第十一届全国分子束外延学术会议征文通知(第二轮)

·会议时间:2015年8月25~28日·会议地点:四川省成都市(银河王朝大酒店,中国四川省成都市顺城大街88号)·会议网址:http://mbe2015.csp.escience.cn·主办单位:中国有色金属学会半导体材料学术委员会、中国电子学会电子材料分会·承办单位:中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所·会议宗旨,全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延(MBE)及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向,拓宽分子束外延的应用领域,为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道,从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。     

第一届全国MBE学术会议概况

<正> 由中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延(MBE)学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校和工厂的代表约80人参加了会议,中国电子学会电子材料学会主任委员宋秉治也出席了这次会议。会议组织委员会主席、半导体所孔梅影研究员作了题为“中国分子束外延技术的发展”的报告。会上共发表了大会报告14篇、小会报告44篇,就MBE材料生长、性能研究、器件研制和设备的研制、改进等方面进行了充分、广泛的学术交流。国际上著名的MBE设备生产厂家之一——法国Riber公司的代表也在会上介绍了国外MBE的进展和他们的产品。     

全国第一届分子束外延学术会议纪要

<正> 受中国电子学会电子材料学学会分子束外延(MBE)学组筹备组的委托,中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校及厂家的代表约80人,电子学会电子材料学学会主任宋秉治同志也前来参加会议。会上共宣读论文、报告58篇,就MBE材料生长、性能研究、器件和设备的改进、研制等方面内容进行了充分的、广泛的学术交流。国际上著名的MBE设备生产厂家之一,法国的Riber公司的代表也在会上介绍了国外MBE的进展和他们的产品。     

第六届全国分子束外延学术会议通知

受中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料学分会委托 ,由信息产业部电子第五十五研究所承办的“第六届全国分子束外延学术会议”定于 2 0 0 1年 8月初在贵州省贵阳市召开 ,会议将邀请国内外 MBE领域的专家、学者作专题学术报告 ,组织国内同行间的大会或分组报告 ,现将会议征文通知如下 :一、会议内容会议将集中交流有关分子束外延生长的理论、技术、设备和应用等方面的最新研究成果 ,达到增进交流、相互促进的目的。二、征文要求1.来稿应是未在国内外刊物和会议上发表过的。2 .论文要求应有所创新、重点突出、内容…     

分子束外延(MBE)技术的最新发展

本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二氧化硅等人造结构材料及器件。介绍了迁移增强外延(MEE)、间隔生长和温度开关等改进的 MBE技术。展望了分子束外延的发展。     

分子束外延材料表面平整度的研究

分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响.分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大.本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面平整度的影响,通过实验发现脱氧工艺的高温影响最大,其次是Si片自身的表面平整度和外延膜...     

PHEMT结构材料及器件

概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。     

全固源分子束外延生长InP和InGaAsP

在国产分子束外延设备的基础上,利用新型三温区阀控裂解源炉,对InP及InGaAsP材料的全固源分子束外延(SSMBE)生长进行了研究.生长了高质量的InP外延层,表面缺陷密度为65cm-2,非故意掺杂电子浓度约为1×1016cm-3.InP外延层的表面形貌、生长速率及p型掺杂特性与生长温度密切相关.研究了InGaAsP外延材料的组分特性,发现在一定温度范围内生长温度对Ⅲ族原子的吸附系数有较大影响.最后得到了晶格匹配的In0.56Ga0.4As0.04P06材料,低温光致发光谱峰位于1507 nm,FWHM为9.8 meV.     

Si基HgCdTe材料的电学特性研究

文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性.研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高.采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高.改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键.     

Si基HgCdTe材料的电学特性研究

文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低；Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料，但高补偿性并非材料的固有特性，通过P型退火可使材料变为低补偿材料，迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比，性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量，从而进一步提高迁移率，是Si基外延研究的关键。     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格(SLS)的结构与光谱特性

对用分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格进行了俄歇电子能谱、透射电镜及喇曼散射等分析测试,结果表明材料具有良好的结构与光谱特性。     

分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究

InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。     

Si基HgCdTe材料的电学特性研究

文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低；Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料，但高补偿性并非材料的固有特性，通过P型退火可使材料变为低补偿材料，迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比，性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量，从而进一步提高迁移率，是Si基外延研究的关键。     

中国分子束外延技术的发展

本文评述了我国自70年代中期开始分子束外延(MBE)研究以来的MBE设备、材料及器件应用的发展和现状。     

全固源分子束外延生长InP和InGaAsP

在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3.In P外延层的表面形貌、生长速率及 p型掺杂特性与生长温度密切相关 .研究了 In Ga As P外延材料的组分特性 ,发现在一定温度范围内生长温度对 族原子的吸附系数有较大影响 .最后得到了晶格匹配的 In0 .56Ga0 .4 4 As0 .94 P0 .0 6材料 ,低温光致发光谱峰位于 1 50 7nm,FWHM为 9.8me V.     

高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长

采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s).     

用分子束外延方法在4"硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵

美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件.测试数据表明,用分子束外延晶片制造的截止波长范围为4μm～7μm的探测器的性能堪与用液相外延方法生长的材料的趋势线性能匹敌.两者的光谱特性相似,但前者的量子效率略低,这归因于所使用的硅衬底.在R0A参数方面,HgCdTe/Si器件比用液相外延方法生长的探测器更接近理论辐射限.通过一个简单的模型,已知材料中的缺陷密度关系到器件的性能.同液相处延材料相比,分子束外延材料的1/f噪声略有增加,但测得的噪声电平还不足以明显降低焦平面列阵的性能.Raytheon公司除了用分子束外延材料制造分立的探测器之外,还用这种材料制造了两种规格的焦平面列阵.制造出来的128×128元焦平面列阵的中波红外灵敏度与用成熟的InSb工艺制造的焦平面列阵相似,而像元的可操作率已超过99%.用分子束外延材料制造的640×480元焦平面列阵则显示出更高的灵敏度和可操作率.     

用分子束外延方法在4″硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵

美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件。测试数据表明,用分子束外延晶片制造的截止波长范围为4μm～7μm的探测器的性能堪与用液相外延方法生长的材料的趋势线性能匹敌。两者的光谱特性相似,但前者的量子效率略低,这归因于所使用的硅衬底。在R_0A参数方面,HgCdTe/Si器件比用液相外延方法生长的探测器更接近理论辐射限。通过一个简单的模型,已知材料中的缺陷密度关系到器件的性能。同液相处延材料相比,分子束外延材料的1/f噪声略有增加,但测得的噪声电平还不足以明显降低焦平面列阵的性能。Raytheon公司除了用分子束外延材料制造分立的探测器之外,还用这种材料制造了两种规格的焦平面列阵。制造出来的128×128元焦平面列阵的中波红外灵敏度与用成熟的InSb工艺制造的焦平面列阵相似,而像元的可操作率已超过99％。用分子束外延材料制造的640×480元焦平面列阵则显示出更高的灵敏度和可操作率。     

调制掺杂低噪声器件

制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。     

金融危机中的中国覆铜板工业——CCLA高层论坛及CCFA年会综述

2009年4月25日和4月28、29日,中国电子材料行业协会电子铜箔材料分会(CCFA)和覆铜板材料分会(CCLA),分别在苏州和南京召开会议,研讨行业发展形势。两个上、下