国内外文摘速报

20040101逐次溅射沉积法制备底漆和薄膜的系统及方法美国专利申请US2003010624,2003-01-16.题述方法论述的是:利用逐次沉积法先沉积SiO2底涂屏蔽层,相邻位置再涂布一层硅薄膜,以减少H2O和·OH自由基的形成。底漆和硅薄膜都是用溅射法涂布的,用以除去含H的物质。溅射工艺依次进行,以减少底漆中吸收的水分,传统沉积法得到的涂层体系中,底漆含水量高。用题述方法可以不用在涂布硅薄膜前将底漆放置炉中烘烤,也免去了在沉积制得硅薄膜后的除氢步骤。20040102防反射涂层体系日本专利公开JP2003021702,2003-01-24.防反射涂层体系包含:石英玻璃…     

化学气相沉积法制备Si/C复合负极材料的研究进展

采用化学气相沉积法制备得到的硅/碳复合材料碳层致密均匀,电化学性能好,成为目前制备该复合材料应用较多的方法。介绍了化学气相沉积法制备的硅碳复合材料的主要复合形式及电化学性能,制备过程中不同催化剂、制备条件的选择等,综述了化学气相沉积法制备硅/碳复合材料的研究进展。对化学气相沉积法在制备硅/碳复合材料的研究方向上进行了展望、提出建议。     

制备方法对含硅氧化铝载体性质的影响

含硅氧化铝载体因其兼具SiO_2和Al_2O_3的共同优势,即具有较好的结构性能、力学性能和一定的表面酸性,在加氢催化剂领域得到广泛应用。本文详细介绍了含硅氧化铝催化剂载体的制备方法,包括溶胶-凝胶法、NaAlO_2-Al_2(SO_4)_3法、混合法、浸渍法及化学气相沉积法。对比了制备方法对载体物化性质的影响,其中采用溶胶-凝胶法制备的载体纯度高,物化性质较好。分析了不同制备方法导致含硅氧化铝载体物化性质存在差别的作用机制。在体相中引入硅有利于调变载体孔结构,反之硅暴露于亚表面或表面有利于调变载体酸性。并指出了当前研究中存在的问题及含硅氧化铝的发展方向。     

CdSe薄膜的研究进展

本文主要阐述了典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物CdSe薄膜的研究现状。利用电化学沉积法、化学水浴沉积法、热蒸发沉积法等不同的薄膜制备工艺制备CdSe薄膜,并对CdSe薄膜在太阳能电池和光电器件等几个方面的优势进行分析,且对CdSe薄膜将来的发展趋势进行了讨论和展望。     

SiAlCN型PDC陶瓷的研究进展

综述了SiAlCN型PDC（Polymer Derived Ceramics）陶瓷的制备、性能和应用。SiAlCN陶瓷有四类制备方法：粉末混合型：聚硅氮烷陶瓷前驱体与氧化铝粉末直接混合;粉末溶解型：含铝化合物粉末溶解于聚硅氮烷前驱体溶液中;单源前驱体型：铝原子通过适当的含铝化合物接枝在聚硅氮烷主链上,生成一种单源陶瓷前驱体聚铝硅氮烷;聚合物混合型：两种聚合物即聚硅氮烷与含铝聚合物共混;然后交联裂解制备陶瓷。与无Al的Si/C和Si/C/N体系相比,SiAlCN陶瓷具有优异的抗蠕变性、更好的抗氧化性和耐腐蚀性以及更好的导热性。因此,聚合物衍生的硅铝碳氮化物(SiAlCN)陶瓷是在高温和恶劣环境中应用很有潜力的材料。     

电沉积法制备固态染料敏化太阳能电池(英文)

本文采用一步电化学沉积的方法在导电玻璃上先后沉积了ZnO/染料复合薄膜以及CuSCN薄层,实现仅以电沉积法制备结构为ZnO/染料/CuSCN的固态染料敏化太阳能电池,电池的光电转换效率达到0.1%。在电沉积CuSCN前,脱附电沉积制备的ZnO/染料复合薄膜中的染料以形成多孔ZnO薄膜,然后通过染料再吸附得到染料敏化ZnO纳晶多孔薄膜。在电沉积过程中,ZnO和CuSCN的晶体尺寸、晶体取向和膜层形貌都可以进行比较精准的控制。探讨了影响沉积薄膜形貌和光电转换效率的因素,如旋转圆盘电极的旋转速度、电沉积温度以及染料敏化剂的选择。本文报道的低温电沉积制备全固态太阳能电池的方法为制备柔性染料敏化太阳能电池提供了一种新的思路。     

