富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

<正>富士通半导体(上海)有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率     

富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

富士通半导体(上海)有限公司宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可     

氮化镓微波功率器件研究动态(下)

(上接2012年第4期第61页)4.1.3 KORRIGAN的成果KORRIGAN分为四个子项目:材料、工艺、可靠性、热量管理和封装。经过五年的努力,KORRIGAN已实现下列成果:(1)已经建立起一条从晶圆制造到电路制造的较稳固的供应链;     

第三届新型半导体功率器件及应用技术研讨会在长沙成功召开北大核心

继在厦门、昆明成功举办两届研讨会之后,＂第三届新型半导体功率器件及应用技术研讨会＂于2017年11月24—27日在长沙成功召开。此次研讨会由中国半导体行业协会指导,中国半导体行业半导体分立器件分会和株洲中车时代电气股份有限公司主办。     

谈新型半导体功率器件在太阳能逆变器中的应用与发展

太阳能是目前广泛开发使用的一种新型能源。在太阳能系统中,光伏逆变器是极为重要的一含组成书分,而太阳能逆变器的性能又与半导体器件的性能息息相关。丈中说光伏逆变器及功率半导体器件的选择做了介绍。     

新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅱ)

4 宽禁带半导体功率器件的发展背景 宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因之一是源于美国军方的兴趣,尤其是2002年美国国防先进研究计划局(DARPA)通过并实施了宽禁带半导体技术计划(WBGSTI),该计划极大地推动了宽禁带半导体技术的发展.     

飞兆半导体DualCool^TM封装满足DC—DC设计对更高功率密度需求

随着功率模块、电信和服务器等DC—DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。     

飞兆半导体Dual Cool~(TM)封装满足DC-DC设计对更高功率密度需求

<正>随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑,设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题,而器件的热性能是人们关注的考虑因素。为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,