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日本NEC公司成功地进行了半导体全光开关的实验,这种全光开关可以在半导体激光器或光纤放大器发出的低功率光下工作,并可适应于约1Tbit/s的超高速脉冲。 相似文献
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日电研制适用于1Tbit/s脉冲的超高速半导体全光开关 总被引:1,自引:0,他引:1
日电研制适用于1Tbit/s脉冲的超高速半导体全光开关日本电气公司研制成功一种经功能试验的半导体全光开关,可适用于约1Tbit/s的超高速脉冲,是实现多媒体世界的超高速光通信必不可少的元件。这种全光开关利用既能接通、又能断开超高速现象的光吸收,执行“... 相似文献
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光开关是光纤通讯系统中的一个重要器件,光开关能根据外加的激励源,有选择性地把光信号从一根光纤传送到另一根光纤.外加激励源可以是力或外加电场、磁场、电磁场等. 相似文献
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本文论述构成未来光节点系统关键器件的导波半导体光交换器件的特性。采用半导体MQW波导的QCSE制成全封装2×2和4×4光开关组件,并加以评估。这些组件能分组交换10Gb/s的光信号,并能以1/8去复用成1.25Gb/s,这些组件很有希望作为高速交换器件。 相似文献
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用半导体超晶格实现250fs全光开关 总被引:1,自引:0,他引:1
友清 《激光与光电子学进展》1996,33(10):28-29
用半导体超晶格实现250fs全光开关日本电报电话公司(NTT)研究人员已发展一种用于1.spin波长信号的光开关,据称这是半导体与选通器件中世界最快处理速度的开关。该表面反射全光开关用半导体超晶格结构达到250fs开关速度——这个时间相当于光传播75... 相似文献
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刘美红 《激光与光电子学进展》2003,40(4):6-11
研究了三种干涉仪全光开关。在相同条件下,测量了这三种开关装置不同宽度的开关窗口:引入综合对比率(ICR)估算开关窗口的开关性能.利用ICR.比较这些开关,并讨论它们以40、80和160Gb/s数据速率在光时分复用(OTDM)系统十作为解复用器的应用。 相似文献
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以半导体光放大器为非线性元件的全光开关中,由于SOA中交叉增益调制和交叉相位调制并存,会导致光开关各输出端口性能有所差异.文章分析了双端口全光开关各输出端口消光比、强度噪声及其引发的光接收机功率代价.结果表明反射端消光比恶化会降低接收机灵敏度,但在反射端由强度噪声导致的功率代价明显小于透射端. 相似文献
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半导体光放大器(SOA)非线性偏振旋转效应的光开关具有开关速度快、易集成等优点,其开关操作可以通过改变注入SOA中的电流而获得。这种偏振光开关的性能主要受注入光功率与控制电流的大小范围来决定。基于SOA中的偏振主态的概念,分析了非线性偏振旋转效应与控制电流的关系,并对不同功率的注入光进行了偏振旋转实验,分别实现了偏振光开关的操作。实验结果表明:随着注入光功率的增加可以提高光开关的分光比,有效改进光开关的性能。当注入光为5 dBm时,光开关的分光比与消光比均可达到30 dB。 相似文献
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在对光交换技术深入研究的基础上,对光网络中的关键器件,声光可调滤波器及光缓存器作了详细介绍,最后对光交换的发展前景作了展望。 相似文献
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硫系光纤的非线性特性及其在全光开关上的应用 总被引:11,自引:0,他引:11
本文对目前红外光纤研究的热点,硫系光纤的非线性特性介绍,包括它的非线性系数n2,双光子吸收数α2,响应时间,受激拉曼散射和群速度色散GVD的情况,最后介绍了硫系光纤在全光开关上的应用。 相似文献
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对 DWDM光网络中的大容量全光交换机进行了分析 ,对未来五年内相关市场进行了预测。对目前已开始进入商业化使用的全光交换机之一——光分插复用器 (OADM)的应用予以了举例分析 相似文献
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We will review three recently-proposed high-speed, all-optical Exclusive OR (XOR) gates operating at 40 and 85?Gb/s, which were demonstrated using ultrafast nonlinear interferometers (UNIs) incorporating semiconductor optical amplifiers (SOAs). The first 40-Gb/s XOR gate was obtained using a dual UNI configuration. The second is a 40-Gb/s XOR gate without additional probe beam required, where the only inputs launched into the setup were data A and B. The XOR logic of data A and B is the sum of two components (A)B and(A)B , each of which was obtained from the output of UNI via cross-phase modulation (XPM) in SOAs. Furthermore, an 85-Gb/s XOR gate is, by far, the fastest XOR gate realized by SOAs, which was also demonstrated using a dual UNI structure. The operating speed of the XOR gate was enhanced by incorporating the recently proposed turbo-switch configuration. In addition, the SOA switching pulse energies of these XOR gates were lower than 100 fJ. 相似文献