InSb带间磁光吸收

本文介绍利用连续运行的 CO 激光器观察了 InSb 的带间磁光吸收,不同朗道能级间的跃迁形成了一系列的吸收峰值,最低的四个带间跃迁是与导带朗道能级的自旋向上(0↑)和自旋向下(0↓)以及施主杂质能级的跃迁有关。     

InSb的带间双光子吸收的实验观察

InSb双光子带间吸收,特别是双光子带间磁光吸收,无论从应用InSb材料于高强度红外光学或者是从对InSb能带结构的了解上看都是一个很有兴趣而又尚未完全解决的问题。我们用观测双光子吸收产生的光电导的方法观察了InSb对CO_2激光的双光子吸收。曾在室温、液氮、液氦下观察没有外加磁场时的双光子吸收以及在液氦温度下观察了双光子磁光吸收。     

InSb带间法拉第转角的振荡现象

在低温下,用连续CO激光器观察到了InSb带间法拉第转角随外磁场变化的振荡现象,振荡的产生可归结于电子相继跃迁到导带的不同朗道子能级,实验测量和理论的估算进行了比较.     

n-InSb的磁双光子带间吸收研究

通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.     

磁光石榴石薄膜的光吸收系数

分析了引起磁光石榴石薄膜光衰减的各种因素,导出了光吸收系数α和光散射系数γ的表达式。采用磁光调制比较法测量了（BiTm）3（FeGa）5O12薄膜的α、γ值。与通常方法相比,这种方法不仅消除了衬底吸收,薄膜-衬底界面反射对测量α值的影响,而且可以将γ与α分离开来,从而使得到的α值比较接近于真值。     

InSb磁敏传感器的设计与应用

ＩｎＳｂ磁敏传感器的设计与应用徐向东（航天工业总公司第三研究院八三五八所天津３００１９２）本文对ＩｎＳｂ磁敏传感器的应用、设计等方面作了介绍，并给出了器件的电阻率、磁阻灵敏度的要求，对磁敏传感器的短路及尺寸设计给出依据，并对如何提高器件的性能、产量提...     

双光子吸收光致变色三维光存储实验研究

介绍了双光子吸收光致变色光存储的存储原理，利用单光束双光子吸收三维光存储和反射式荧光共焦扫描读出实验装置，分别进行了写入激光功率、曝光时间和存储深度不同时双光子吸收光致变色三维光信息存储特性(读出信号强度和存储点尺寸)的实验研究。结果表明，读出信号强度主要取决于写入时的激光功率和曝光时间。读出信号强度在激光功率较低时与写入激光功率的平方成正比，而当写入激光功率大于一定值时，读出信号强度达到了饱和。读出信号强度随着曝光时间的增加也明显地呈现出饱和效应。此外，读出信号强度随着存储深度的增加明显地减弱了。存储点尺寸随着写入激光功率的增大、曝光时间的增长也迅速增大。较高的写入激光功率和较短的曝光时间有利于信息的高速存储。     

PV—InSb红外探测器工作温度的实验研究

在－１９６℃到－９６℃范围测量了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的信号，噪声和阻抗数据。给出了信号，噪声，信－噪比和阻抗随温度变化的曲线族。分析讨论了器件结构设计时，选择ＰＶ－ＩｎＳｂ红外探测器工作温度的有关问题。     

带间与带内串扰的理论分析与实验研究

在波分复用(WDM)系统中不同信道之间的串扰将恶化每路信号的消光比,而多波长光交叉连接网络中还会出现带内串扰的情况,它所产生的拍频噪声对系统的影响远大于带间串扰。从不同的角度分析了这两种串扰,理论分析的结果与实验现象吻合良好。     

磁集中効应下InSb的复合发射

本文给出了室温下由磁集中效率引起的的复合发射的初步观察结果,由于磁集中效应,在试样的一个界面上产生了非平衡载流子的过剩的集中。界面附近一部份复合激子的过剩集中,伴随着有发射发生。磁集中效应理论在一系列的文献中都作了叙述。在Ge中观察到了这种效应。为了在类似的条件下观察复合发射,InSb将是较为合适的对象,因为InSb的本征电荷载流子的浓度和电子迁移率都比较大。     

