电子和Ar_2~ 分子离子的三体离解复合

本文用测量电离的Ar气电导率的方法,在几个大气压和电子平均能量约2.8电子伏的条件下,研究了当5.0×10~(-18)≤E/N≤1.76×10~(-17)伏·厘米~2时电子和Ar_2~ 分子离子的离解复合过程。结果表明,有效复合速率常数的变化从3.79×10~(-7)厘米~3/秒到1.23×10(-7)厘米~3/秒,由此计算,得到了二体离解复合速率常数α_2=(5±2)×10(-8)厘米~3/秒,三体复合反应速率常数K_p=(2.44±1.40)×10~(-27)厘米~6/秒。三体过程的贡献比二体过程约高一个数量级。     

Cd_xHg_(1-x)Te晶体杂质导电区的载流子复合

研究了n-型Cd_xHg_(1-x)Te晶体(x=0.195～0.22,85K时平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3))中的带间俄歇复合。列出在杂质导电区实现最佳寿命τ的条件。计算了τ与组分和掺杂程度的关系。就光电灵敏度下降的样品,讨论了材料中可能产生的显微不均匀性和局部中心的复合过程。     

GGG:Ho~(3 )晶体的光谱强度参数

本文应用Judd-Ofelt理论,由晶体的吸收光谱获得了Gd_3Ga_5O_(12):Ho~(3 )(简写GGG:Ho~(3 )振子强度的实验与计算值,用最小二乘方法拟合出的强度参数为Ω_2=0.24×10~(-20)cm~2、Ω_4=1.41×10~(-20)cm~2、Ω_6=1.09×10~(-20)cm~2。进而计算了电偶跃迁几率与辐射寿命。     

红外探测用球形雪崩二极管

本文介绍硅和硅-锗混合晶体的球形雪崩二极管的探测特性。二极管是在自持雪崩放电区内工作的。所以通过计算自持雪崩而测定光子通量。硅雪崩二极管的光谱响应范围为0.5～1.2微米;异质结雪崩二极管的光谱响应为0.5～1.5微米。当速率计的时间常数为10秒时,在室温下、波长λ=0.75微米时,噪声等效功率NEP=4×10~(-18)瓦,而λ=1.35微米时,NEP=3×10~(-12)瓦。相应的探测率分别为:D＊=9·10~(13)“厘米·秒~(1/2)瓦~(-1)及D*=1·10~8厘米·秒~(-1/2)瓦~(-1)。通过冷却二极管到-30℃,NEP值将下降,D*值将提高10倍。     

石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质

本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77)~K=9.41×10~4～1.22×10~5厘米~2/伏·秒,n_(77)K=3.77×10~(13)～4.53×10~(14)厘米~(-3)。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施主浓度N_D、熔融KOH腐蚀坑密度和生长层表面氧化膜的影响以及这些参数间的相互关系。 根据生长层的电学性质,计算了室温迁移率的计算值与实测值之差Δμ300K。发现,后者随N_D增加而降低,恰与前一文报导的用石英舟液相外延的情况相反。由此推测,在本文实验条件下,迁移率刽子手的本性也与前文有所不同,而以碳或碳化物较为可能。     

锂氧电池复合电解质电化学性能研究

将LiPF_6溶入EC/EMC/DMC作为锂氧电池电解质主体,并分别加入[Emim]BF_4和[DEME]TFSI离子液体制成复合电解质材料,组装成锂氧电池。通过循环伏安、交流阻抗、恒流充放电等方式研究复合电解质的电化学性能。结果表明,LiPF_6溶入EC/EMC/DMC-[Emim]BF_4体系复合电解质表现出较优的电化学性能,在0.025×10~(–3)A·cm~(–2)电流密度下电池首次放电比容量为2 672×10~(–3)Ah·g~(–1),能量密度达6.468×10~(–3) Wh·cm~(–2)。     

惰性气体三倍频技术产生真空紫外辐射的研究

分别利用Kr气、Xe气三倍频技术产生真空紫外(VUV)激光,其波长范围分别为γ=120.44～122.62 nm 和γ=118.03～118.59 nm,当染料激光器(基频)输出能量是3 mJ/脉冲时,Kr 气在121.6 nm 的转换效率(?)=5.6×10~(-7),Xe 气在118.2 nm 处(?)=5.5×10~(-6),此外还测定了 Kr 气、Xe 气分别在上述波长范围内的单位原子波矢失配值。     

