可溶性共聚取代聚醚酰亚胺的H2／CH4和H2／N2的分离性能

本文合成了一系列可溶性共聚取代聚醚酰亚胺（ＨＱＤＥＡ／６ＦＤＡＤＭＭＤＡ），研究了它们的Ｈ２／ＣＨ４和Ｈ２／Ｎ２分离性能。随着６ＦＤＡ含量的增多，伴随着自由体积的增大，透Ｈ２系数呈线性增大，Ｈ２／ＣＨ４和Ｈ２／Ｎ２的分离系数均呈线性减小。当６ＦＤＡ含量占二酐组分的２０ｍｏｌ％和３０ｍｏｌ％时，共聚取代聚醚酰亚胺兼具有高的透Ｈ２性和Ｈ２／ＣＨ４及Ｈ２／Ｎ２选择性，是比较理想的Ｈ２分离与回收的膜材料。     

DMF中电沉积制备Yb-Co合金膜

研究了于室温下含有少量水的ＹｂＣｌ３－ＣｏＣｌ２－ＤＭＦ溶液中电沉积制备Ｙｂ－Ｃｏ合金膜。ＥＤＡＸ和ＸＲＤ分析表面：在０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＹｂＣｌ３－０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＣｏＣｌ２的ＤＭＦ电镀液中,以控制电位为－２．７５Ｖ（ＳＣＥ）进行恒电位电解,以控制电流密度为１００Ａ／ｍ＾２进行恒电流电解或以控制脉冲电流密度为１５０Ａ／ｍ＾２进行脉冲电解,可以得到不同形态和Ｙｂ含量的共沉积合金膜,且膜层光滑、     

（CH3）2SiCl2和N2H4反应产物裂解逸出气体与粉体组成关系的研究

采用（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２和Ｎ２Ｈ４反应产物为先驱体，在Ｈ２，ＮＨ３气条件下，用ＣＶＤ法制备Ｓｉ／Ｃ／Ｎ的纳米微粉，在制备Ｓｉ／Ｃ／Ｎ纳米微粉的过程中通过高温炉－气相色谱联用技术分析了裂解逸出的气体，用化学法分析了微粉中元素组成变化，讨论了先驱体Ｈ２，ＮＨ３气体条件下的裂解机理及微粉的形成机理。     

自蔓延高温合成TiC—Al2O3—Fe系金属陶瓷的致密化研究

采用ＳＨＳ／ＰＨＩＰ工艺制备了致密的ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ系金属陶瓷，研究了延迟时间，高压特续时间，压力及Ｆｅ含量对合成ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ金属陶瓷实度的影响，结果表明，采用ＳＨＳ／ＰＨＩＰ技术制备了ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ系金属陶瓷时，合成产物中气体的排放，液相的存在及组成相之间的润湿性是制备密实材料的关键。     

流态化CVD制备TiO2—Al2O3复合粒子

本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征。结果表明，在流态化ＣＶＤ反应器中Ａｌ２Ｏ３超细颗粒以团聚体形式存在，ＴｉＯ２包覆量随Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４进料浓度升高而增加，但反应温度影响不大；在包覆过程中，同时存在成核和成膜，成核包覆使复合粒子比表面积增加，成     

DMF中脉冲电沉积Nd—Co合金膜

研究了室温下在含有少量水的ＮｄＣｌ３－ＣｏＣｌ２ＤＭＦ溶液中Ｎｄ－Ｃｏ功能合金膜的电沉积。应用脉冲电镀制备出不同质量的合金膜。试验结果表明：Ｄ ０．４５ｍｏｌ／ＬＮｄＣｌ３＋０．０５ｍｏｌ／ＬＣｏＣｌ２＋适量乙二胺的ＤＭＦ电镀液中，控制脉电流密度为１００－１５０Ａ／ｍ＾２，可得到有金属光泽的灰色稀土合金膜。     

聚醚砜微孔膜制备中非溶剂添加剂作用研究

以聚醚砜（ＰＥＳ）为膜材料，ＤＭＡｃ为溶剂，研究了３种非溶剂加剂（ＮＳＡ）－ＥｇＯＨ，ＤｅＯＨ和ＢｕＯＨ在水和ＮＳＡ中凝胶对于板微孔膜性能的影响，利用浊点法得到ＰＥＳ／ＤＭＡｃ／ＮＳＡ和ＰＥＳ／ＤＭＣｓ／ＮＳＡ／Ｈ２Ｏ体系２５℃的相图，并以邻近比α值来表征膜溶液组成点靠近相分离的程度，添加了ＮＳＡ的铸膜液在水中凝胶制备微孔膜，以ＥｇＯＨ为非溶剂添加物，在相同聚合物浓度，相同凝胶条件下，仅仅改变铸膜     

前驱气体CH4,N2的流量比对CHx,膜Raman谱的影响

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的，本文着重探讨了ＣＨ４，Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。     

类金刚石碳膜的红外特性研究

用射频等离子体方法分解甲烷，在Ｇｅ片上制备了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜。该膜折射率在２左右，具有较好的增透作用。双面镀ＤＬＣ膜系统在红外透射比，随膜厚不同，其极大值在３．８－１０．６μｍ范围内，在１０．６μｍ处红外透射比达９４．５％。镀制在直径为１００ｍｍＧｅ基片上的ＤＬＣ／Ｇｅ／ＤＬＣ膜系，在１０．６μｍ处，膜片中心的红外透射比为９３．９％，距中心不同距离的５个点的红外透射比为９１．１％，该膜系具有     