碳化硼薄膜制备技术研究进展

本文归纳了碳化硼薄膜的主要特性以及近年来在功能陶瓷、热电元件等方面的广泛应用。总结了目前物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)技术制备碳化硼薄膜的主要方法,包括磁控溅射法、离子束蒸镀法、经典化学气相沉积法(c-CVD)、等离子增强化学气相沉积法(PECVD、激光化学气相沉积法(LCVD)和热丝化学气相沉积法(HFCVD)等,讨论了各种沉积技术制备碳化硼薄膜工艺中各种实验参数对薄膜生长过程的影响,并对该领域今后的研究方向进行了展望。     

陶瓷前驱体聚硅氮烷的制备研究进展

综述了合成Si-C-N陶瓷前体聚硅氮烷的一些方法,着重介绍了含金属聚硅氮烷的制备方法,如:含钛聚硅氮烷、铝基聚硅氮烷、铁基聚硅氮烷、锆基聚硅氮烷、硼基聚硅氮烷、钇基聚硅氮烷、铜基聚硅氮烷的制备方法;其次介绍了使用共聚法、超支化法、倍半硅氮烷水解法制备聚硅氮烷的方法。     

β-BaB2O4薄膜制备技术的研究和进展

为了满足飞秒超快激光技术和集成光学发展的需要、解决β-BaB2O4(β-BBO)体单晶中因厚度带来的群速度失配问题以及脉宽展宽等向题,人们开始了(β-BBO)薄膜的制备技术研究。文章简要总结了现有的β-BBO薄膜的制备技术,包括溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法和金属有机化学气相沉积法;讨论了各种制备技术的发展现状及其优缺点;提出了目前薄膜制备及应用中存在的一些问题及今后的发展方向。     

乙酰丙酮基1,2-双(二苯基膦)乙烷镍的合成、热性质及其作为化学气相沉积前驱体的应用研究

本文以乙酰丙酮镍和1,2-双(二苯基膦)乙烷为原料合成了乙酰丙酮基1,2-双(二苯基膦)乙烷镍配合物，通过元素分析、熔点以及热重分析仪对所合成配合物的化学成分、挥发性、热稳定性以及运输行为进行了测定分析。此外，以该化合物为前驱体，通过薄膜沉积实验对其作为CVD前驱体的应用性进行了评价，并对所沉积薄膜的形貌、化学组成及晶型结构进行了研究。研究结果表明所制备的薄膜成分为NiO，成膜连续均匀，具有较高的纯度，说明其具有作为CVD前驱体应用于制备镍基薄膜的可行性。     

PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等.实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础.     

沉积条件对SiO2光子晶体表面形貌的影响

自组装制备是一种常用的三维光子晶体制备方法,在制备光子晶体过程中影响薄膜质量的因素较多.本研究对原始的双基片垂直沉积法进行了一定的改进,控制光照强弱、蒸发速度快慢等条件,沉积了不同的SiO2光子晶体薄膜样品.通过与单基片垂直沉积法得到的薄膜样品进行比较,得到了双基片垂直沉积法沉积光子晶体薄膜样品的最优实验条件.     

不同制备方法下的La0.8Ca0.2MnO3巨磁阻薄膜的形貌特征研究

采用了固相粉末烧结法、脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition)和溶胶—凝胶法(sol—gel)3种方法,制备出了La0.8Ca0.2MnO3(LCMO)巨磁阻粉末样品和在硅基底上诱导生长的薄膜样品。用原子力显微镜(AFM)、光学显微镜以及X射线衍射(XRD)对所得样品进行了结构表征。系统地研究了热处理条件对LCMO结晶形貌的影响。结果发现硅基底上的LCMO薄膜因受到诱导从而呈现出定向生长的现象,表现为类似“花”状的形态;对于固相法制备的样品,则呈现出无定型的多晶形态;对于脉冲激光沉积法制备的样品呈现出均匀致密的多晶薄膜。     

溶液电沉积法制备苝酰亚胺类化合物薄膜

溶液电沉积法是一种具有沉积时间短,可以常温沉积以及沉积物在基底上附着力高等优点的薄膜制备方法.本文用水合肼增溶苝酰亚胺类化合物(PTCDI)的方法制备了可用于溶液电沉积的苝酰亚胺类化合物溶液.用紫外-可见分光光度法(UV-Vis)对溶解的过程进行了表征,并用顺磁共振(ESR)验证了水合肼对PTCDI的增溶过程实质上是化学反应过程.在制备苝酰亚胺类化合物溶液的基础上,采用阳极电沉积法在ITO导电玻璃上沉积出了薄膜.采用UV-Vis,扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜进行了表征,证实得到了表面较为平整、具有可控结晶结构和形貌的PTCDI薄膜以及具有较宽光谱吸收范围的复合薄膜.     