微波器件用的外延砷化镓的生长和评价

用液相外延(LPE)法生长了单层、双层和三层结构的外延层。在1(1/2)吋长的片子上生长的外延层有可控性好、厚度均匀以及表面好等特征。多层结构中的每层生长厚度为0.3～30微米。77°K的霍尔迁移率从73,800厘米~2/伏·秒,(N=1.4×10~(15)厘米~(-3))变到24,000厘米~2/伏·秒(N=1.3×10~(16)厘米~(-3))。把净载流子浓度和熔体中Sn的浓度作对比,计算了Sn在GaAs中的分凝系数,对<100>GaAs为7.9×10~(-5),对<111B>GaAs为2.6×10~(-4)。由这种材料并用一般的倒装技术而制造的耿氏器件,在54千兆赫下有高达4％的连续效率,而在9～10千兆赫时,连续效率猛增至12.5％。这一技术已被成功地用来生长为制造变容管、雪崩管、场效应管和光阴极所需的外延层。     

高纯外延砷化镓

据报导日本电气通信研究所采用一种密闭的AsCl_3-Ga-H_2汽相外延系统,重复地生长出了高纯度的砷化镓外延层。低温(77°K)迁移率在1.8×10~5～2.1×10~5厘米~2/伏·秒的范围内。改变AsCl_3的浓度能够获得载流子浓度低于10~(15)厘米~(-3)的材料。已获得了载流子浓度为(2.0～5.3)×10~(13)厘米~(-3)的外延层,而且重复性较好。实验发现,当     

资料简介索引

用液相外延技术已成功地生长了波长～1.33微米的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。制备和测量了光电二极管。异质结分析表明在室温下正向偏压的结电流是以产生-复合机理为主。计算得出产生-复合有效寿命为2×10~(-7)秒。在30伏反向偏压下观察到9×10~(-6)安/厘米~2的漏电流密度,二极管击穿电压为70伏。     

高温焦平面用光伏Hg_(1-x)Cd_xTe技术

Hg_(1-xCdxTe)光电二极管技术的最近进展是提高了整个1～20微米光谱段高温的探测器灵敏度。对1～3微米辐射灵敏的短波长光电二极管,室温蜂值探测率是在4×10~(11)和8 × 10~8厘米赫1/2/瓦之间,视峰值波长而定。对3～5微米辐射灵敏的中等波长光电二极管,在193K和130K温度下的峰值探测率分别为1×10~(11)和1 ×10~(12)厘米赫1/2/瓦。对12微米辐射灵敏的长波长光电二极管,其峰值探测率在65K时为5×10~(10)厘米赫1/2/瓦,在10K时为5×10(11) 厘米赫1/2/瓦。     

放射线图象转换屏

日本专利:富士公司研制了二价铕激活氟卤化钡做基质的荧光材料,其化学式如下:(Ba_(1-a-(?)),M.Zn,)FX,cNaX′:xEu_2 式中:M 是碱土金属,选 Ca 和 Sr 中至少一种,X 或 X′是卤族元素 Cl,Br,I 中的一种。a=0—5×10~(-2), b=0—10~(-1),c=0—2.0,x=0—0.2。可供参考的选择为:a=5×10~(-4)—2×10~(-2),b=5×10~(-4)—10~(-2),C=10~(-5)—5×10~(-1),X 为 Br 或 I,X′为 Er。     

柔性PANI-SnO_2复合薄膜的制备及其对NH_3的气敏特性

以苯胺与二氧化锡(SnO_2)为前体,通过将原位化学氧化聚合法与静电吸附相结合,在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备了聚苯胺-二氧化锡(PANI-SnO_2)复合薄膜。通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)与X射线衍射(XRD)对复合薄膜的结构与形貌进行表征,证实了PANI-SnO_2的成功合成与复合。对其在室温条件下进行了一系列气敏性能测试,结果表明SnO_2的添加有效提升了PANI对氨气(NH_3)的响应能力;该PANI-SnO_2复合薄膜对体积分数为1×10~(-5)～6×10~(-5)的NH_3具有良好的灵敏度,此外,该复合薄膜具有良好的重复性与选择性;而且在进行弯折处理后,PANI-SnO_2对NH_3的响应值并无明显变化。上述结果都表明PANI-SnO_2复合薄膜对NH_3的检测具有实际应用价值。     

变阻器用新材料

研制出一种由碳化硅,导体和绝缘体组成的复合变阻器材料。这种材料具有橡胶般的柔性,也易于成形。与碳化硅变阻器相比,它的漏电阻率(～10~(12)Ωcm)较高、非线性(～10)较大,所以可以用它做无间隙电涌抑制器。这种材料的击穿电压(1—10kV/cm)和其他特性随组份变化。同时,这种材料的电流容量大(>200A/cm~2),能量吸收强(>40J/cm~3),温度系数(～4×10~(-3)/K)和介电常数(～10)小,没出现峰值损耗。     

