巯基丙酸还原TeO_2水相一步法合成CdTe/ZnTe核壳型量子点

以TeO2为碲源,巯基丙酸(MPA)为稳定剂和还原剂,采用微波辅助加热法一步合成水溶性CdTe/ZnTe核壳结构的半导体量子点。考察了Cd/Zn反应物配比及MPA用量对CdTe/ZnTe量子点性能的影响,并用紫外、荧光光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线粉末衍射(XRD)光谱和EDX电子能谱对CdTe/ZnTe进行了表征。结果表明,在不需要另加NaBH4的条件下,同样能合成水溶性的CdTe/ZnTe量子点,且该核壳结构的CdTe/ZnTe量子点比单一的CdTe量子点具有更高的荧光量子产率。     

巯基乙酸稳定的CdSe/ZnS核壳结构量子点的制备与表征

用非均相成核原理,在水溶液中制备CdSe/ZnS核壳结构量子点,并研究合成工艺,包括前驱物的滴加方式和用量、CdSe核的水浴反应时间、CdSe与ZnS的摩尔比等因素对CdSe/ZnS核壳结构量子点荧光性能的影响.用透射电子显微镜和x射线衍射仪测试核壳结构量子点的形貌和结构.用紫外吸收光谱与荧光光谱表征CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能.结果表明:ZnS壳层在CdSe核量子点表面外延生长,形成了核壳结构;CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能明显高于单一的CdSe量子点;合成的工艺条件会显著影响CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能.     

核壳结构半导体纳米晶体CdS/ZnS的制备及其光学性质

通过反胶束法成功制备了CdS及CdS/ZnS核壳结构量子点,采用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散型X射线能谱(EDX)以及荧光光谱(PL)等对其结构和性能进行了研究。与CdS量子点相比,CdS/ZnS量子点的粒径明显变大,本文估算了粒子的粒径,TEM图像很好的印证了估算的结果;结合EDX的测试结果可以推断CdS/ZnS量子点的结构是ZnS包裹在CdS表面的核壳结构;CdS/ZnS量子点的荧光强度与CdS量子点相比有了明显的提高,原因主要是壳层的ZnS消除了CdS量子点表面上存在的无辐射复合中心。     

聚酰胺-胺树形分子的合成及其包覆的CdSe@CdS核壳结构量子点的性能研究

以乙二胺和丙烯酸甲酯为原料,采用扩散法合成了不同端基类型不同代数的聚酰胺-胺(PAMAM)树形高分子,并用红外光谱进行表征;以G5.0-NH2 PAMAM树形高分子为模板,以二甲基亚砜为溶剂,在常温下制备了稳定的PAMAM树形高分子包覆的CdSe@CdS核壳结构量子点,并用紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱进行表征。结果表明,适当厚度CdS的包覆修饰可以有效提高CdSe量子点的发光性能;与单一组分的CdSe量子点相比,CdSe@CdS核壳结构量子点的相对荧光强度最大提高约123 %。     

巯基丙酸还原TeO2水相一步法合成CdTe/ZnTe核壳型量子点

以TeO2为碲源,巯基丙酸（MPA）为稳定剂和还原剂,采用微波辅助加热法一步合成水溶性CdTe/ZnTe核壳结构的半导体量子点.考察了Cd/Zn反应物配比及MPA用量对CdTe/ZnTe量子点性能的影响,并用紫外、荧光光谱、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、X射线粉末衍射（XRD）光谱和EDX电子能谱对CdTe/ZnTe进行了表征.结果表明,在不需要另加NaBH4的条件下,同样能合成水溶性的CdTe/ZnTe量子点,且该核壳结构的CdTe/ZnTe量子点比单一的CdTe量子点具有更高的荧光量子产率.     

