寄生不灵敏的开关电容三相振荡器

本文提出并讨论了两种使用开关电容技术设计振荡器的新方法。设计出的振荡器产生三相对称正弦信号,在通信、信号处理等领域有广泛应用。本文使用了两类RC振荡器作为模拟振荡器原型:一类是SD振荡器,另一类是三状态变量振荡器。由此实现的SC振荡器均易于集成,其振荡频率与时钟频率的关系是线性的,并具有电路特性对寄生电容不灵敏,电容比较小的显著特点。文中给出了比较结果和实验结果。实验结果与理论值相符。     

基于0.18μm CMOS工艺的环形行波振荡器

环形行波振荡器（rotary traveling-wave oscillators, RTWOs）是近年提出的一种基于传输线的新型千兆赫兹时钟生成技术,但研究表明该技术同样适用于压控振荡器设计。与普通LC振荡电路不同,环形行波振荡器可以很方便地产生幅度一致的差分多相（360o）振荡信号。本文基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计实现了一个工作于5.8GHz频段的环形行波振荡器,文中同时给出了仿真结果和测试结果。芯片大小为1.5×1.5 mm2。测试结果表明环形行波振荡器实际振荡频率为5.285GHz,相应输出功率6.68dBm,距离载波1MHz处相位噪声为-102dBc/Hz。     

光参量振荡器实现相干反斯托克斯光谱测温的研究

本文叙述了在宽带单脉冲ＣＡＲＳ测温技术中，利用参量振荡器（ＯＰＯ）代替常用的染料激光器做为斯托克斯光的可行性。理论上分析了ＣＡＲＳ的测温方法，并且实验上证明了采用ＯＰＯ作为宽带单脉冲ＣＡＲＳ测温中的斯托克斯光源是可行的。     

如何选择高压电源

随着技术的最新进展,人们目前已能制造出比以往更小、更轻、更有效的高压电源.众所周知,随着高压电源技术的发展,现在的设计人员更加要避免对关键参数(输出电压、波纹、温度稳定性以及尺寸等)技术规格订得过高.过高的技术规格将导致不必要的高价格,而随之增加的复杂性和功率密度还会降低电源的可靠性.高压电源技术的进展包括两个方面:首先是在市场上可买到在高频率运行时损耗较低的关键功率器件,其中包括速度更快的开关晶体管、MOSFET、绝缘栅双极晶体管以及硅可控整流器等;其次是开发出采用零电流/零电压开关以及谐振/准谐振换流器的高级谐振功率转换技术.新型高压电源的工作频率通常为20～100KHz,在整个工业中,这些高压电源实际上替换了所有工作于电网频率,甚至工作于大功率电平的高压电源.     

5 GHz 0.18 μm CMOS工艺正交输出VCO

文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90 ℃的正交输出时钟.采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9～5.5 GHz,模拟的相位噪声为-119.3 dBc/Hz@5 M,采用1.8 V电源电压,核芯电路的功耗为30 mW, 振荡器核芯面积为60 μm×60 μm.     

SoC-PLL设计要求的权衡

根据应用的要求,决定是采用LC形PLL还是环型PLL。PLL(锁相环)是SoC(系统单芯片)中常见的模拟电路。几乎所有时钟速率高于30 MHz的SoC都会用一只PLL作频率合成。不过,世上并不存在一种"万能"的PLL。各种器件都有其频率、功率、面积、性能和功能范围。采用100nm或更小工艺     

一种新颖的跳频振荡器

摘要本文综合考虑到频率合成技术及单端口体波谐振器HBAR的特点提出了一种基于一阶非线性PLL的锁相频率合成方案。文中对这种跳频方案的原理、性能特点作了详细论述、并通过实验、从不同角度对本方案进行了说明、同时对整机的各项指标作了详尽测试:在HBAR无载Q_N值为4000的情况下,该多模跳频振荡源的捷变范围为770MHz—840MHz、捷变时间小于20μS。杂散分量低于—60dB、二次谐波分量低于—34dB。离散捷变频率点为16点,构成闭环跳频系统后,对开环VCO的短稳改善了三个量级:从1.3×10~(-5)/ms到1.6×10~(-8)/ms及9.56×~(-7)/s到1.69×!0~(-9)/s,尤为重要的是该多模跳频振荡源达到此性能所需的硬件量很小,因此在对体积要求苛刻的场合、此种跳频方案具有极强的竞争力。     

低噪声毫米波发射机电子管振荡器

引言输出功率和低相位噪声是雷达系统中所使用的发射机信号源的要求严格的参数。一般说来,在厘米波频段不论使用固态器件还是真空管器件,这些要求都容易满足。但在毫米波频段情况并非如此。然而延展互作用振荡器(EIO)的最新进展已使适用于相干雷达系统的低噪声毫米波发射机电子管振荡器得以制成。本文集中讨论在EIO内采用双周期梯形慢波电路时在30至300千兆赫频带内和连续波功     

从嵌入CMOS MEMS振荡器展望IC设计的潜在变革

随着CMOS MEMS振荡器大规模制造技术的成熟,应用将涉及汽车、电视、摄像机、个人电脑、便携式设备等等几乎一切电子设备,本文向中国工程师概要介绍CMOS MEMS谐振器主流技术及行业动态、在IC中嵌入CMOS MEMS振荡器的设计流程以及相关支持工具的发展趋势.     

