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相似文献
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1.
《广州化工》2021,49(10)
随着互联网时代的到来,电子、多晶硅等行业广泛兴起,高纯气体的需求越来越多,高纯氮气在电子、多晶硅等行业的应用越来越广泛。制取氮气的基本方法是将空气分离,一般利用氮、氧的沸点不同其分离,常用深度冷冻法。随着高纯气体的纯度要求越来越高,对气体中的杂质含量要求越来越严格,常需在制氮之前对原料气设置纯化装置进行纯化。本工艺的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种适用于PPB级高纯氮生产的吸附装置及具有其的纯化器。在实施时,原料空气流经各吸附层后能够实现一次纯化即可有效去除原料空气中的H_2O杂质、CO杂质、CO_2杂质,而无需安装后纯化器进行再次纯化。纯化器可实现吸附和解吸之间相互切换,保持吸附活性,以保证吸附效果。  相似文献   

2.
分子筛纯化系统是位于深冷分离项目的前端净化单元,能吸附原料气中的H2O、CO2、CH3OH等微量杂质,以避免这些杂质在深冷设备中结冰.通常,用于分子筛的再生氮气都会被放空,本文通过对几种获得氮气的方法进行了比较,认为回收分子筛纯化系统的再生氮气具有良好的可实施性,并能获得很大的收益.  相似文献   

3.
分子筛纯化系统是位于深冷分离项目的前端净化单元,能吸附原料气中的H2O、CO2、CH3OH等微量杂质,以避免这些杂质在深冷设备中结冰。通常,用于分子筛的再生氮气都会被放空,本文通过对几种获得氮气的方法进行了比较,认为回收分子筛纯化系统的再生氮气具有良好的可实施性,并能获得很大的收益。  相似文献   

4.
空气分离装置被广泛地应用在工业生产中,并发挥着至关重要的作用。空气分离装置把所需要的气体,比如氮气、氧气等等,经过一定的处理流程(精馏、液化等)把其从通入装置中的空气内分离出来,然后根据生产的需要投入到生产中去。从空气分离设备的分子筛吸附器的介绍出发,对空气分离装置的变压解吸技术进行详细地分析,最终对如何更好地改善分子筛净化系统中的氮气放空阀、均压阀采取了一定的措施,望经过创新改进之后,分子筛净化技术可以充分发挥出作用。  相似文献   

5.
在工业生产领域,变压吸附空气分离技术得到了广泛的应用。使用该技术,能够实现空气中的氧气和氮气等气体的高效分离,从而为工业生产提供需要的原料。基于这种认识,本文对变压吸附空气分离技术的开发问题展开了研究,并且从气体制取方面对该技术的运用展开了探讨。  相似文献   

6.
从空气中分离氮气和氧气,通常采用深冷分离技术。五十年代末期变压吸附装置问世以来,近三十年得到迅速发展。分子筛合成沸石的研制成功,使该装置用于空气分离技术。在初期以制造氧气为主,供应水处理、电炉炼钢、医疗等小规模用量。最近,对不活泼性气体氮气的需要量日  相似文献   

7.
《广东化工》2021,48(8)
本文旨在获得高纯度的氦气,通过对杂质组分的分析,确定了分子筛去除水分、低温活性炭吸附氧气联合应用的净化方法。针对分子筛除水和低温活性炭吸附氧气,分别开展了吸附压力、吸附柱高径比、空速等影响因素研究。结果表明:分子筛除水的最优化条件是:吸附压力为0.2 Mpa,径高比为1∶5,空速为10 min~(-1)。通过以上方法联合应用可将氦气中的水分和氧气杂质均降低到1 ppmv以下。  相似文献   

8.
介绍了国内外目前以PSA技术进行空气分离制备氧气所用沸石分子筛吸附剂的研究状况。从研究结果来看,N2吸附容量和N2/O2分离选择性的提高主要通过对沸石分子筛4A和13X进行离子交换,以对其表面进行改性,从而调整对N2、O2的吸附性能。另外,沸石分子筛制备过程中的硅铝比和成型条件等对N2和O2的吸附也有一定的影响。  相似文献   

9.
采用阳离子交换法对Li X沸石分子筛进行Ce(3+)改性,制得不同Ce(3+)改性,制得不同Ce(3+)交换量的Ce Li X沸石分子筛。通过XRD、SEM、BET、XRF对Ce Li X沸石分子筛进行表征,通过气体吸附仪测得了Ce Li X沸石分子筛在25℃下对氮气、氧气的吸附等温线。结果表明,Ce(3+)交换量的Ce Li X沸石分子筛。通过XRD、SEM、BET、XRF对Ce Li X沸石分子筛进行表征,通过气体吸附仪测得了Ce Li X沸石分子筛在25℃下对氮气、氧气的吸附等温线。结果表明,Ce(3+)通过离子交换法可以替换Li X沸石分子筛中的非骨架Li+,Ce(3+)通过离子交换法可以替换Li X沸石分子筛中的非骨架Li+,Ce(3+)的引入不会改变其原本的晶体结构,且能显著提高Li X沸石分子筛对O2/N2的吸附选择性。  相似文献   

10.
在集成电路、半导体器件、电真空器件及电子材料的生产中,广泛应用各种高纯气体。这些气体有氧气、氮气、氢气、氩气、氦气……等,以及它们的混合气。各种高纯气体在各道工序中都直接同器件或零件接触。例如半导体器件、集成电路生产中的外延、扩散工序,硅片在高温下同氢气、氮气和氧气直接接触,因此所使用气体的纯度和各种杂质含量直接影响电子产品的质量和成品率。在各种杂质中,水分和氧是两种主要的十分有害的杂质,对其  相似文献   

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