新型硅氮烷先驱体的合成和表征

采用ＭｅＳｉＨＣｌ２和ＭｅＳｉＶｉＣｌ２共氨解方法制备出了流动性好的含Ｓｉ－Ｈ和Ｓｉ－Ｖｉ的低分子硅氮烷。结果表明，Ｈ２ＨｔＣｌ６（脱水）和ＤＣＰ是合适的硅氢化交联催化剂和双键交联的引发剂，交联产物在程序控温的管式炉中裂解，得到了高的陶瓷产率。     

流态化CVD制备TiO_2－Al_2O_3复合粒子

本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征．结果表明，在流态化ＣＶＤ反应器中Ａｌ２Ｏ３超细颗粒以团聚体形式存在，ＴｉＯ２包覆量随Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４进料浓度升高而增加，但反应温度影响不大；在包覆过程中，同时存在成核和成膜，成核包覆使复合粒子比表面积增加，成膜包覆使复合粒子比表面积减小．     

前驱气体CH_4、N_2的流量比对CH_x膜Raman谱的影响

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的。本文着重探讨了ＣＨ４、Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。     

铁酸钴钠米晶体材料的制备

以ＦｅＳＯ４．７Ｈ２Ｏ和ＣｏＳＯ４．７Ｈ２Ｏ为原料,首先制备出晶粒细小的盐渍 化碱式碳酸盐前驱体。在３００－７００℃焙烧１小时后,制备出ＣｏＦ２Ｏ４纳米晶体材料,经ＸＲＤ和ＴＥＭ检测,粒径为１０－４０ｎｍ,粒度均匀。     

HL—1M装置硼化,硅化和锂化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化与Ｌｉ化壁的出气特性的对比实验研究。ＧＤＣ期间，Ｈ２出气占支配地位，杂质分压与Ｈ２分压成正比，ＧＤＣ后的本底放气率较同时间烘烤去气后低；ＧＤＣ（Ｈｅ＋Ｈ２）是去除膜的有效方法；Ｂ化、Ｓｉ化和Ｌｉ化壁相比，托卡马了放电后的Ｈ２出量绋１：０．１３：０．２１。其中Ｂ化壁Ｈ２出气量主于ｓｓ壁，Ｓｉ化和Ｌｉ化壁则低于ｓｓ壁，出Ｈ２量／送Ｈ２量，ｓｓ壁为０．     

阴离子粘土LiAl2(OH)6X·2H2O(X=OH-,1/2CO32-)的离子交换特性

本文研究了阴离子粘土ＬｉＡｌ２（ＯＨ）６－Ｘ．２Ｈ２Ｏ（Ｘ＝ＯＨ＾－，１／２ＣＯ３＾２）的离子交换特性，结构分析表明，ＬｉＡｌ２－ＬＤＨ含水分隔层内的ＯＨ和ＣＯ３＾２－离子容易与酸性溶液中的Ｃｌ、ＮＯ３等离子进行交换，且保持ＬｉＡｌ２－ＬＤＨ的水滑石型层状结构不变，其中Ｃｌ－离子型表现较高的离子交换速率，在阴离子交换的同时，氢氧化以内的Ｌｉ＾＋离子也被Ｈ离子部分取代，但交换率较低，进一步讨论说明，     

电泳沉积法制备γ—Al2O3多孔膜

本文采用电泳沉积法制备γ－Ａｌ２Ｏ３多孔膜,探讨了溶液的电泳沉积过程,并用ＸＲＤ分析了γ－ＡｌＯＯＨ干凝胶膜的物相随热处理温度的变化。结果表明γ－ＡｌＯＯＨ干凝胶膜可在６００℃转化为γ－Ａｌ２ｏ３膜,而且随热处理温度的提高,γ－Ａｌ２Ｏ３晶粒的结晶性能有所改善,ＳＥＭ下观察所制得γ－Ａｌ２Ｏ３膜与基体结合十分牢固。     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性

本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积（ＶＨＶ－ＰＥＣＶＤ）复合腔系统 只ａ－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈｋ薄膜及其特性。系统的真空度可达１０＾－７Ｐａ（１０＾－９Ｔｏｒｒ）以上。通过控制Ｈ２对常规用混合气体（ＳｉＨ４＋ＣＨ４）的稀释程度以及相应的ＣＨ４比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳（ａ－Ｓｉ１－ｘＣｓ：Ｈｋ）薄膜,通过ＲＢＳ、ＥＲＤＡ、ＩＴ和Ｒａｍａｍ光     

温和条件下介孔分子筛MCM-41的修饰与表征

在温和条件下,以３－氨丙基三乙氧基硅烷为偶联剂,修饰介孔分子筛 ＭＣＭ－４１（Ｓｉ／Ａｌ＝３５）,成功地将有机官能团引入到介孔分子筛孔道中,制备了一种无机一有机复合材料ＭＣＭ－（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２,以 ＸＲＤ、ＦＴＩＲ、ＤＴＡ－ＴＧＡ、 Ｎ_２吸附－脱附和 ＨＲＥＭ表征了复合材料;结果表明：有机基团－（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２不仅进人孔道、修饰了ＭＣＭ－４１的孔壁,而且使介孔分子筛ＭＣＭ－４１保持了有序的孔道结构．     

PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究

本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｍ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。