晶体与振荡器一哪种方案更适合于无线设计的成本要求？

当设计新的无线系统时，首先要做的决策之一就是到底采用晶体加独立振荡器电路的方式，还是直接选用预封装的成品振荡器。尽管设计人员希望利用便宜的晶体再配合自己设计的振荡电路来降低成本，但研究表明，成品振荡器为无线系统设计提供了最经济的解决方案。     

太赫兹返波振荡器的应用及研究进展

太赫兹返波振荡器是一种功率高、宽带可调谐、可在常温下连续波工作的辐射源。本文介绍了太赫兹返波振荡器在太赫兹技术研究中的应用需求及其发展现状,说明返波振荡器在太赫兹技术研究中的重要作用和前景,并对太赫兹返波振荡器的最新动态、技术难点进行了分析,可供该种管型研究的参考。     

石英振荡器的环境灵敏性

石英振荡器的频率，幅度和输出信号的杂波受到许多环境因素的影响。本文研究了温度，湿气，压力，加速度，振动，磁场，电场，负载和辐射对精度振荡器的灵敏性的物理学基本原理。石英振荡器对辐射的灵敏性是一个非常复杂的课题，人们还是不太熟悉的，因此，仅仅能讲述一般的结果。由于外界影响，不同型号振荡器的灵敏性是不同的，同是型号的振荡器中一个与另一个也不同。对于一个已给定型号振荡顺，一种参数的灵敏性常常与其他参数的值有关。对于上述参数，典型的灵敏性将被给出。     

石英晶体的设计及加工技术初探

石英晶体的设计和加工虽然已经是一项较为成熟的技术，但是对其的设计和加工技术一直在持续改进。本文介绍了一些设计和加工中的骏 技术难点，为业内人士提供参考。     

一种用于DC-DC转换器的精密振荡器设计

提出了一种用于DC-DC转换器的高频、精密张驰振荡器的设计方法.基于V-i转换器原理,设计了精密电流产生电路;基于基极电流补偿技术,设计了一种结构新颖的比较器门限电压产生电路,从而有效地提高了振荡器频率稳定性和精度.通过外接可调电阻,振荡器可调工作频率为100 kHz～3 MHz,并能同时提供占空比85%的方波信号和用于斜率补偿的锯齿波信号,还具有与外接时钟信号同步振荡的功能.流片测试结果表明该振荡器满足设计指标.     

压控振荡器技术的回顾与展望

论述了压控振荡器技术发展的历程和趋势，介绍了SiGe压控振荡器技术。     

CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析

本文讨论在CMOS集成电路设计中,常用到的三种振荡器,计算它们的振荡周期,并对电路进行了仿真及性能分析。     

5MHz高稳定低相噪VCXO与锁相稳频技术

文中介绍了研制５ＭＨｚ高稳低相噪压控晶体振荡器（ＶＣＸＯ）以及利用锁相稳频技术获得长、短稳皆优的频标信号的一种行之有效的方法。     

六毫米波段注入锁定振荡器

本文描述一种六毫米波段注入锁定振荡器.该振荡器由耿管振荡器、环行器、锁相参考源组成,耿管振荡器采用背腔式稳频和谐振帽电路结构,输出端经环行器与高稳定度锁相源连接.注锁振荡器的输出功率大于60mW,振荡频率为46.1GHz,偏离载频10kHz处,单边带(SSB)相位噪声≤-71.7dBc/Hz,杂波≤-40dB.     

高性能SAW振荡器的频率稳定性

近几年来,高稳定性SAW振荡器的研制已取得了重大的进展,能对密封的SAW谐振器精确地进行频率调整,SAW振荡器的频率稳定性也有了显著的改进。500MHz SAW谐振振荡器的相位噪声达到了-184dBc/Hz,同时在10Hz的载波偏置条件下,闪变效应噪声为-83dBc/Hz。在±150kHz调谐范围内,验证了400MHz SAW延迟线振荡器样机的相位噪声为-170dBc/Hz,在10Hz的偏置条件下,其闪变效应噪声电平为-70dBc/Hz。检测到SAW器件的振动灵敏度为10~(-10)/g量级,最近还对采用混合电路的900MHz SAW谐振振荡器进行了同样的振荡灵敏性检测。按规定制作的500MHz SAW谐振振荡器的长期频率稳定性高达±1ppm/a。     

锁相环在相位噪声测试中的工作机理和影响

分析了相位检波技术测试相位噪声的工作原理和锁相环在电路中的工作机理,给出了锁相环对相位噪声测试影响的转移函数,通过对环路修正前和修正后的实际测试曲线的比较,很容易看出环路噪声压缩的影响。明确了在实际测试中,必须对锁相环带宽内的相位噪声曲线进行修正。通过分析可以看出,用相位检波器方法使相位噪声测试由测信号相位起伏变成测电压起伏,用锁相技术使压控参考源与被测源同频,并可有效地对锁相带宽内噪声抑制进行修正,改进了相位噪声测试的方法。