MoSi2曲复合材料低温氧化行为的研究

利用热重量分析法研究了稀土／ＭｏＳｉ２和ＳｉＣ／ＭｏＳｉ２两种复合材料的低温氧化行为。实验结果未发现“ＰＥＳＴ”现象;但稀土和ＳｉＣ的加入增加ＭｏＳｉ的低温氧化程度。认为氧化时质量增重与时间是非线性的;氧化程度与氧化层中相的组成和晶体结构有密切关系;并提出了其氧化过程模型。     

SiC对MoSi2低温氧化行为的影响

利用热重量分析、Ｘ射线衍射和扫描电镜观察分析了ＳｉＣ在ＭｏＳｉ２低温化中的作用。结果表明ＳｉＣ的加入促进了ＭｏＳｉ２的氧化,但未发现“ＰＥＳＴ”现象。     

Si3N4颗粒及SiC晶须强韧化MoSi2复合材料的低温氧化行为

对Si₃N₄颗粒及SiC晶须强韧化MoSi₂复合材料在773K下的氧化行为进行了研究.通过热重量分析法（TG）分析了MoSi2及其复合材料MoSi₂-Si₃N_4(p)和MoSi₂-Si₃N_4(P)SiC_(w)在773K下的氧化性能, 采用SEM和X射线衍射测定其表面形貌和氧化物相组成.结果发现：在773K下, 纯MoSi₂和MoSi₂+20vol%Si₃N₄均发生了“Pesting”氧化, 氧化过程服从直线规律, 氧化产物层疏松, 氧化产物主要为MoO₃; MoSi₂+40vol%Si₃N₄氧化服从抛物线规律, 速率常数K_p为0.04mg²/(cm⁴·h), 氧化层致密, 成分主要为SiO₂、Si₂N₂O, 增加Si₃N₄的含量可显著提高MoSi₂的抗“Pesting”氧化能力; MoSi₂+20vol%Si₃N₄+20vol%SiC发生了严重的粉化现象, 氧化产物主要为短针状MoO₃.     

含Y2O3—La2O3添加剂自增韧Si3N4的显微结构和性能

本文研究了Ｙ２Ｏ３－Ｌａ２Ｏ３系统添加剂的加入量对自韧Ｓｉ３Ｎ４的显微结构和性能的影响规律，结果表明：在实验的添加剂量范围内，适量的添加剂能促使β－Ｓｉ３Ｎ４柱状晶生长，长径比增大，其强度和断裂韧性增加。     

ZTM15(2Y)/Al2O3材料低温时效的研究

在AZTM15（2Y）中加入Al2O3粒子,可以改善材料的微观结构,使ZTM15（2Y）材料的室温力学性能提高,尤其是材料的断裂韧性,由4.0MPalm1/2增至7.8MP.^1/2,其主要贡献源于微鲜明纹增韧,但由于Al2O3粒子的引入,增加了ZTM15（2Y)基体中微裂纹的密度,所以不能有效抑制TM15（2Y）材料低温时效处理力学性能下降现象,相反,将另速材料力学性能的退化。     

PbTe热电材料的氧化行为

研究了热电材料ＰｂＴｅ在高温（７００～９００Ｋ）氧分压为０．０１～１００ｋｐａ时的氧化行为，发现氧化物均为Ｐｂ－Ｔｅ－Ｏ的三元化合物随温度及氧分压的变化有规律性地分布，在高温低氧分压条件下，试样质量减少，生成Ｐｂ３ＴｅＯ５或者Ｐｂ５ＴｅＯ７而在低温高氧分压条件下，试样质量增加，生成ＰｂＴｅＯ３或者ＰｂＴｅＯ３／Ｐｂ２ＴｅＯ４。     

二硅化钼材料低温氧化的研究进展

介绍了二硅化钼低温氧化的研究进展,对当今几种二硅化钼材料低温氧化发生“Pesting”现象的机理模型及改善低温抗氧化的方法进行了评述,在此基础上提出了今后的二硅化钼低温氧化研究的重点和方向。     

La2O3-Mo阴极碳化工艺研究

研究了碳化温度、碳化时间、碳化时苯的浓度对La2O3-Mo阴极碳化度大小和碳化层组织的影响.实验结果表明:在1 683～1 723 K,苯的浓度为8.0～8.5 Pa,碳化6～8 min后La2O3-Mo阴极碳化度>5%,达到使用要求,碳化层是我们所希望的疏松多孔的Mo2C组织.     

