Fe_3O_4磁性纳米颗粒的制备及性能表征

以Fe_2(SO_4)_3·6H_2O,FeSO_4·4H_2O和NH_3·H_2O为原料,采用化学共沉淀法制备Fe_3O_4磁性纳米颗粒,并通过XRD、FTIR、TEM和VSM手段,研究了反应温度对其结构、形貌和磁性能的影响。结果表明:制备的Fe_3O_4磁性纳米颗粒表面包裹了一层有机物质,呈球形,大小均匀,平均粒径在13nm左右,分散性好,饱和磁化强度Ms最大值可达53.38A·m~2·kg~(–1),且反应温度70℃时其磁性能最佳。     

Au纳米颗粒的形状和尺寸对表面等离子体的影响

通过调控Au纳米颗粒的形状和尺寸,研究了Au纳米颗粒的形状和尺寸与表面等离子体之间的关系。通过直流磁控溅射的方法在外延片上溅射Au薄膜,并采用快速热退火和常规热退火两种方式对其进行热退火,制备出Au纳米颗粒。使用不同热退火方式、不同热退火温度及不同Au薄膜厚度来改变Au纳米颗粒的形状和尺寸,并对Au纳米颗粒的表面形貌及它的消光谱进行了分析,对比了不同形貌的Au纳米颗粒对表面等离子体共振特性的影响。实验结果表明,使用普通热退火制备的Au纳米颗粒形状接近球体,而使用快速热退火得到的Au纳米颗粒的形状更接近棒体;随着热退火温度的升高,表面等离子体的共振波长发生红移;随着Au薄膜厚度的增加,表面等离子体的共振波长也发生红移。     

以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒

首次以ZnS为源,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关．在没有Au催化的条件下,ZnO颗粒呈圆形颗粒,直径多在30-200nm之间,密度为10^4-10^9cm^-2;有Au催化的条件下,ZnO纳米颗粒呈六边形,平均尺寸明显变小,在10—100cm之间,而密度显著提高,为10^8-10^10cm^-2所制备的纳米ZnO颗粒在497nm和376nm附近分别有很强和较弱的光致发光．     

钴-铂双金属纳米颗粒的制备和特征描述

CoPt3纳米颗粒是用NaBH4作为还原剂采用二阶法来合成的。纳米颗粒通过热重分析法（TG）、差热分析法（DTA）、傅立叶红外变换法（FT-IR）、扫描电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）来表征。分光镜的研究显示纳米颗粒采用平均颗粒大小为2．6纳米的面心立方（FCC）晶体结构。超导量子干涉器研究显示合成的纳米颗粒在室温下具有超顺磁性，同时在温度为1．85K时也具有铁磁性，还伴随有9800e的矫顽力。试样在500℃时退火引起颗粒尺寸的增加和矫顽力的减小。     

Fe-In2O3纳米复合颗粒膜的制备和磁特性研究

采用射频溅射法制备了“纳米铁磁金属颗粒．半导体基体”Fe-In2O3复合颗粒膜，研究了颗粒膜磁特性随晶格结构的变化规律。实验结果表明，通过真空退火处理可改变Fe-In2O3复合颗粒膜中纳米Fe颗粒的尺寸大小；颗粒膜的比饱和磁化强度σs随Fe颗粒尺寸的减小而降低，矫顽力日e随Fe颗粒尺寸的变化出现峰值，表现出磁性单畴颗粒的临界特性。     

激光烧蚀制备按尺寸自然分离的纳米Si晶粒

提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000Ω.cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5-2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。     

气相闪蒸纳米硫化铅的表征及其短波红外探测的应用

用气相闪蒸法制备了纳米PbS薄膜.通过在Ar气氛下闪蒸PbS粉末,实现了纳米级PbS颗粒淀积,PbS纳米颗粒大小可以通过改变Ar气压来控制,所得颗粒直径在5～20 nm之间.透射率谱清晰表明纳米PbS薄膜的吸收带边随纳米颗粒直径减小而兰移.PbS纳米颗粒的x射线衍射结果和透射电镜形貌观测结果相一致.分析了纳米PbS颗粒的尺寸分布,探讨了将此类纳米PbS薄膜应用于短波红外探测的可能性.     

RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒

利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。     

sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究

采用长链甲基三甲氧基硅烷〔Cn H2 n+ 1 Si(OCH3)〕和正硅酸乙酯 (TEOS)两种有机物为起始原料 ,用溶胶 -凝胶法通过合理控制反应条件 ,制备出β- Si C凝胶粉体 ,然后在 Ar气氛、 90 0～ 130 0℃下热处理 ,制备出了高纯、低氧含量 ,直径 2～ 10 nm,长度 40～ 80 nm的β- Si C纳米晶须。产物纯度达到 99.92 %。利用 X射线粉晶衍射、透射电镜 (TEM)、拉曼光谱等测试方法对制得的晶须进行了结构及颗粒尺寸等研究。讨论了反应条件对β- Si C纳米晶须生长的影响     

Ca10(PO4)6(OH)2纳米粉体的制备及TEM分析

采用化学沉淀法合成纳米羟基磷灰石粉体,考察了工艺参数一反应物浓度和反应温度对纳米粉体的粒度和结晶度的影响。用等离子发射光谱、红外光谱、X射线衍射和透射电镜等实验手段对粉体的粒度和表面形貌进行了表征。结果表明：反应温度是影响纳米颗粒粒度和结晶度的主要因素,通过控制反应温度可以得到不同粒度的纳米颗粒。37℃下合成的纳米颗粒尺寸接近人体骨的纳米结晶(30～40nm),75℃下合成的纳米颗粒尺寸接近牙釉质的纳米结晶(150～170nm)。醇洗可以有效地改善沉淀法合成的纳米羟基磷灰石粉体的分散性。