铝在中、碱性土壤中的腐蚀行为研究

通过对铝在中、碱性土壤中1～8年自然埋藏试验结果的分析,研究了铝在中、碱性土壤中的腐蚀行为,主要表现为局部斑点腐蚀并伴有穿孔发生。腐蚀原因主要与土壤类型、通气性、Cl     

线缆金属材料在土壤中腐蚀行为研究

采用自然埋藏的研究方法对线缆金属材料铅、铝、涂漆钢带、涂塑钢丝在我国各种酸、中、碱性土壤中埋藏8年及40年的腐蚀试验结果进行分析，总结了金属材料腐蚀的规律及土壤和土壤微生物对金属作用影响因素。     

线缆金属材料在土壤中腐蚀行为研究

采用自然埋藏的研究方法对线缆金属材料铅、铝、涂漆钢带、涂塑钢丝在我国各种酸、中、碱性土壤中埋藏8年及40年的腐蚀试验结果进行分析,总结了金属材料腐蚀的规律及土壤和土壤微生物对金属作用影响因素。     

碳钢、铜、铅、铝在不同土壤中的腐蚀特性

将碳钢、铜、铅、铝试件在中性草甸土、酸性红壤和碱性荒漠土及西部内陆盐土中进行自然埋藏研究,不同的金属在不同土壤中的腐蚀程度不同。碳钢在草甸土中的腐蚀较重,铅在红壤中的腐蚀较重,铜在荒漠土中的腐蚀较重,铝在西部4种内陆盐土中腐蚀较重。腐蚀原因分析表明:草甸土中高含水量及低电阻率,红壤中低pH值及高含量的NO₃^-,荒漠土及西部内陆盐土中高含量的Cl^-和SO₄^2-及土壤质地不均,对各种金属造成不同程度的腐蚀,各种土壤中微生物的活动都促进了金属的腐蚀。     

沈阳菜园型草甸土中线缆及材料埋藏试验研究

将线缆和材料在沈阳站菜园型草甸土中进行土壤环境自然埋藏及定期测量土壤环境因素和土壤微生物,研究其腐蚀变化规律及腐蚀原因。结果表明:金属材料铝腐蚀严重、穿孔;涂漆钢带腐蚀较重;铅土壤腐蚀较轻,线缆外护套性能保持较好。该站土壤为菜园型草甸土,土壤pH值6.9,呈中性,盐含量也较低,但是该站微生物活动强烈,造成金属的腐蚀。     

大港滨海盐土中线缆及材料埋藏试验研究

将线缆和材料在大港滨海盐土中进行土壤环境自然埋藏及定期测量土壤环境因素和土壤微生物,研究其腐蚀变化规律及腐蚀原因.结果表明：金属材料涂漆钢带腐蚀严重;铝腐蚀较重;铅土壤腐蚀较轻;涂塑钢丝及线缆外护套性能保持较好.该站土壤为滨海盐土,高pH值,高含水率,高含盐量及微生物活动强烈,造成金属的腐蚀.     

铝栅碱性CMP的析氢腐蚀北大核心

采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性。对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究。通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O I非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀。通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O I非离子型表面活性剂的体积分数为1.5%时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好。     

铅在酸性土壤中的腐蚀行为研究

采用试件自然埋藏的方法研究了铅护套在酸性土壤中1～8年的腐蚀行为。结果表明,铅呈大面积斑点腐蚀,蚀孔小而深。发现酸性土壤中铅的腐蚀率与腐蚀电位有很好的对应关系。铅的腐蚀与土壤PH值、土壤通气性、土壤盐分及土壤微生物有关。     

成都草甸土中碳钢、铝、铅的短期腐蚀行为

采用在成都材料土壤腐蚀试验站巾（草甸土）进行碳钢、铝、铅试件短期自然埋藏及定期测量土壤环境因素、土壤微生物方法,研究了碳钢、铝、铅短期埋藏的腐蚀变化规律及腐蚀原因。结果表明：碳钢、铝、铅甲均腐蚀率随时间变化规律基本遵循方程式C=AT^B,成都草甸土中高含水量、低电阻率、可溶性盐及土壤微生物的活动促进了碳钢、铝、铅的腐蚀。     

异丙醇在硅碱性腐蚀液中的作用

在硅单晶的碱性腐蚀过程中,往往由于碱性腐蚀液对单晶硅的腐蚀速率过快,从而增大了硅单晶片表面的粗糙度。异丙醇有着减缓腐蚀速率的功效因而降低了硅单晶片表面的粗糙度。主要讨论了异丙醇在碱性腐蚀液中的作用原理并对腐蚀实验结果做了分析。     

土法铝腐蚀——化学电释氢法

这里介绍一种不用外加直流电源腐蚀铝的工艺方法,能大量消除腐蚀过程中被腐蚀的铝表面产生的氢气泡,也就消除了铝斑。这种方法的主要之点是将铝腐蚀过程中的电荷转移用外加电极的方法加以导引,使气泡由铝表面释放转移到外加电极上释放,效果显著,也为判断感光胶对铝的粘合力的优劣提供了一个适当的方法     

