一种新颖的DC—50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

介绍了一种新颖的DC－50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作，获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为：在DC－50GHz频带内，最小衰减≤3.8dB，最大衰减≥35&;#177;5dB，最小衰减时输入／输出驻波≤1.5，最大衰减时输入／输出驻波≤2.2，衰减相移比≤1.2&;#176;/dB。芯片尺寸为2.33mm&;#215;0.68mm&;#215;0.1mm。芯片成品率高达80％以上，工作环境温度达125℃，可靠性高，稳定性好。     

一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 ,稳定性好     

一种低相移衰减器

分析设计了一种低相移PIN二极管衰减器,其平均衰减相移量为0.25°/dB,工作频带为2.5～5.3GHz,在0dB和12dB衰减时,频带内各频率的相移量都在0.5°范围内,衰减0～10dB时的输入匹配性能优于10dB。     

24~30 GHz高精度低附加相移数控衰减器

基于0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种5位高精度低附加相移数控衰减器。该衰减器的衰减动态范围为15.5 dB,步进为0.5 dB。采用了T型衰减结构和SPDT型衰减结构的衰减网络。采用了悬浮栅和悬浮衬底,提高了衰减精度,减小了插入损耗。采用了相位补偿网络,有效降低了衰减器的附加相移。测试结果表明,在24~30 GHz频带范围内,衰减步进为0.5 dB,插入损耗小于8 dB,衰减误差均方根(RMS)小于0.45 dB,附加相移小于±5°。芯片尺寸为1.2 mm×0.3 mm。     

(10～20)GHz低附加相移数控衰减器设计

基于GaAs 0.25 μm pHEMT工艺，设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成，衰减范围为（0～31.5）dB，步进为0.5 dB。在（10～20）GHz工作频率范围内，衰减器插损小于4.8 dB，所有衰减状态衰减精度不大于±0.5 dB、附加相移不大于±3°，输入驻波系数不大于1.4，输出驻波系数不大于1.5。     

DC～20 GHz宽带单片数控衰减器

介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标.工作频率为DC～20 GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5:1.通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行.最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标.电路尺寸为2.7 mm × 1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V,无直流功耗.     

一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40GHz 4位单片数字衰减器

介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器。该衰减器采用0.25μm砷化镓pHEMT工艺制造。据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的。它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度。该衰减器具有1 dB的衰减步进和15 dB的衰减动态范围,插入损耗在40 GHz时小于5 dB,全衰减态及全频带内的输入输出回波损耗大于12 dB。     

A Novel UWB (0.045–50 GHz) Digital/Analog Compatible MMIC Variable Attenuator With Low Insertion Phase Shift and Large Dynamic Range

A novel ultra-wideband (0.045-50-GHz) digital and analog compatible monolithic microwave integrated circuit (MMIC) variable attenuator with a low insertion phase shift and large dynamic range is presented. Based on our special design of both the series metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET) and shunt MESFET control feeders, the MMIC possesses the feature of excellent return loss characteristic. Also, phase compensation techniques were used in the MMIC design to reduce the insertion phase shift when the attenuation varies. On-wafer measurement results of the developed MMIC chips in the 0.045-50-GHz band are minimum attenuation 2.0-4.0dB, and maximum attenuation >70dB, input and output VSWRles1.8 for all attenuation states; low maximum insertion phase shift of 0.86lesplusmndeg within 70-dB attenuation range. The chip size is 3.68mm times 1.58mm times 0.1mm     

一个新颖的线性压控可变MMIC衰减器

应用目前的技术和设计方法制作的微波压控可变衰减器(VVA)的衰减量(dB)和控制信号呈非线性关系。要使相互关系线性化,必须采用外部有源线性电路,这就使得组件复杂,且增加了尺寸和成本,同时可靠性减小。本文叙述的这种新颖的压控可变衰减器呈现出线性的衰减量-电压控制关系,且不需要外部线性化电路。这一电路是用一种独特的方式连接几个FET节构成一个组合式的FET。这种组合FET的沟道电阻是其栅-源电压的确定函数。通过仔细设计,找出了实现线性衰减器所必需的电阻函数。采用GaAs MMIC工艺制作的衰减器是以MESFET作为压控可变电阻,它完全无源且不需直流电源。频率从DC到8GHz时,衰减量为2～15dB,且端口阻抗保持在50Ω。衰减量沿直线的偏离小于0.2dB。该芯片可以用作幅度调制器和温度补偿电路。该技术也能用于如混频器、倍频器和矢量调制器等的设计。     

P-I-N Variable Attenuator with Low Phase Shift (Short Papers)

A broad-band MIC current-controlled variable attenuator that exhibits small phase change versus attenuation has been developed. Design factors that effect phase shift are discussed. Performance at frequencies between 0.5 and 3.0 GHz is shown. Measured values of attenuation are shown to be independent of frequency from 0.5 to 3.0 GHz.     

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...     

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...     

DC—12GHz GaAs微波单片集成开关

本文介绍了全气密陶瓷封装GaAs MMIC开关的设计方法和制造工艺.研制成的GaAsMMIC单刀单掷开关在DC-12GHz频带内,插入损耗为0.3—1.4dB,隔离度为19—27dB,反射损耗大于11dB,开关速度小于1ns,8GHz下功率处理能力大于25dBm.     

A Low Phase Shift Step Attenuator Using p-i-n Diodes Switches

A fast S-band MIC highdynamic ranqe (0+70 dB) step attenuator is described, with a very small phase change versus attenuation levels. To obtain this, three similar two-paths sections are cascaded, each being able, by means of a couple of SPDT p-i-n diodes switches, to attenuate 0 dB or, respectively, 10, 20, and 40 dB. Experimental results are given, referring to a circuit breadboard operating from 2 to 4 GHz, the phase change being less than ~11/spl deg/ over all the octave band.