有助于集成光学的光刻技术

在使用相同的人力、财力和原料的情况下可以制造出更多的产品,在提高性能的同时减少单个组件的个数,使利用平板光刻技术制造的、用于光纤通信领域的光学组件更加经济有效.     

深亚微米光学光刻设备制造技术研究

光学光刻在不断发展,促进了集成电路的制造,提高了其制造水平。光学光刻的分辨率在逐步提高,其设备面对着巨大的挑战。本文将对深亚微米光学光刻设备制造技术展开研究。     

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。     

深亚微米光学光刻设备制造技术

相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难 ,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。     

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0．13μm及0．13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。     

用光刻法集成光学元件

平面光刻术为制造光纤通信用的各种光学元件提供了一种能大幅度降低生产费用的先进方法。与半导体工业技术相同,采用平面光刻集成法可在给定劳动量、资本和材料的条件下增加组件的数量,也可通过增加元件的整体功能减少元件数量（见图1）。 用光刻法制造光学元件所用材料与电子器件不同,但加工过程相同,生产半导体器件40年来积累的经验仍然适用。尤为重要的是,光刻设备目前已得到广泛应用,这些设备的操作人员和设计人员都具有一定的经验。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。     

深亚微米光学光刻工艺技术

光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。     

下一代光刻技术研究开发情况

一、前言在微电子制造技术中,最为关键的是用于电路版图图形生成和复制的光刻技术,光刻技术的研究与开发在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点就是即将到来的光刻技术变革。这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。由于分辨率增强技术的发展,光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的1/2。因此,193nm 波长     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。     

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会

光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来,随着器件尺寸的不断缩小,作为现有光学光刻技术的延伸,浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧,然而在以0．     

美科学家推出软干涉光刻技术

美国科学家在纳米制作技术领域获得重大进展，通过将干涉光刻和软光刻技术结合在一起，推出称为软干涉光刻技术（SIL）的新型制造技术，可以用来扩展纳米生产工艺以大批量制造等离子体超材料和器件。与现有的技术相比，软干涉光刻技术具有许多明显的优势。作为一种大规模制作纳米材料的创新和廉价方法，利用它制成的新颖的先进材料，为开发和应用特殊与突发光学特性铺平了道路。     

浸没式光刻向22nm挺进

简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。     

紫外光学在光刻方面的巨大作用

紫外光学在光刻方面的巨大作用随着光刻变成信息时代的“铣床”，允许更短波长通过的光学技术现在似乎成了继续改善性能的最有希望的方法。这是一种戏剧性变化。近在一年前，光学在电子学制造方面的前景似乎还很暗淡。在最暗淡时刻，它失去了光刻研究开发主要支持者──美...     

CRT荫罩制造技术及其在平板显示等领域的应用

CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀。将应用于制造荫罩的精密光刻精细腐蚀技术引伸应用到平板显示、微电子、微机械等领域，可以制作出高精度OLED金属掩膜版，LCD、PDP光学掩膜版等，使这一非常成熟的工艺焕发出新的活力。     

光学光刻技术进展预测

<正>据《Solid State Technology》1991年12月报道,IEEE 1991年亚微米光刻技术讨论会在美国夏威夷举行。会议讨论了1997～2000年制造256Mbit和1 Gbit DRAM所需要的光刻技术。256Mbit和1 Gbit DRAM要求光刻特征线宽的尺寸为0.25μm和0.15μm。会议预测了X射线、电子束光刻和光学光刻技术作为实现上述要求的前景,还提出了精密尺寸测量的计量和缺陷检查等问题。     

高速发展的光学光刻技术

光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。     

0.35μm分辨率的远紫外投影光刻物镜

介绍一种２４８ｎｍ谱线投影光刻物镜光学设计结果,提出制造该镜头应解决的一些技术问题。     

0.35μm分辨率的无紫外投影光刻物镜

介绍了一种２４８ｎｍ谱线投影光刻物镜光学设计结果,提出制造该镜头应解决的些技术问题。