胶体量子点发光二极管的研究进展

近年来,电驱动胶体量子点发光二极管(QD-LED)的性能,特别是外量子效率得到了很大的提高。胶体量子点由于具有高的发光效率和尺寸可调谐的光电子性质,在高效、高色彩品质的薄膜显示器和固态发光器件有潜在的应用。文章介绍了利用胶体量子点作为发光二极管发色团的优势,重点阐述三种典型QD-LED的类型,最后,我们讨论了QD-LED商业化遇到的挑战。     

CdSe@ZnS量子点荧光传感器在水体铜离子污染检测中的应用

使用微流控技术连续合成CdSe@ZnS核壳型量子点,并使用巯基丙酸对其进行表面改性,制备出可以被铜离子淬灭的水溶性CdSe@ZnS核壳型量子点。随后以聚乙烯醇（PVA）水凝胶为骨架,将改性后的量子点通过氢键作用力负载于骨架上,得到制备工艺简单、热稳定性高的复合荧光传感器件。该传感器的荧光强度随水溶液中铜离子浓度呈线性负相关关系,检测灵敏度可达20 μmol/L。其简便的操作和敏感的响应使之与原子吸收分光光度法形成优势互补,适用于水体铜离子污染的原位检测。该负载方法具有一定普适性,提供了将任意量子点制成器件应用于某种金属离子检测的新方式,实现了可回收的、环境友好的重金属离子快速检测目的。     

CdSe/CdS核壳型量子点的合成及性质研究

在三相体系中合成了核壳型CdSe/CdS量子点。在三相体系中,油酸和乙醇的混和物组成液相(L),油酸钠为固相(S),Cd2+溶液和乙醇组成溶液相(S)。量子点在两相的界面形成。所制备的量子点用TEM、XRD和FL进行表征。结果表明,量子点的粒径分布均匀,形貌规则,为立方型晶体。在核表面包覆上宽带隙的半导体后,其光量子产率极大提高,表明核的表面缺陷被消除。     

一锅法水相制备发白光的ZnxCd1-xSe量子点

以Na2SeO3,CdCl2 ·2.5H2O为Se源和Cd源,还原型谷胱甘肽(GSH)作为还原剂和稳定剂,真正成功实现了一锅法水相制备发白光ZnxCd1-xSe量子点(QDs),通过调节Zn2+与Cd2+的比例改变ZnxCd1-xSe量子点的光学性质.实验结果表明,当Zn/Cd比增大时,ZnxCd1-xSe量子点的荧光光谱和激子吸收峰均发生蓝移,证明这种混晶量子点的形成,而且,Zn0.89Cd0.11Se的光学性能最佳.通过粉末x射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)表征所制备的样品是立方体结构,粒径约为3 nm.并将一定量的量子点与不同体积血红蛋白结合,为以后量子点在生物标记及医学检测中的应用奠定了工作基础.     

多层核壳CuInS_2/ZnS量子点的有机相合成的研究

有机相反应体系中合成制备CuInS2量子点核壳结构,并对制备出的核以及核壳结构的材料进行表征。XRD结果显示成功合成纯度高、晶形较好的CIS量子点;通过TEM可以观察到量子点形貌以及尺寸的变化;荧光光谱和吸收光谱则清楚表明在反应过程中红移和蓝移情况以及量子效率的明显增加;最后,由光稳定性实验得出包覆了ZnS的CIS量子点稳定性得到提高。     

CdTe/CdS核壳型量子点的水相合成与荧光性质研究

在水相中制备了不同壳层厚度的核壳型半导体CdTe/CdS量子点,通过荧光光谱(PL)分析、原子力显微镜(AFM)和X-射线粉末衍射 (XRD)光谱分析对产物进行了表征.实验结果表明:反应时间、温度、硫化钠浓度和NaOH的量对CdTe/CdS量子点的壳层厚度和荧光强度都有很大影响.     