PbTe/PbSnTe异质结红外探测器

本文用液相外延方法制备异质n/p结构n-PbTe/p-PbSnTe/p~ -PbSnTe外延片。衬底为汽相法生长的PbSnTe,晶向为(100),外延生长温度为520°～550℃。在纯净氢气氛下长出平整无沾铅的外延片。用台面二极管工艺制备红外探测器,在77K下,十元线列的平均性能分别为D_(10μm)~*=1.94×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),R_(bb)~*=1.2×10~3V/W,R_0A=0.25Ωcm~2,λ_0=11.6±0.1μm。小光点试验和电学测量表明:电学和光学串音可忽略不计。单元器件D_λ~*最大达2.91×10~(10)cmHz(1/2)W~(-1),R_0A最大达3.4Ωcm~2。噪声频谱测试表明:1/f拐点处的频率可低达30～40Hz。     

高质量n-Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te外延膜的制备及其在红外探测器(λ=8～14μm)中的应用

在过Hg压下对外延膜退火,然后给退火层扩散铟,可在CdTe衬底上制得高迁移率的n-型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te液相外延膜,其重复性好。在77K时,载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.5～2.0×10~(15)cm_(-3)和1.0～1.5×10~5cm~2/V·s。使用这些外延膜之一制作的光导红外探测器的D_μ~*>2×l0~(10)cm·Hz~(1/2)/W(8～14μm),峰值D_(λp)~*3×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W(13μm)。     

8～12μmn p 型碲镉汞光电二极管的电流机理与1/f 噪声

工艺上的改进促成了产生一复合电流和1/f噪声低的注硼8～12μn~ p结Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te结型光电二极管,本文利用扩散及产生一复合电流与温度的依赖关系,首次成功地模拟了碲镉汞的伏安特性曲线。它与光电二极管面积的关系表明,产生一复合电流实质上是一种表面电流,可由耗尽层表面复合速度描述,这是在S_0=2×10~6cm/s时测量的。利用这种伏安模拟技术可定量地测定S_0,经过改进,S_0可减少至4 ×10~4cm/s_0探测器偏置对1/f噪声有很大影响,最小的1/f噪声出现在零偏时。最近报导了3～5μ碲镉汞光电二极管的这种1/f噪声与表面产生一复合电流的关系。目前的8～12μ碲镉汞光电二极管表明,在所观察的S_0范围内,都具有类似的关系。     

基于P3HT的无铅钙钛矿太阳能电池性能仿真研究

综合考虑无毒、价廉等因素,设计以P3HT为空穴传输层的锡基钙钛矿太阳能电池。以太阳能电池模拟软件SCAPS-1D对结构为TCO/Ti O_2/CH_3NH_3Sn I_3/P3HT/Au的太阳能电池进行数值模拟仿真,探讨吸收层、电子传输层和空穴传输层的厚度和掺杂浓度,以及吸收层缺陷态密度对电池性能的影响。由仿真结果可知,当吸收层、电子传输层和空穴传输层的厚度分别为140、20以及200 nm,掺杂浓度分别为1×10~(16)cm~(-3)、1×10~(16)cm~(-3)和1×10~(17)cm~(-3),吸收层缺陷态密度为1×10~(16)cm~(-3)时,取得了较佳的结果:V_(oc)=0.77 V,J_(sc)=20.48 m A/cm~2,FF=71.58%,PCE=11.27%。     

用准静态技术测量Si-SiO_2界面态

准静态枝术是测量Si—SiO_2界面态按能量分布的一个简单迅速的方法。可测禁带中央约0.4ev范围的界面态分布和表面势。在禁带中央,×10~(10)数量级的界面态测量误差小于26%,×10~9数量级绝对误差在本数量级,×10~(11)数量级误差小于10%。目前用来测N_A=4×10~(14)/cm~3的P—Si氧化界面态。     

10.6微米碲镉汞光电二极管

理论和实验结果1.材料鉴定在光电二极管的制造中,选择Hg_(1-x)Cd_xTe的理论标准为:响应时间、杂质浓度、量子效率和决定适用光谱响应的组分x(CdTe的克分子数)。本节分析n-P和P-n型这两种基本二极管结构的极限频率。分析得出:衬底中少数载流子的渡越时间与迁移率及吸收系数的平方成反比。α=2×10~3厘米~(-1)时,n-P型的 t_r=3.5×10~(-10)秒,P-n型的t_r=60×10~(-9)秒;n-P结器件的渡越时间比P-n结