快速热工艺氧化法生长超薄SiO_2层的研究

在卤素钨灯和弧光灯二种不同辐射热源的快速热工艺系统中用快速热工艺氧化法制备了超薄(20埃-400埃)的SiO_2薄膜.对快速热工艺氧化的生长动力学进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能.对二种不同快速热工艺系统所得结果作了比较.本文还讨论了快速热工艺氧化中,温度骤变过程的氧化效应.最后,本文提出了“温度骤变(Temperature Ramp-only)快速热氧化”技术,该技术特别适于制备20埃到60埃的超薄SiO_2层.     

局部氧化工艺参数对鸟嘴结构形状的影响

本文介绍一种解释局部氧化工艺参数对鸟嘴结构(从场氧化层到衬垫氧化层的过渡区)形状的影响的一种定性模型。工艺参数包括i)衬垫氧化层的厚度,ii)场氧化的温度,iii)硅片的晶向,iv)生长的场氧化层的厚度和v)场氧化时的压力。本文还讨论了每种参数影响的大小并介绍了验证这种模型的实验结果。     

表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污

表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过对氧气、氮气进行进一步纯化处理、减少三氯乙烯杂质质量分数到1.0×10-8、更换传输气体的不锈钢管路等措施,将氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。     

一种降低氧化物表面态电荷密度的新方法——C_2HCl_3氧化技术

本文介绍一种降低硅氧化物表面态电荷密度的新工艺——三氯乙烯(C_2HCl_3)氧化技术。采用本工艺能较稳定地将表面电荷密度N_(ss)控制在10~(10)数量级,在10～12Ω-cm的P型衬底上制作出N沟增强型MOS器件。经过系统的实验,在研制N沟MOS大规模集成电路的栅氧化工艺中已用C_2HCl_3氧化取代了HCl氧化,成功地研制出了N沟MOS大规模集成电路。     

微电子机械系统及硅微机械加工工艺

微电子机械系统(MEMS)是一项21世纪可以广泛应用的新兴技术。硅微机械加工工艺是近年来随着集成电路工艺发展起来的MEMS主流技术。介绍了MEMS的特点、国内外MEMS的发展现状，讨论了MEMS的三种加工方法，着重探讨了硅微机械加工中常用的腐蚀、键合、光刻、氧化、扩散、溅射等工艺。     

高温热氧化工艺统计模拟初探

本文介绍一种高温热氧化工艺的统计模拟方法,并在此基础上对一种具体氧化工艺进行了计算和分析,指出了合理选择工艺参数的途径,对小尺寸集成电路器件的制造具有一定实际意义。     

两步三氯乙烯薄栅氧化工艺

本文研究了两步三氯乙烯薄栅(～400)氧化工艺,作为制备符合HMOS-Ⅱ工艺所要求的400优质薄栅氧化层的一种新方法。其主要特点是:低温、低浓度三氯乙烯(TCE)的生长氧化,产生一个低缺陷密度的氧化层,然后再在O_2、N_2、TCE混合气氛中进行处理(分为高温处理和原温处理两种),这就改善了原有氧化层的结构完整性,提高了钝化能力。对不同的工艺条件进行了研究,结果表明两步三氯乙烯薄栅氧化工艺可形成高质量的薄氧化层。氧化层厚度控制在400±20范围,表面态密度≤1×10~(11)个/cm~2,平均击穿电场E≥9.5MV/cm,低场击穿有明显改善。氧化层钝化效应与第二步处理温度有关,高温处理钝化效应显著。     

局部氧化的SiC器件的等平面隔离技术

本文提出了把大家熟悉的ＬＯＣＯＳ（Ｓｉ的局部氧化）技术扩展到ＳｉＣ的可行性。为得到一种ＳｉＣ器件集成的最佳化等平面隔离技术，已在结构上鉴定了两种隔离工艺。第一种是利用ＳｉＣ和Ｓｉ３Ｎ４间不同氧化速率的一般ＬＯＣＯＳ工艺的扩展。第二种方法是＂多场＂工艺，它利用ＳｉＣ上多晶硅氧化的可选择性来形成隔离场区。从扫描电镜图可看到在有源区边界周围有典型的鸟喙图象，对于ＬＯＣＯＳ工艺，它的每边宽为０．９２μｍ（场氧化层等于３０００），而对于＂多场＂工艺，它的每边宽为０．５５μｍ（场氧化层等于８０００）；与一般用于ＳｉＣ的台面式隔离相比，新的技术提高了结构的平整性，允许用于相邻器件间隔离的自对准场阈注入。     

阳极氧化工艺制作HPLC—2117型混合集成预偏锁定控制电路

本文主要介绍一种新型工艺，即阳极氧化工艺制作ＨＰＬＣ－２１１７型混合集成电路的工艺流程，对工艺中关键技术进行了分析和研究，并与传统工艺制作的电路进行了电性能的对比，从中可以看出阳极氧化工艺具有十分广阔的应用前景。     