核壳量子点研究进展

核壳量子点是半导体材料研究热点之一。介绍了核壳量子点各种结构及其应用,着重综述了近年来有机合成路线制备核壳量子点方法,包括高温入注法、交替离子层吸附生长法、单前体法、种子生长法、离子交换法、一锅法等,并简述了各自的实验原理。最后对核壳量子点的制备研究进行了展望。     

CdTe量子点与蛋白质相互作用的荧光猝灭效应

本文在水热法合成水溶性CdTe及核壳结构CdTe/CdS量子点的基础上,分别研究了细胞色素c对CdTe量子点及CdTe/CdS核壳量子点荧光的猝灭效应和CdTe量子点对牛血清白蛋白荧光的猝灭效应,并阐述了猝灭机理。结果显示,细胞色素c对CdTe量子点的荧光猝灭效应具有一定的粒径依赖性,粒径越小,猝灭效应越强;细胞色素c对CdTe/CdS核壳量子点的猝灭效应比对CdTe量子点的更强,揭示了受激电子的表面传递机理。CdTe量子点通过松散牛血清白蛋白的螺旋结构而猝灭其荧光。     

有机相微波合成AgInS2量子点及其白光发光二极管应用研究

AgInS₂量子点(AIS QDs)由于具有绿色环保、发射波长可调、荧光寿命长、斯托克斯位移大等优势,在光电和生物医药领域具有广阔的应用前景。采用微波辅助加热法在十八烯溶剂中制备了AIS QDs。通过X射线衍射、透射电子显微镜、光致发光光谱系统研究了反应时间对AIS QDs的物相、形貌及荧光性能的影响,采用傅里叶红外光谱和X射线光电子能谱表征了量子点表面结合的情况。实验结果表明：当微波功率为800 W、反应时间为5~25 min时均可以制备出AIS QDs。随着反应时间的延长,AIS QDs的粒径由3 nm增加至4 nm,发光峰位在592.0~619.6 nm范围内调谐;同时AIS QDs的荧光强度逐渐提高,并在15 min达到峰值,量子产率(PLQY)达到16.16%。进一步采用ZnS作为包覆壳层有效钝化量子点表面缺陷、提高荧光性能,制备出的AIS@ZnS QDs的PLQY增加至31.21%。将AIS@ZnS QDs和商用荧光粉共同作为发光层制备成白光发光二极管(WLED)器件,在20 mA电流驱动下发光效率(LE)为74.90 lm/W,显色指数(CRI)和色温(CCT)分别为83.31和3823 K,表明制备的量子点在固态照明领域具有潜在的应用前景。     

硅壳包裹核/壳型CdSe/CdS纳米晶的制备与性能研究

采用低温水热技术,分别以柠檬酸、聚乙二醇(PEG400)和甲硫氨酸为稳定剂,在水相中合成了核壳型CdSe/CdS量子点,研究了稳定剂、CdSe与CdS物质的量比对量子点发光性能和结构的影响。XRD结果表明,当CdSe∶CdS在1∶3~4时,CdS主要在CdSe的外延生长,形成核壳型纳米粒子,当比例达到1∶5时,CdS单独成晶现象严重。CdSe∶CdS=1∶4时,核壳型量子点具有较高的荧光发射效率。TEM研究表明CdS在CdSe外表面生长形成较为完整的壳层,有效钝化CdSe表面,减少表面缺陷,从而显著提高CdSe量子点的发光效率。CdSe核尺寸为2~3nm的核壳型纳米粒子外包裹一层SiO2壳后,荧光发射效率没有显著提高,发射峰位置无明显红移。量子点包壳后能有效提高该量子点的光化学稳定性,提高量子点的生物相容性。     