Al2O3表面弥散铜基导电材料的制备

用渗铝－内氧化技术制备了Al2O3表面的弥散铜基导电材料，研究了渗铝层的铝浓度分布和表面弥散层的显微组织及有关性能。结果表明，渗层的铝浓度接近渗剂中铝粉的含量，渗层深度可达100μm，内氧化后，能在渗铝层形成Al2O3弥散硬化层，Al2O3含量也影响了铜的表面硬度、电阻率和磨损抗力。     

二硅化钼基高温结构材料氧化行为的研究进展

二硅化钼室温脆性、低高温强度以及低温"pesting"现象限制了其实际应用,采用复合化和合金化方式可以改善其强度和韧性.评述了各种增强体对二硅化钼材料低高温氧化行为的影响和二硅化钼作为防氧化涂层时的高温抗氧化性能,在此基础上指出了今后二硅化钼及其复合材料氧化行为的研究重点和方向.     

Oxidation of MoSi2 and MoSi2-based materials

Oxidation experiments, at 500°C, of MoSi₂ and MoSi₂-based compounds such as Mo(Al,Si)₂ and MoSi₂+1 wt% C compacts have been carried out. These compacts were prepared byin situ synthesis and a compaction method, starting from the elemental powders. For comparison, commercial MoSi₂ and Mo(Al,Si)₂ infiltrated into SiC preform were also studied under similar conditions. It was found that the synthesized high density MoSi₂ and Mo(Al,Si)₂ infiltrated into SiC preform did not show any oxidation even after 100 h of heating in air. The colour of the polished surfaces of commercial MoSi₂, Mo(Al,Si)₂ and MoSi₂+1 wt% C had changed. The SEM of Mo(Al,Si)₂ showed open blisters with rods of MoO₃ in them whereas MoSi₂+1 wt% C surface had MoO₃ rods but no blisters and the oxidation was superficial with no penetration into the compact. It is suggested that in compounds, the presence of small amounts of impurities is not as detrimental to pesting as presence of defects like open pores or cracks. Hence, high density of the compact is essential for the prevention of complete disintegration of the compact.     

碳/碳复合材料SiC/MoSi_2/ZrO_2涂层体系氧化烧蚀性能

抗氧化涂层技术是解决碳/碳复合材料高温抗氧化性的最有效技术途径之一。为了提高材料在1 800℃以上的高温抗氧化性能,首次采用包埋法、涂刷法和等离子喷涂法在碳/碳复合材料表面制备出SiC/MoSi_2/ZrO_2梯度抗氧化涂层体系。采用SEM/EDS、结合力和粗糙度测试对涂层表面及断面形貌进行微观分析,利用等离子风洞对整个涂层体系进行氧化试验。结果表明:基体、过渡层和高温抗氧化层之间结合力良好,高温抗氧化层厚度均匀、结构致密。经等离子风洞氧化600s后,涂层表面温度达到1 850℃,氧化质量失重速率仅为3.15×10~(-6) g/(cm~2·s)。表明SiC/MOSi_2/ZrO_2梯度抗氧化涂层体系在1 800℃以上的高温环境下具有很好的抗氧化性能。     

掺ZBS玻璃低温烧结ZnNb2O6微波介质陶瓷的研究

研究了ZnO-B2 O3-SiO2(ZBS)玻璃料对ZnNb2O6微波介质陶瓷烧结特性和介电性能的影响.结果表明,ZBS玻璃料形成的液相加速了颗粒间的传质,促进了烧结,能使ZnNb2O6陶瓷的烧结温度有效地降低至950℃.随着ZBS含量的增加,样品中出现了第二相,且气孔被包裹在晶粒内部难以逃脱出来,导致样品的缺陷和损耗增加,从而降低介电性能.掺杂1%ZBS的ZnNb2O6陶瓷在950℃保温4h,能获得优异的综合介电性能:ε=23.56、Q·f=18482GHz、τf=-28.8×10￣6/℃.     

