本原理，分析了各种沉积技术的优、缺点。结合对金刚石薄膜应用的讨论，分析了金刚石薄膜在工业应用中存在的问题和制备技术的发展方向。分析结果表明：MWCVD法是高速率、高质量、大面积沉积金刚石薄膜的首选方法；而提高金刚石的生长速度、降低生产成本等是进一步开发刚石薄膜工业化应用所需解决的主要问题。     

气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评

本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评，重点强调了等离子体辅助化学气相沉积（PCVD）的优势，进展及其在工模具领域的应用。     

氧化锌薄膜制备技术的评价

详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法，包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子层外延生长法。阐述了这些方法的机理、沉积条件、所需的反应物以及制得的薄膜的性质。讨论并比较了各种方法的优缺点和应用于器件及工业生产的可能性。     

氮化钽薄膜的制备与结构研究

利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒细小（１６ｎｍ左右）；同时还发现，在一定工作压力下，随着氮分压的提高，氮化物晶粒形成的取向改变，即平行于基体表面生长的晶面会有改变。一定工作压力下，制备的氮化钽薄膜硬变高达４０００ｋｇ／ｎｍ＾２以上。本文探讨了氮化钽薄膜高硬度的原因，并且讨论了随氮分压的提高薄膜织构变化的原因。     

钯金属薄膜制备方法的研究现状与进展

近年来,钯金属薄膜由于具有电阻率低和催化活性高等优异性能引起人们的广泛关注,钯及其合金薄膜在集成电路互连应用、氢传感、储氢和催化方面获得了越来越多科研工作者的兴趣。目前已有诸多制备钯金属薄膜的研究,本文重点介绍了利用物理气相沉积技术、化学气相沉积技术、原子层沉积技术以及等离子体辅助原子层沉积技术制备钯薄膜的研究现状,讨论了各种制备方法的优缺点,对所使用的前驱体作了总结,并展望了钯薄膜制备技术未来发展趋势。     

化学气相沉积法制备金刚石薄膜的工业应用

评述了金刚石薄膜的化学气相沉积方法,介绍了金刚石薄膜在工业中的应用前景,并分析了大规模应用所面临的技术困难。     

金刚石薄膜

金刚石在所有已知物质中具有最高的硬度 ,室温下有最高的热导率 ,对光线而言从远红外区到深紫外区完全透明 ,有最低的可压缩性 ,极佳的化学惰性 ,其生物兼容性超过了钛合金等等。然而由于天然金刚石数量稀少 ,价格昂贵 ,尺寸有限等因素 ,人们很难利用金刚石的上述优异的性能。根据天然金刚石存在的事实以及热力学数据 ,人们一直想通过碳的另一同素异形体———石墨来合成金刚石。但由于金刚石与石墨之间存在着巨大的能量势垒 ,要将石墨转化为金刚石 ,必须使用高温高压技术来人工合成 ,使得人工高温高压合成的金刚石价格昂贵。 2 0世纪 80年…     

离子束溅射作用下聚四氟乙烯薄膜的制备方法

在多功能离子束辅助沉积装置上采用交替溅射和冷却聚四氟乙烯靶材的方法制备了薄膜。由ＸＰＳ的结果可知，所得薄膜主要由ＣＦ２结构组成；ＦＴ－ＩＲ的结果表明，所得薄膜由Ｃ－Ｆ的最强吸收峰和聚四氟乙烯的特征吸收峰构成。所得薄膜的这些结构特征与聚四氟乙烯的结构是一致的。     

碳化硅薄膜制备方法及光学性能的研究进展

碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。介绍了制备碳化硅薄膜的2种常用方法。即化学气相沉积和磁控溅射技术,比较了2种方法的各自优势。总结了碳化硅薄膜光学性能及短波发光特性的研究进展。