共查询到20条相似文献,搜索用时 171 毫秒
1.
SiC/Fe-Cr合金界面反应的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
使用XRD、EMPA和 SEM等对 900~1150℃高温处理后的SiC/Fe-20Cr合金界面反应区的显微结构和反应动力学进行了研究.界面反应区分为SiC反应区和金属反应区两部分:SiC反应区由组成为Fe3Si、Cr3Si和Cr7C3的白亮基体和其间随机分布的细小石墨颗粒构成;金后反应区则是一个由(Cr;Fe)7C3构成的均匀组织。SiC/Fe-20Cr合金界面反应为扩散控制,反应动力学方程为 K=1.9×10-4exp((-235×103)/RT)m2·s-1.金属反应区介于SiC反应区和合金之间,阻挡合金中的Fe原子通过它向SiC反应区中扩散,抑制界面反应,这种作用随合金中Cr含量的增加而加强. 相似文献
2.
医用NiTi合金表面溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶-凝胶法在NiTi形状记忆合金表面制备了TiO2-SiO2复合薄膜,在提高医用NiTi合金的抗腐蚀性方面,收到了显著的效果.运用电化学方法对不同组成的TiO2-SiO2薄膜在模拟体液中的腐蚀行为进行了研究,结果表明,随薄膜中 Ti/Si比的增加,TiO2-SiO2薄膜的抗腐蚀性增强.划痕试验表明 TiO2-SiO2(Ti/Si=4:1)膜与NiTi合金基体具有较高的界面结合强度.用原子力显微镜(AFM)对TiO2-SiO2薄膜的表面形貌及表面粗糙度进行观察和分析,解释并讨论了TiO2-SiO2薄膜的配方组成与其抗腐蚀性的关系,SiO2含量较少时,薄膜结构致密,膜层均匀平滑,且膜基结合力好,作为医用NiTi合金的表面保护层,可以使其耐腐蚀性有显著提高. 相似文献
3.
4.
Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3 TiO3薄膜.乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度.利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系.厚度 200nm,O2气氛中 700℃处理 15min后的 BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗 D<0.02;P—E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化只约为1.4μC/cm2,矫顽场强 Ec约为 48kV/cm. 相似文献
5.
前驱体制备途径对PFN-PMN二元铅基铁电陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
综合运用 XRD、SEM、TEM、EDS和介电测量等方法,考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响.研究结果表明,对(1-X)PFN-XPMN二元系而言,在所考查的组成范围内(X=0~0.5);其居里温度与PMN的含量近似成线性关系,且随X的增加,居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随X的增加而降低.(预)煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响.对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较,并对其差异产生的可能机制进行了讨论. 相似文献
6.
7.
8.
三嵌段共聚物合成SiO2中孔材料的制备化学 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶一凝胶法,以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,添加聚氧乙烯醚(PEO)一聚氧丙烯醚(PPO)一聚氧乙烯醚(PEO)共聚物为模板剂制备结构可控的SiO2中孔材料,通过BET、TG/DTA、FT-IR、29SiNMR等分析手段,考察了不同条件下溶胶一凝胶制备化学及其热处理对SiO2中孔材料结构性质的影响规律和内在本质.结果表明:通过调节聚合度和添加量以及溶胶老化时间,可以对SiO2中孔材料织构性质进行有效的调控;同时由于该共聚物在不同气氛温度下的脱除机理不同,从而对材料的结构性质影响也有所不同;经真空热处理后,SiO2中孔材料柔性骨架得到加强,孔分布更趋集中. 相似文献
9.
10.
11.
采用脉冲激光沉积技术在熔石英基片上制备了c轴取向的锐钛矿相TiO2薄膜.通过X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的结构、结晶性和表面特性进行了表征.通过透射光谱计算得到TiO2薄膜折射率约为2.1,光学带隙约为3.18eV.结合飞秒激光和Z扫描方法测量了薄膜的超快非线性光学特性,结果表明:锐钛矿TiO2薄膜具有负的非线性吸收系数和负的非线性折射率,其大小分别为-6.2×10-11m/W和-6.32×10-17m2/W,对应的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为-7.1×10-11esu和-4.42×10-12esu.并计算薄膜的优值比T=βλ/n2≈0.8,表明锐钛矿相的TiO2在非线性光学器件方面具有潜在的应用前景. 相似文献
12.