低温烧结高性能2Y-TZP材料

通过在2Y-TZP中加入一定量的硅酸盐玻璃相添加剂,在较低的烧结温度下,制备出细晶、具有良好综合性能的2Y-TZP材料.研究了添加剂加入后,2Y-TZP材料烧结特性、显微结构及力学性能.发现加入少量的添加剂后,不但可以明显降低材料的烧结温度,而且由于细晶及相变增韧的共同作用,材料仍具有较高的抗折强度和断裂韧性.讨论了稳定剂含量对低温烧结Y-TZP力学性能的影响,发现较低稳定剂含量的2Y-TZP材料,由于临界相变尺寸小,在断裂过程中,有更多的四方相氧化锆转变成单斜相,相变增韧的效果更好,因而具有更高的断裂韧性.     

三元层状陶瓷Ti3SiC2的高温氧化行为

研究了以自蔓延准热等静压和热处理工艺制备出的高纯、致密的Ti3SiC2块体材料的高温氧化性能.采用XRD,SEM和EMPA分析了氧化膜表面形貌、组织结构和成分.研究结果表明,在1000℃的空气中,Ti3SiC2陶瓷材料具有优异的抗氧化性能,且恒温氧化行为与循环氧化行为相似.其在120h内的氧化动力学曲线趋近于直线-抛物线规律.随着氧化时间的延长,氧化膜由TiO2和SiO2混合物组成的单层结构逐渐过渡到双层结构.双层结构的内层为固溶了SiO2的TiO2层,而外层为纯金红石相.     

低温驯化结合冰温贮藏对猕猴桃品质的影响

目的 研究不同低温驯化处理方式结合冰温贮藏对猕猴桃品质的影响,为猕猴桃贮藏保鲜提供新技术。方法 将猕猴桃在冰温(−0.5±0.2)℃、快速驯化(4 ℃驯化48 h)结合冰温和慢速驯化(10 ℃驯化24 h后再4 ℃驯化24 h)结合冰温的条件下贮藏180 d,定期测定猕猴桃相关指标。结果 贮藏结束时,对照组可滴定酸(Titratable Acid,TA)含量为0.733%、维生素C(Vitamin C,VC)含量为208.7 mg/kg、硬度为0.692 N,而慢速驯化组的TA含量为1.053%、VC含量为259.4 mg/kg、硬度为1.119 N。与对照组相比,低温驯化结合冰温贮藏能够降低质量损失率、冷害率及腐烂率,抑制可溶性固形物(Soluble Solids,TSS)、丙二醛(Malondialdehyde,MDA)含量的增加,脂氧合酶(Lipoxygenase,LOX)活性的上升和自由水的损失,以及保持了过氧化物酶(Peroxidase,POD)的活性。结论 慢速驯化比快速驯化处理能够更有效地保持冰温贮藏猕猴桃的品质,延长采后贮藏保鲜的时间。     

Si3N4颗粒及SiC晶须强韧化MoSi2复合材料的低温氧化行为

对Si₃N₄颗粒及SiC晶须强韧化MoSi₂复合材料在773K下的氧化行为进行了研究.通过热重量分析法（TG）分析了MoSi2及其复合材料MoSi₂-Si₃N_4(p)和MoSi₂-Si₃N_4(P)SiC_(w)在773K下的氧化性能, 采用SEM和X射线衍射测定其表面形貌和氧化物相组成.结果发现：在773K下, 纯MoSi₂和MoSi₂+20vol%Si₃N₄均发生了“Pesting”氧化, 氧化过程服从直线规律, 氧化产物层疏松, 氧化产物主要为MoO₃; MoSi₂+40vol%Si₃N₄氧化服从抛物线规律, 速率常数K_p为0.04mg²/(cm⁴·h), 氧化层致密, 成分主要为SiO₂、Si₂N₂O, 增加Si₃N₄的含量可显著提高MoSi₂的抗“Pesting”氧化能力; MoSi₂+20vol%Si₃N₄+20vol%SiC发生了严重的粉化现象, 氧化产物主要为短针状MoO₃.     

低温推进剂的温度控制

通过对低温火箭三子级地面试验和多次飞行试验的分析及国外有关资料的报导，总结出影响低温推进剂温度的相关因素及控制方法，对新型的增压系统及温控技术进行了展望。