通信光缆用防雷排流线——镀锌钢丝埋藏试验研究

将通信光缆用防雷排流线——镀锌钢丝在我国部分材料试验站进行土壤环境自然埋藏,定期测量土壤环境因素和土壤微生物含量,研究钢丝的力学性能变化及腐蚀规律。结果表明：土壤对镀锌钢丝的腐蚀较重,土壤的理化性质及微生物活动对其影响很大。     

VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究

研究了半绝缘Ga As的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的TTV和粗糙度比较稳定。     

涂塑钢丝及涂塑钢带埋藏试验研究

将涂塑钢丝及涂塑钢带投放在土壤环境材料腐蚀国家野外科学观测研究站进行试验,研究其腐蚀规律及腐蚀原因。结果表明:涂塑钢丝土壤腐蚀较轻,机械性能保持较好。涂塑钢带在土质较均匀的土壤中未发生穿孔,而在在土质不均匀的砾石土壤中却发生了穿孔。腐蚀是由于尖锐的砾石戳破了涂塑层,使钢带出现裸露点,紧压的砾石造成的氧浓差电池以及盐分等因素影响所致。在短期埋藏时间内涂塑钢带抗张强度性能保持较好,断裂伸长率性能下降幅度却较大。     

铅在酸性土壤中的腐蚀行为研究

采用试件自然埋藏的方法研究了铅护套在酸性土壤中1～8年的腐蚀行为。结果表明,铅呈大面积斑点腐蚀,蚀孔小而深。发现酸性土壤中铅的腐蚀率与腐蚀电位有很好的对应关系。铅的腐蚀与土壤PH值、土壤通气性、土壤盐分及土壤微生物有关。     

铝膜的电解腐蚀

一、引言铝膜光刻质量的好坏直接影响着集成电路的成品率和可靠性。目前铝光刻通常采用酸或碱溶液化学腐蚀法。在磷酸化学腐蚀法中,由于所产生的氢气附在铝膜的表面,因而妨碍了继续腐蚀,可能造成互连引线间的短路使电路失效;同时腐蚀终点较难准确判断,容易造成腐蚀过头,不利于窄条光刻。用氢氧化钠加铁氰化钾溶液腐蚀铝膜的方法克服了上述磷酸腐蚀的缺点,虽利于窄条光刻,但却引入钠钾离子可能会污染器件。此外,当铝膜较厚时,这种腐蚀液对光刻胶的浸蚀也不能忽视。为了克服上述缺点提出了电解腐蚀法,我们经过一个阶段的试验,现将初步结果总结如下。     

锗单晶片的碱性腐蚀特性分析

讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性.研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律.通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐蚀速率有关而与去除量无关.腐蚀片的表面粗糙度和去除量有关,去除量越大,粗糙度越大.表面粗糙度也与腐蚀液的碱性强弱有关,当去除量相同时,在强碱性腐蚀液中的锗腐蚀片的表面粗糙度更小.在实际应用中,应针对不同目的,选择适宜的化学腐蚀工艺.     

从钝态金属上镀取传声器膜片——电镀特种工艺在测试用传声器研制中的应用

一、前言钝性,亦称惰性,是指某些金属或合金对于大气或各种介质的化学稳定性.例如铝和铝合金在一般大气中相当稳定,镍对于氧化物介质或碱性介质也十分稳定;铁浸入浓的硝酸里,开始时稍有腐蚀(产生气泡),但很快就稳定下来,不会继续遭到溶解.不锈钢对于许     

电解腐蚀形成铝电极

现在,在半导体器件和集成电路中,其电极(布线)材料一般都用蒸发铝膜。特别是在集成电路中,为了高密度化和提高成品率,其电极(布线)的形成更是如此。本文概述用电解腐蚀形成铝电极的方法。图形形成技术——铝电极形成技术铝电极的形成方法,已知有光刻腐蚀法,选择阳极氧化法等等,可分类如下:1.把不要部分去除法(1)光刻腐蚀法——化学腐蚀法,电解腐蚀法。(2)剥离法——在片子上预先把光刻抗蚀剂膜涂复在电极以外的不要部分上进行铝蒸发。其后,用剥离剂将抗蚀剂膜去除,抗蚀剂上的蒸发铝膜也被剥离而形成铝电极。     

一种新的铝和铝-铜-硅的干法腐蚀技术

本文介绍一种新的干腐蚀技术,即铝的“反应掩蔽溅射腐蚀”技术。这种工艺技术可刻蚀微细线条的铝和铝-铜-硅合金膜图形,没有目前通用的反应溅射腐蚀方法存在的许多麻烦问题。这种技术把淀积和腐蚀包含在一个工艺过程之中,在三氧化二铝、铝和铝-铜-硅合金被腐蚀的同时,所有其他材料表面却被涂敷上一层SiOx膜。这在本质上产生特别大(铝/掩模和铝/衬底)的腐蚀速率比。此外,腐蚀气体不含有通常会产生浸蚀和钻蚀现象的氯。事实上,这种腐蚀技术兼有反应溅射腐蚀和非反应溅射腐蚀的优点。本文介绍的腐蚀气体是四氟化硅/氧混合气体。研究结果表明,大多数添加的杂质气体对腐蚀的影响非常小。但是,添加水或氢气则可明显地影响腐蚀特性。文章示出了用光致抗蚀剂作掩蔽层采用四氟化硅/氧/氢混合气体进行反应掩蔽溅射腐蚀的典型腐蚀剖面。