背面局域点接触对PERC太阳电池性能的影响

PERC太阳电池因转换效率高、成本低已逐渐成为替代全铝背场(Al-BSF)太阳电池的最佳选择。PERC太阳电池以背面局域点接触的形式替代了全铝背场,减少了背表面复合速率,增加了背反射性能,从而提升了电池的开路电压和短路电流。由于PERC太阳电池中硅片背面钝化介质膜这一绝缘层的存在,因此需要在硅片背面进行激光开槽,以局域去膜,从而形成铝硅接触区。研究后发现:随着背表面场接触面积的减小,背表面场的钝化面积逐渐增大,使铝硅合金层的表面复合速率大幅减小,短路电流和开路电压获得更高的提升。虽然背表面场的接触面积减小后会产生串联电阻升高、填充因子下降的现象,但通过优化背接触电阻、背电极电阻和铝硅合金层的表面复合速率可以减轻这种现象。未来PERC太阳电池可通过合理匹配开槽线间距和背表面场接触面积,实现低背接触电阻和低背表面复合速率,从而可继续提高电池的电性能。     

晶体硅太阳电池光诱导电镀工艺的研究

研究了在晶体硅太阳电池正面制备种子层,并采用光诱导电镀(LIP)银方法在电池正面制备电极。对比了LIP工艺和普通丝网印刷工艺制备的电极形貌,分析了此工艺对电池电性能参数的影响和电池转换效率提升的原因。研究表明,LIP技术能有效地降低电池制备生产成本,提升光电转换效率。     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

晶体硅太阳电池钝化工艺的研究

采用热氧化法在多晶硅及单硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜,结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺,使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。     

背处理对背钝化晶体硅太阳电池性能的影响

通过模拟计算,较高的背面反射率对太阳电池电性能的改善很有帮助,短路电流密度的提升是主要贡献。文中对晶体硅应用不同的背面处理方式得到不同形貌结构。考虑到工艺的复杂程度等方面因素,最终确定使用酸处理背面较为理想。同时也确定了背面酸处理的程度。在此基础上,正面使用SiNx作为减反膜、背面使用AlOx/SiNx叠层钝化膜制备的电池,背处理后电池转换效率绝对值可提高0.1%以上。     

基于分步印刷的晶体硅太阳电池正面电极印刷技术

重点研究了基于分步印刷的方式,将电池片正面电极主栅线和副栅线分开印刷,主栅线采用一种相对较便宜的银浆,同时结合主栅线银浆单耗的降低,从而达到降低生产成本的目的。     

醋酸对晶体硅太阳电池组件影响

主要阐述醋酸对晶体硅太阳电池组件中涂锡铜带的影响,醋酸对太阳电池的腐蚀特性以及对太阳电池组件性能的影响。实验结果表明：（1）稀醋酸使涂锡铜焊带发生电化学腐蚀,产生氧化黄变,此腐蚀对其电阻率影响较小;（2）稀醋酸腐蚀电池片表面银电极和铝背场,使银电极变黑,铝背场与硅片的附着力下降,对电池片造成损害影响其电性能;（3）组件在湿热试验过程中EVA发生老化反应,产生的醋酸会有腐蚀封装其中的涂锡铜焊带和太阳电池,使串联电阻Rs增大,填充因子FF降低,组件输出功率降低。     

工业化薄晶体硅太阳电池背电极浆料

对薄晶体硅太阳电池的生产工艺和材料进行了试验.通过调整背电极浆料和电池基片厚度,探索了减少太阳电池弯曲度的途径.试验显示,使用薄片铝浆对电池弯曲度的影响有明显改善,弯曲度可降低52%,电池片弯曲度最小为0.55 mm.     

背面点接触高效太阳电池的背电场与串联电阻

背面点接触结构提高了硅太阳电池的转换效率，开路电压Ｖｏｃ和短路电流密度Ｊｓｃ。针对背面点接触的电池结构，建立了倒棱台单元的模型，通过对背电场与体串障碍电阻分析，提出了体串联电阻的计算方法，给出背面点接触面积和间距的优化设计条件。     

晶体硅太阳电池的丝网印刷技术及质量控制

太阳电池连接工艺的关键技术在于硅芯片基板的金属化制造,该技术是一种精密的印刷技术,其工艺直接影响电池能量的转换效率,主要应用于太阳电池的工业化大生产,是第三代太阳电池生产商的首要工艺。     

