您的电脑传真卡（MODEM）是否进网了？

您的电脑传真卡（ＭＯＤＥＭ）是否进网了？＠伍新民您的电脑传真卡（ＭＯＤＥＭ）是否进网了？伍新民为什么要有入网证利用电话网开通计算机通信业务，传输可视数据、可视电话、智能电报、电子邮箱等业务，都需要借助传输设备ＭＯＤＥＭ。ＭＯＤＥＭ在功能上属于用户终端设备，...     

三维动画软件SOFTIMAGE3DforWindowsNT版本问世

三维动画软件ＳＯＦＴＩＭＡＧＥ３ＤｆｏｒＷｉｎｄｏｗｓＮＴ版本问世在电脑动画界颇有名气的ＳＯＦＴＩＭＡＧＥ公司和其在中国的唯一代理商－－亚洲电脑顾问有限公司，最近在北京共同发布了其三维动画软件ＳＯＦＴＩＭＡＧＥ３ＤＦｏｒＷｉｎｄｏｗｓＮＴ版本，正式宣...     

戴尔推出三款OptiPlex桌面电脑

戴尔推出三款ＯｐｔｉＰｌｅｘ桌面电脑　　　　　　　　　　　　　　　　　查询号１２２戴尔电脑有限公司（ＤＥＬＬＣＯＭＰＵＴＥＲ）日前宣布，推出三款全新的ＤＥＬＬＯｐｔｉＰｌｅｘ桌面个人电脑。该三款新型号分别为ＯｐｔｉＰｌｅｘＧＸ５１５０、ＯｐｔｉＰｌｅ...     

调制解调器（MODEM）—电脑通信的桥梁

调制解调器（ＭＯＤＥＭ）——电脑通信的桥梁吴本科在现代信息社会里，只要为电脑配备一个调制解调器（ＭＯＤＥＭ），人们就能通过电话线与有同类配置的用户交换信息，这不再局限在一般性的通话上，还包括如各种文件、电子表格、音像、图文等多媒体信息。一、基本原理把...     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

MSCDEX的使用

ＭＳＣＤＥＸ的使用邵振付计算机对ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的识别与操作同ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的配置有关，这就是ＭＳＣＤＥＸ和ＣＤ－ＲＯＭ驱动程序的共同任务，下面作一简单介绍。ＭＳＣＤＥＸ命令提供ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的配置、安装功能，可通过ＡＵＴＯＥＸＥＣ．ＢＡＴ...     

问与答

问与答问：用户终端计算机无接地是否会影响专线通信？答：会影响．例如我区一农行用户申告其ＤＤＮ网络不通，有时勉强能通但速度很慢，在经过对用户方和局方的ＭＯＤＥＭ检验后故障依旧，更换局方ＭＯＤＥＭ卡和专线线路后依然不能排除故障．仔细观察局方ＭＯＤＥＭ，发...     

关于MODEM一词的发展

关于ＭＯＤＥＭ一词的发展赵辰（北京邮电大学北京１０００８８）ＭＯＤＥＭ一词对于通信工作者来说并不陌生。大家知道，该词是由ＭＯｄｕｌａｔｏｒ和ＤＥＭｅｄｕｈａＤｒ组合而来。ＭＯＤＥＭ是连接在电话线和计算机之间的设备，称之为调制解调器，它将计算机输出的数...     

MODEM电路板的设计

本文论述的注意事项和要求是ＲＯＣＫＷＥＬＬ公司为其生产的大规模集成电路ＲＣ９６ＤＰＬ／ＲＣ１４４ＤＰＬ ＭＯＤＥＭ芯片的用户提出来的。为使ＭＯＤＥＭ芯片在用户手中正常工作，发挥其良好的技术性能，在使用指南中专门用一个整章篇幅向用户提出了设计ＭＯＤＥＭ印制电路的具体要求和注意事项，以使用户正确的设计ＭＯＤＥＭ印制电路，提高电路的稳定可靠性。虽然它是针对设计ＭＯＤＥＭ印制电路板提出的，但它对设计其它印     

超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析

超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

A／D与D／A转换器技术

Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器技术ＷＤ９４５１１１０位１００Ｍ采样／秒流水线子区ＢｉＣ－ＭＯＳＡＤＣ＝Ａ１０－ｂ１００－Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓｐｉｐｅｌｉｎｅｄ　ｓｕｂ－ｒａｎｇｉｎｇＢｉＣＭＯＳＡＤＣ［刊，英］／Ｓｏｎｅ，Ｋ．…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａ...     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法

优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...     

耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...     

薄膜SOI／CMOS器件结构的设计考虑

薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

技术问答

问：我的电脑启动时间异常地长,一是ＢＩＯＳ程序运行时,显示出“ＦｏｕｎｄＣＤＲＯＭ：ＤＯＬＰＨＩＮ８００１ＩＤＥ２Ｘ”之后需要很长时间才能启动Ｗｉｎｄｏｗｓ;二是加载ｃｏｎｆｉｇ．ｓｙｓ文件中的驱动程序ＯＳＩ１０９Ｄ．ＳＹＳ时也要很长时间才能挂上。不...