电泳沉积纳米二氧化钛陶瓷涂层结构表征与性能研究

电泳沉积法(EPD)制备薄膜具有设备简单,成本低,成膜快,被镀件(用于沉积薄膜的基体)形状不受限制,薄膜厚度均匀,并且其厚度在较大范围内可控等优点。二氧化钛熔点高、化学稳定性好,在复合材料领域具有广阔的应用前景。笔者利用电泳沉积法制备出了均匀的二氧化钛薄膜,研究了二氧化钛在悬浮介质中的核电机理;考察了二氧化钛粉末在有机悬浮液中的分散性和稳定性,并且研究了电泳工艺参数对电泳沉积量的影响;特别研究了助剂PEG(聚乙二醇)对电泳膜性能的影响并初步探讨了助剂PEG对二氧化钛膜性能影响的原因;研究了电泳沉积的动力学规律,为今后制备含二氧化钛的层状复合材料打下基础。笔者还通过研究不同的烧结温度对二氧化钛晶型的影响且定性的表征了光催化性能。     

芯片制造中的化学反应

芯片普遍应用于计算机、手机、汽车、网络通信等几大核心领域,芯片的制造离不开晶片制备和化学微加工技术。介绍了芯片生产中晶片的制备、氧化、化学气相沉积、光刻蚀等过程中涉及的一些化学反应。     

液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构     

籽晶层辅助的高性能VO_2薄膜的低温制备

采用磁控溅射法,以VO_2为溅射靶材在硅和石英基底上制备出纯VO_2晶相(B相和M相)薄膜。借助衬底上籽晶层的辅助,将VO_2薄膜沉积过程中同时进行的成核与生长过程分离成2个独立的阶段,通过籽晶层辅助生长可有效地降低了VO_2薄膜的制备温度,在低至350℃仍可制备出热敏性能较好的VO_2(B相)薄膜,并且在325℃制备了具有一定结晶度的VO_2薄膜;进一步延长了低温籽晶层辅助的VO_2薄膜的退火时间,薄膜逐渐向M相转变,可期望实现智能窗和光控开关器件中的良好应用。     

电化学沉积制备V_2O_5薄膜电极的表面结构及储钠性能

以含有CTAB的V_2O_5溶胶为电解液,采用电沉积法在不锈钢基体上沉积V_2O_5薄膜前体,经300℃烧结处理后制备了无黏结剂和导电剂的V_2O_5纳米薄膜电极。XRD测试表明该方法制备的V_2O_5薄膜是含水相的V_2O_5·n H2O,与未添加CTAB制备的薄膜相比,其层间距明显变大。FESEM和AFM测试发现CTAB辅助电沉积制备的V_2O_5薄膜具有粗糙多孔的表面形貌;XPS测试表明CTAB辅助电沉积制备的V_2O_5薄膜中含有更多的低价钒离子(V4+)。电化学测试发现该方法制备的V_2O_5薄膜具有优异的嵌/脱Na+循环稳定性;与未添加CTAB制备的薄膜相比,CTAB辅助电沉积制备的V_2O_5薄膜具有更好的电化学反应可逆性、更强Na+扩散性能和更高的储钠比容量,是一种非常有应用前景的钠离子电池正极材料。     

环氧硅酸酯的合成研究

直接从SiO2 (白炭黑 )制备了高活性的五配位硅化合物 ,并用带环氧官能团的含卤化合物与活性五配位硅作用 ,衍生出带有环氧官能团的硅酸酯。借助于X 衍射法测试手段 ,对合成产物进行了分析。结果表明 ,高活性的五配位硅呈强碱性 ,吸水性强 ,吸收水分后很快分解还原成SiO2 和有机物。而在含卤化合物与活性五配位硅化合物作用生成硅酸酯后 ,即控制和消除了这种可逆反应 ,制备出了稳定的环氧硅酸酯。