硅片在加三氯乙烯的气氛中氧化

本文详细介绍了三氯乙烯氧化系统,说明了三氯乙烯氧化机理和对引入氧化层的氯的控制方法。详细地报导了实验结果,并对其可能的机理作了解释。实验证明,这种氧化方法对提高氧化膜的质量是一种行之有效的方法。目前我们已普遍地用于MOS和双极型大规模集成电路的制作工艺中,取得了可喜的成果。     

O2+CHCCl3氧化对6H-SiC MOS电容界面特性的改善

采用新颖的干O2 CHCCl3(TCE)氧化工艺，制备了P型和N型6H—SiCMOS电容器，并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验。结果表明，O2 TCE氧化不仅提高了氧化速率，而且降低了界面态密度和氧化层有效电荷密度，提高了器件可靠性。可以预测，O2 TCE氧化与湿NO退火相结合的工艺是一种有前途的制备高沟道迁移率、高可靠性SiCMOS—FET的栅介质工艺。     

“二次扩散—一次氧化—镀镍”工艺生产晶闸管管芯

“全扩散-镀镍”工艺具有节省黄金、技术简单与经济性较好的优点,国内曾报道过,本文介绍的是“二次扩散-一次氧化-镀镍”工艺,它比前者更简单,一般厂家都能采用。     

提高器件耐压的非均匀氧化层场板技术

本文从阐述场板对提高pn结雪崩击穿电压的原理出发,引出了一种非均匀氧化层场板技术,介绍了这种结构的工艺特点及场板设计最佳化选择,并利用此结构实现了pn结浅结高反压的设想.     

高温热氧化工艺的统计模拟

本文具体介绍了高温热氧化工艺的统计模拟方法,并在此基础上对一种具体氧化工艺进行了计算和分析,指出了合理选择氧化工艺参数搭配的途径,对小尺寸集成电路的制造有一定实际意义。     

N沟MOS工艺中的高压氧化

实验表明,高压场氧化可能是一种最有利的场氧化工艺。     

多晶硅/硅化钨结构的氧化现象

为了提高VLSI多晶硅工艺中所用多晶硅线条的导电率,目前正考虑用硅化物(如WSi_2、MoSi_2和TaSi_2)作为多晶硅线条上的覆盖层。多晶硅/硅化物结构的优点之一,估计可能是,它是一种可氧化的自钝化结构。在某些类似于FET多晶硅工艺所采用的那些氧化条件下,孔隙可能在多晶硅层中扩大,或缺乏结构完整性的不需要的氧化层可能在硅化物表面扩展。本文讨论了这些现象的氧化机理。     

抗辐照硅栅CMOS工艺的最佳条件及控制

本文介绍了一种使硅栅CMOS工艺制作的抗辐射产品最佳化的快速周转技术。该技术包括:(1)在制作过程中的不同阶段能被“取出” (Pulled)的控制硅片上制作MOS电容器;(2)根据辐照产生的电荷量确定“加固水平”。我们证明了在关键工艺步骤前后这种技术在监控辐照加固水平和测定许多工艺步骤对加固水平的累积影响方面的作用。业已证明,应用于铝栅和硅栅两种工艺的干式栅氧化最佳温度是1000℃。在铝栅工艺中,源内(In-Source)蒸发铝是比溅射铝淀积更好的工艺步骤。选择能使加固程度最优化的工艺步骤,可将硅栅CMOS工艺所作产品的加固水平提高一个数量级以上。最后,我们报导了铝栅与硅栅工艺中,界面态形成与不同电场的依赖关系     

氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O2合成氧化三种方式及不同退火条件,得出氮化H2-O2合成氧化方法抗辐照性能最佳,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H2-O2合成栅的抗辐照机理进行了研究.     

光刻工艺稳定性研究

光刻技术是一种精密的表面加工技术，它是一种图形技术与图形刻蚀工艺相结合综合性工艺，是平面工艺中至关重要的一步，其工艺质量是影响器件性能、可靠性及成品率的关键因素之一。本文主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法，并通过分析和实验得出了稳定性方案。     

在一个零件上制备两种化学转化膜

电子产品结构件的表面处理多数为满足功能性的要求.其中铝制零件常用的转化膜处理有导电氧化和阳极氧化两种,前者属于化学氧化的一种,膜层簿、电阻率低、有一定耐蚀性;后者是电化学氧化的一种,膜层厚且硬度高、不导电、耐蚀性高、易着色.介绍了一种在某设备散热器的不同功能表面分别制作导电氧化膜和阳极氧化膜的工艺过程,满足不同表面的导电、耐蚀、耐磨、散热等功能.