13.
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅基片上生长了二氧化钛纳米晶氧化物薄膜, 系统讨论了基片温度、氧分压等因素对薄膜结构特性的影响.X射线衍射结果表明在氧气氛下, 生长的薄膜为锐钛矿结构, 其结晶性随着基片温度的升高而增强, 在750℃、5Pa氧压的情况下为完全c轴取向的锐钛矿相TiO2薄膜, 在750℃、5Pa氩气氛下则为(110)取向的金红石相薄膜. 场发射扫描电子显微镜结果表明薄膜表面致密, 呈纳米晶结构, 其晶粒尺寸在35nm左右.用傅立叶红外光谱和拉曼光谱对不同条件下制备的TiO2薄膜进行了表征.紫外-可见透射光谱的测试结果表明, 薄膜在可见光区具有良好的透过率, 计算得到制备的锐钛矿和金红石相TiO2薄膜在550nm处的折射率分别为2.3和2.5, 其光学带隙分别为3.2和3.0eV.因此通过沉积条件的改变可得到结晶性能和光学性能都不同的TiO2薄膜. 相似文献
14.
15.
四方相BaTiO3薄膜的自组装制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以(NH4)2TiF6、 Ba(NO3)2 和H3BO3为主要原料, 采用自组装单层膜(SAMs)技术, 以三氯十八烷基硅烷(octadecyl-trichloro-silane, OTS)为模版, 在玻璃基片上制备了四方相钛酸钡晶态薄膜. 改性基板的亲水性测定与原子力显微镜(AFM)测试表明, 紫外光照射使基板由疏水转变为亲水, 能够对OTS-SAM起到修饰作用. 金相显微镜观察结果显示,OTS单分子膜指导沉积的薄膜样品表面均匀, 表明OTS SAM对钛酸钡薄膜的沉积具有诱导作用; X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)表征显示, 空气中600℃下保温2h实现了薄膜由非晶态向四方相BaTiO3晶态薄膜的转化过程, 制备的钛酸钡薄膜在基板表面呈纳米线状生长, 线长约在500~1000nm之间, 相互连接的晶粒大小约为100nm. 文章同时对自组装单层膜和钛酸钡薄膜的形成机理进行了探讨. 相似文献
16.
17.
La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用脉冲激光沉积的方法在Si(100)氧化成SiO2的基片上制备了(La2/3Sr1/3MnO3)x/(ZnO)1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO2的衍射峰以外,分别出现了La2/3Sr1/3MnO3(101)的衍射峰和ZnO(002)的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明:x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La2/3Sr1/3MnO3和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态. 相似文献
18.
低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌 总被引:7,自引:0,他引:7
以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度. 相似文献
19.
Homma T. Satoh A. Okada S. Itoh M. Yamaguchi M. Takahashi H. 《IEEE transactions on instrumentation and measurement》1998,47(3):698-702
Optical properties of fluorinated silicon oxide (SiOF) films for optical waveguide in optoelectronic devices were investigated. The SiOF films are formed at 25°C by a liquid phase deposition (LPD) technique using a supersaturated hydrofluosilicic acid (H2SiF 6) aqueous solution. Two main absorption peaks corresponding to Si-O and Si-F bonds were observed at the wavenumbers of 1090 and 930 cm-1 in Fourier transform infrared (FTIR) spectrum, respectively. The LPD-SiOF films show very little content of water components such as Si-OH bonds and OH group. Although the transmittance for 600-nm-thick LPD-SiOF film gradually decreased from the wavelength around 700 nm, the relative transmittances to quartz glass are over 98% in the wavelength region from 350-2500 nm. The concentration of fluorine atoms in the LPD-SiOF film was about 5%, and the calculated composition was SiO1.85F0.15. The calculated refractive index from the polarizability for LPD-SiOF film was 1.430, and agrees very well with the measured value at the wavelength of 632.8 nm by ellipsometry. The dispersion of refractive index was evaluated and fitted to a three-term Sellmeier's dispersion equation. The zero dispersion wavelengths for the LPD-SiOF and thermally grown SiO2 films were 1.271 and 1.339 μm, respectively 相似文献