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相似文献
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1.
《电子设计工程》2011,19(20):81
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10 pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并大大节省PCB空间。  相似文献   

2.
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出具有14pF低容量的新款双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管——VCUT0781-HD1,该器件采用超小LLP1006—2L封装。  相似文献   

3.
《中国电子商情》2006,(11):81-82
安森美半导体(0NSemiconductor)推出三款新型超小SOD-923封装的ESD二极管和三款肖特基二极管。封装的尺寸仅为1.0mm&;#215;0.6mm,高度为0.4mm,性能令人印象深刻。这些二极管是要求高电源能效的便携式、消费电子和无线产品的理想之选.而且是占据板空间最小的业内最佳的ESD保护。  相似文献   

4.
ESDALCxx-1U2系列ESD保护二极管产品比上一代缩小67%,能够承受最严格的IEC61000-4—2标准的ESD测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。新系列包括ESDALC3V9-1U2、ESDALC6V1-1U2和ESDALC14V2-1U2三款产品,击穿电压分别为3.9V、  相似文献   

5.
ESDALCXX-1U2系YIIESD保护二极管产品比上一代缩小67%,能够承受最严格的IEC61000-4—2标准的ESD测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。新系列包括ESDALC3V91U2、ESDALC6V1—1U2和IESDALC14V2—1U2三款产品,击穿电压分别为3.9V、6.1V和14.2V。三款产品均可承受IEC61000424级标准的脉冲峰压的多次冲击,该标准规定接触放电脉冲和电涌分别为8kV和30A。ESDALCxx—1U2的其他优点包括低泄漏电流和低器件电容,低泄漏电流可以使电池耗电量达到最小化,6pF或12pF的电容可最大限度降低对信号速度的影响。  相似文献   

6.
《电子元器件应用》2010,12(6):100-100
Vishay推出新款4线VCUT05A4-05S—G-08双向对称(BiSy)ESD保护阵列,可保护PC和便携式消费电子产品中的USB2.0等数据端口应用。  相似文献   

7.
泰科电子9月17日宣布其防静电(ESD)保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD(SESD)器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%,能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。  相似文献   

8.
《今日电子》2010,(1):64-64
CBRSDSH5—40是40V/5A全波桥式整流器,封装在一个表面贴装SMDIP外壳内。VF为0.37V,Ig为40uA,该器件适合应用于各种固态照明和电源管理领域。与采用SMC封装的四个独立的肖特基整流器相比,所占电路板空间降低了56%。  相似文献   

9.
Vishay Intertechnology推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管VCUT05D1一SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并节省PCB空间。  相似文献   

10.
《电子技术》2007,34(1):36-36
全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)近期宣布推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mmx1.0mmx0.5mm,是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外,专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化,可广泛用于手机、PDA、数码相机及其他保护应用中。  相似文献   

11.
正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出两款通过AEC-Q101认证的配对高速940 nm红外发射器和硅PIN光电二极管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01,采用小尺寸3mm×2mm侧视表面贴装封装。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度为1mm,VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度为0.6mm,是业内高度最低的侧视  相似文献   

12.
《电子产品世界》2007,(3):I0005
ESD8VoL系列采用超小无铅封装,由单通道和双道双向ESD二极管(ESD=静电释放)构成。该系列专门设计用于保护高速数据接口,例如USB2.010/100以太网。  相似文献   

13.
《电子与电脑》2009,(5):77-77
日前,Vishay宣布推出两款新型液钽电容器——M34和M35,新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。  相似文献   

14.
《电信技术》2011,(2):69-69
泰科电子日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术被动封装配置的各种优势结合在一起。在8×20μs浪涌下的额定浪涌电流为2A,并具备10kV的接触放电ESD保护等级。  相似文献   

15.
《国外电子元器件》2011,(5):192-192
泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。  相似文献   

16.
《电子元器件应用》2009,11(6):85-85
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出两款新型液钽电容器M34和M35,这两种新器件采用真正可表面贴装的模压封装。M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电解电容器的优点,摒弃了大多数缺点。在相似的电容量和外壳尺寸的情况下,新器件可耐受比其它类型电解电容器更高的纹  相似文献   

17.
《电子设计工程》2012,20(24):174
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600 V标准整流器——SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用,新器件可提供2 A和3 A的正向电流和高电流密度,采用高度仅有0.95 mm的表面贴装SlimSMATMDO-221AC封装。  相似文献   

18.
《电子与电脑》2009,(7):65-65
安森美半导体(ON Semiconductor)推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead.DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。这DSN型封装尺寸仅为06mm×0.3mm×0.3mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能/电路板面积比优势。  相似文献   

19.
《电子与封装》2011,(2):8-8
泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。  相似文献   

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