铜离子掺杂CsPbCl3量子点光学性能及稳定性探究

近年来,钙钛矿因其特殊的结构受到广泛的关注。其中,全无机钙钛矿量子点作为下一代发光材料更因其优异的发光性能得到了广泛的研究和关注。但是因为其本身的铅（Pb）元素带来的毒性和较差的稳定性,钙钛矿量子点在生产和应用方面依然面临着诸多阻碍。为了解决这些难题,介绍了一种铜离子（Cu²⁺）B位掺杂CsPbCl₃钙钛矿量子点。采用了热注射的方法成功地将Cu²⁺引入CsPbCl₃钙钛矿量子点中。研究发现,Cu²⁺掺杂CsPbCl₃量子点能够保持初始四方晶体结构。由于Cu²⁺的掺杂,有效地消除了CsPbCl₃量子点的表面缺陷,从而通过辐射途径促进了激子复合,提高了CsPbCl₃量子点的发光性质。通过稳定性对比测试发现,一段时间内,Cu²⁺掺杂CsPbCl₃量子点在水中的发光强度明显高于CsPbCl₃量子点。     

CdSe:Mn量子点的制备及其光致发光特性研究

采用低温水热法,以柠檬酸为配位稳定剂制备了Mn2 掺杂的CdSe量子点.用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等进行了表征.研究了Mn2 掺杂浓度对量子点的结构及其光致发光性能的影响.光致发光光谱表明,当粒子尺寸为3 nm时,在580 nm处出现了属于Mn2 的4T1-6A1跃迁的特征发射峰.当激发波长为480nm时,在630nm处出现了CdSe的表面缺陷发射峰.随着Mn2 的掺杂浓度增大,CdSe:Mn表面陷阱态发射峰位置没有显著红移.TEM分析结果显示,CdSe:Mn量子点为单分散的,尺寸约为5 nm的圆形纳米粒子.当Mn2 离子掺杂浓度不大于5%时,Mn2 取代表面晶格中的Cd2 离子位置形成辐射性表面缺陷,产生表面陷阱态发射.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.     

核壳式CdSe/ZnS量子点对邻苯二甲酸二丁酯的快速高灵敏荧光测定

用水热反应法制备了核壳式CdSe/ZnS量子点并用透射电镜进行形貌表征,将该量子点作为荧光探针,基于邻苯二甲酸二丁酯(DBP)的荧光增强效应,建立了一种快速测定DBP的方法。在最优条件(pH7.0,反应时间15 min,水作溶剂)下,DBP对CdSe/ZnS量子点的荧光增强作用最显著,在1.0～20.0μg/L范围内荧光信号强度与DBP浓度的对数呈线性关系,检出限为0.21μg/L,相关系数R²为0.99。该方法可用于白酒中DBP的含量测定,与现有标准方法GC-MS比较,具有高的检测灵敏度和准确性。     

磁性/量子点纳米复合材料的制备与电致化学发光性能

利用共沉淀法制备了磁性Fe_3O_4纳米粒子,多巴胺(DA)在其表面自动氧化聚合形成核/壳结构纳米粒子(Fe_3O_4@PDA);通过红外光谱(IR)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构和形貌进行表征;采用水相合成法合成了CdSe量子点,并由L-半胱氨酸修饰其表面;由制备的核/壳结构纳米粒子与CdSe量子点通过静电吸引力结合在一起形成兼具有磁性和电致化学发光(ECL)的纳米复合材料。Fe~(3+)、Cu~(2+)、Cd~(2+)对复合材料ECL强度增强或猝灭的性质,在一定浓度范围内,离子浓度与发光强度呈线性关系,利用此性质检测这些离子的浓度,结果表明效果较好。     

CdS-QDs/PSt纳米复合材料的制备及荧光性能研究

采用液体-固体-溶液界面相转移和相分离法(LSS)制备单分散CdS量子点(CdS-QDs);通过自由基本体聚合合成单分散CdS量子点/聚苯乙烯(CdS/PSt)纳米复合材料,采用HRTEM、XRD、FTIR、PL对CdS纳米晶、CdS/PSt复合材料的微观结构、形貌、化学组成、光学性能进行了表征。结果表明:CdS纳米晶为单分散,粒径约为4nm;所制备的CdS/PSt纳米复合材料具有优越的荧光性能及荧光稳定性,其聚合物中的CdS纳米晶仍然保持很好的量子尺寸效应和良好的分散性。