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钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的研究。用AFM、SEM和AES分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明,不同峰值温度烧成的厚膜电阻器,由于微观结构的不同,其阻值存在着较大的差异。 相似文献
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采用静电放电(Electrostatic discharge,ESD)发生器对RuO2厚膜电阻直接放电,研究了电阻阻值变化率与电阻尺寸、阻值和ESD条件的关系。结果表明:厚膜电阻阻值受ESD作用而下降;相同ESD及阻值条件下的阻值变化率随电阻尺寸的增大而减小;相同电阻的阻值变化率随ESD电压的增大而增大;10kΩ左右的厚膜电阻在ESD作用下的阻值变化率最大,阻值变化率随着阻值的减小和增大而呈减小趋势;对10kΩ厚膜电阻反复施加不断增大的ESD电压,除宽度尺寸为0.45mm的电阻阻值在8~10kV之间出现一次回升外,电阻阻值逐步下降。 相似文献
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用红外炉烧结厚膜元件和厚膜电路,可以缩短烧结周期、提高生产效率,节省能源和降低成本。利用红外炉,不仅可以烧结责金属厚膜材料,而且也能够烧成贱金属厚膜材料,如铜导体等。此外,红外炉还适于厚膜多层电路的烧结,可以减小电路在多次重烧过程中的性能衰退和基板变形,以及提高电路的产量、质量和降低成本。本文叙述红外烧结的特点、烧结原理以及厚膜导体,电阻、介质(包括厚膜电容器)和厚膜多层电路的红外烧结。 相似文献
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秦兆铨 《上海微电子技术和应用》1995,(1):25-33,62
本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品,包括性能及生产流程给出了一个简单介绍,着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。 相似文献
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制备了不同表面电阻率的Ru基厚膜应变电阻浆料,研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系,并对其导电机理与特性进行了分析。 相似文献
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钌基厚膜电阻导电机理的国内外研究状况 总被引:1,自引:0,他引:1
较全面的对国内外厚膜电阻导电机理的研究状况进行了综述,介绍了均匀分布模型,均匀通道模型。非隧道势垒模型,隧道势垒模型及其优缺点。对隧道壁垒模型进行深入的分析和讨论。并运用这些理论解释了厚膜电阻的温度特性、电场特性和热电效应。 相似文献
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烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过应用毛细作用的基本公式得到钌基厚膜应变电阻烧结阶段的模型。用Bi2O3和RuO2合成Bi2Ru2O7并进行试验,发现方阻随烧结时间和导电相粒径的增大而增大。用该模型解释了该现象,同时解释了导电相不同的体系,应尽导电相含量一样,但方阻不同,以及方阻随玻璃粘度增大而减小。 相似文献
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