影响晶体硅太阳电池栅线印刷的两个因素

主要研究了网板厚度和环境温度两种因素对晶体硅太阳电池栅线印刷的影响。     

光注入提升晶体硅异质结太阳电池性能的研究

该文制备工业尺寸的晶体硅异质结太阳电池,研究光注入对电池光电性能的影响。实验结果表明：光注入有效提升了晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率,经过光注入后电池光电转换绝对效率提升了0.33%,均值达到24.47个百分点。对比光注入前后的光电性能参数,其效率提升的主要因素是光注入使得电池的填充因子被有效提升。结合光注入前后电池的Suns-V_oc测试,证实了光注入能使电池的串联电阻大比例降低。因此,光注入改善电池性能的主要物理原因可归结为：串联电阻的降低提升了电池的填充因子。     

一种减少太阳电池细栅遮挡的光伏玻璃设计及其对太阳电池转换效率的影响分析

设计一种表面压花的光伏玻璃以减少太阳电池细栅遮挡.该光伏玻璃设计可适应入射角变化范围为0°～23.5°的情况,为无太阳追踪功能的太阳电池实现减少细栅栅线遮挡效果提供解决方案.对一种栅线设计情况下的光伏玻璃压花设计、厚度要求进行探讨,并采用TracePro软件对减遮挡效果进行光学仿真实验.针对光学仿真实验中光强分布情况,...     

背电极花样对单晶硅太阳电池机械性能的影响

用三点弯方法研究了3种不同背电极花样的单晶硅太阳电池前后主电极附近以及铝背场和细栅区域的机械性能,初步探讨了背电极花样对断裂强度的影响。研究表明:背电极花样对太阳电池的断裂强度有明显影响,通过改进背电极花样能够有效提高太阳电池的机械性能,降低其破碎率。     

CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究

采用蒸发硒化方法制备了P型CIS（铜铟硒）和CIGS（铜铟镓硒）薄膜,用蒸发法制备N型（硫化镉）,二者组成异质PN结太阳电池,经退火处理,CIX和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到8．83％和9．13％,对制膜过程中彻底的选择,背电极的制备,GIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入探讨,对电池的退火处理提出了自己的见解。     

发射极掺杂工艺对产业化IBC太阳电池性能的影响

主要对n型IBC太阳电池结构的发射极硼掺杂工艺进行优化设计,并通过ENDA2模拟软件对实验结果进行验证分析,通过复合损失分析,研究不同发射极硼扩工艺对产业化IBC太阳电池电性能的影响.实验结果表明,采用较高推进温度的硼扩散工艺,获得发射极方阻98Ω/sq,该发射极具有最低的表面浓度1.68×1019 cm-3和最深结深...     

ZnO薄膜对CIGS太阳电池性能的影响

采用交流磁控溅射制备高阻ZnO和直流溅射ZnO：A1薄膜,研究几种溅射工艺条件与ZnO薄膜性能关系以及对铜铟镓硒(CIGS)光伏电池的影响。通过不同的工艺参数改变控制,得到了性能优良的ZnO薄膜,同时表明电池窗口层ZnO薄膜工艺参数对铜铟硒电池性能影响至关重要。尤其是ZnO薄膜的电阻率和迁移率,这两项指标的优化可以使电池的填充因子有10％以上的提高。不论是高阻ZnO还是低阻ZnO薄膜对电池的填充因子都有着重要的影响,采用优化工艺所制备的C1GS光伏电池窗口层ZnO薄膜以后,目前研制的电池转换效率已达到12．1％。     

2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展（1）

本章详细介绍了PERC太阳电池技术、大硅片技术、Topcon太阳电池技术、非晶硅/晶体硅异质结(HJT)太阳电池技术、n型全背电极太阳电池技术,以及组件技术、封装材料技术的研究进展及产业化进程。     

蓄冷降温式太阳电池组件的实验研究

根据太阳电池温度特性,研究通过工程热物理途径来提高太阳电池光电转换效率的方法,开发出新型蓄冷降温式太阳电池组件,利用夜间大气自然冷量吸收太阳电池热量,降低其工作温度。室外试验于07年10月～08年11月在广州地区进行,测试分析了该组件及对照组平板式太阳电池组件的温度—电能输出及转换效率特性。结果表明:与平板式组件相比,蓄冷降温式太阳电池组件工作温度大大降低,效率相应提高。蓄冷降温式组件最大温降达26.5℃,瞬时电能输出相对提高18%,全天电能输出增长14%以上。     

银浆组成对硅太阳电池丝网印刷欧姆接触的影响

通过作图的传输线法测定比接触电阻率,定量地研究硅太阳电池正面电极用银导电浆料中银粉颗粒大小和玻璃相组成对银电极/硅表面欧姆接触的影响.结果表明,随着银导电浆料中银粉颗粒尺寸的增大比接触电阻下降,形成较好的欧姆接触;当玻璃相中铅含量增加时,在一定的烧结温度下,比接触电阻率减小.