基于磁光光子晶体的石墨烯光吸收增强

单层石墨烯的吸收率非常低,从而一定程度上限制了其在光电子学领域的应用。基于石墨烯的磁光效应,提出利用磁光光子晶体来增强石墨烯吸收率的方案。利用4×4传输矩阵法研究了相关物理参数对石墨烯吸收率的影响。结果表明:通过调节外加磁场可以有效增强石墨烯的吸收率,石墨烯的吸收特性表现出一定的磁圆二色性;调节外加磁场的磁感应强度和费米能量,可使石墨烯对左旋圆偏振光和右旋圆偏振光均具有较高的吸收率,在一定条件下可实现近完美吸收。研究结果为基于石墨烯的高性能磁圆二色性传感器、光吸收器和光电探测器等新型光电子器件的设计及制作提供了理论依据。     

InSb中镉的扩散

引言在资料所报道的多数研究工作中,将锌或镉受主扩散入n型衬底,是InSb形成pn结的最常用方法。近期研究表明,以反向电流小作主要标准时,扩散Cd的衬底与扩散Zn的衬底相比,前者制成的二极管电性能较好。所报导的方法通常采用不同的Zn或Cd扩散源,例如锌元素、镉锌或镉铟合金,在单一温度的密闭安瓿中进行扩散。     

InSb中Be离子注入成结研究

进行了InSb中Be注入成结实验研究。得到的二极管在77 K低背景下测得的特性为:正向电流-电压遵守I0eqv/βKT规律,其中β为1.6,在-0.1 V时反向电流密度为2.14×10-7A/cm2,在-1 V时反向电流密度为3.9×10-6A/cm2,优值因子R0A为1.89×105Ωcm2。经装入结构测试,芯片光电性能达到生产要求水平。     

准分子激光器中磁开关的实验研究

根据准分子激光放电要求，分析了准分子激光器中磁脉冲压缩开关的工作过程，并给出了研制的高效率的磁开关的实验结果。     

带注入信号的双光子激光器的双稳性质

对于带注入信号、原子均匀展宽的单模环形腔双光子激光器,给出半经典的Maxwell-Bloch方程,论证了该系统在调谐情况下会出现双稳态,并通过绝热消除描述了双稳性导致的输出光的瞬态行为和滞后循环。所得结果表明:在输出场不连续变化之处,出现临界慢化现象。“坏腔”极限下,在     

双光子三维微细加工重要工艺参数的实验研究

优化工艺参数是保证双光子微细加工质量的重要条件。经分析选取了激发光强、覆盖率和物镜的数值孔径作为实验研究对象。用自行开发的双光子微细加工系统，通过单独控制一个加工条件而固定其它条件的方法，对比不同条件下系统的实验结果，探讨该工艺条件对加工质量的影响。最后，给出了经参数优化后的部分实验结果。     

P型闪锌矿半导体带内光吸收的计算

采用Kane模型的重空穴带波函数,导出重空穴带带内跃迁的光吸收理论公式,其结果近似为采用球对称波函数计算结果的一半。     

InSb磁敏电阻及传感器的生产开发及其应用

本文结合我们多年来从事ＩｎＳｂ磁敏电阻及传感器的科研开发工作，并结合在温州经纬实业公司进行的生产实践，就ＩｎＳｂ磁敏电阻及用这种元件为核心部件作成的各种传感器（如磁敏无触点电位器、精密角位移传感器、旋转传感器和图形识别传感器等）的工作原理、结构和性能作些简要介绍。期待通过广大科技工作者们的共同努力，将这些科研新成果尽快地推广应用起来。     

磁光调制实验研究

法拉第在研究电磁和光学的实验现象时,发现了一种现象:当一束平面偏振光穿过某一介质时,如果在此介质中外加磁场的方向平行于光的方向,就会发现光的振动方向经过该介质后偏振方向转过一个角度,这种现象被称作法拉第效应。本文即通过实验采用控制变量的方法,找出光的偏振方向发生改变的原因,从而验证理论。     

谐振腔增强带间级联中红外发光二极管的研究

本文对基于带间级联结构和谐振腔结构的中红外发光二极管进行了仿真和设计。在传统带间级联发光二极管的基础上,从器件外部引入分布布拉格反射镜（DBR）谐振腔结构,形成谐振腔带间级联发光二极管。对谐振腔参数进行仿真优化,包括DBR周期数、谐振腔的腔长、有源区在谐振腔中的位置等。结果表明,使用单周期ZnS/Ge DBR作为谐振腔上反射镜的器件输出功率最大,有源区置于谐振腔内部电场强度波峰处时,器件的输出功率最大,三级谐振腔带间级联LED器件的输出功率与55级无谐振腔器件输出功率相当,其光束发散角的半峰全宽可以从92度减小到52度。结合已生长的5级带间级联LED器件的测试结果,增加谐振腔结构后的仿真结果表明,峰值波长的辐射强度增强11.7倍,积分辐射强度增强5.43倍,光谱的半峰宽变窄6.45倍。