1996年展望硅微电子技术发展趋势（续）

１９９６年展望硅微电子技术发展趋势（续）北京微电子技术研究所（北京１０００７６）许忠义，白丁４．１．３金属导体层金属导体包括Ａｌ（掺Ｃｕ３％）、Ｗ、Ｃｕ。当ＴｉＮ淀积后，一般用ＣＶＤＷ填充接触孔或通孔。ＷＣＶＤ是相当成熟的技术。用ＡｌＣＶＤ来填充接触...     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

纯铜渗铝层的电子探针研究

纯铜渗铝层的电子探针研究马永庆于志伟（大连海事大学金属材料研究所，大连１１６０２６）本文用ＪＸＡ－７３３电子探针研究了纯Ｃｕ渗Ａｌ层的Ａｌ浓度分布和相组成，为制备Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３复合材料的研究提供前期工作。实验用纯Ｃｕ（９９．９％）试样尺寸为２０×１...     

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。     

CuAlNiMnTi形状记忆合金时效残余母相的高分辨电镜观察

ＣｕＡｌＮｉＭｎＴｉ形状记忆合金时效残余母相的高分辨电镜观察彭红樱李斗星（中科院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）ＣｕＡｌＮｉＭｎＴｉ形状记忆合金具有比ＣｕＺｎＡｌ更高的母相强度和抗时效稳定性［１］，但是该合金在母相β１状态下的时...     

用EDS测量薄膜的厚度及其元素的深度分布

在扫描电子显微观察的同时，用ＥＤＳ测量薄膜的厚度及其元素的深度分布［１，２］简便可行。薄膜厚度的测量例１．载玻片上的ＣｏＣｕ膜。对载玻片、Ｃｕ底膜和ＣｏＣｕ膜，用ＥＤＳ分别进行了测量，其数据列入表１。根据电子在膜中的穿透深度（４０ｋＶ时在Ｃｕ膜中穿透...     

YBCO／Y－ZrO＿2／（1120）蓝宝石多层膜超导材料的分析电镜研究

我们在具有Ｙ稳定的ＺｒＯ＿２（ＹＳＺ）层的蓝宝石上获得高质量的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７ｋ时，其临界电流密度达到１．６×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。ＹＢＣＯ膜的（００１）面平行于ＹＳＺ过渡层的（１００）表面。ＹＳＺ层厚为２０ｎｍ。并且，由于Ｂａ自ＹＢＣＯ层的外扩散，ＹＳＺ层含有Ｂａ。尽管蓝宝石与ＹＳＺ层间的晶格铅配很大，由于ＹＳＺ层具有［１００］择优取向，仍能获得准单晶的ＹＢＣＯ薄膜。在ＹＢＣＯ薄膜中，观察到均匀分布的、微小尺寸的Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）沉淀粒子，它们也有利于提高临界电流密度。     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

加弧辉光离子渗钛层相组成的研究

本文采用加弧辉光离子渗金属技术，实现了在不同含碳量普通碳钢表面的渗钛。对渗层合金元素的分布进行了测定；并应用Ｘ射线衍射及透射电镜测试方法，研究了渗钛层的相组成及相分布。分析结果表明：在低碳钢（０．１ｗｔ．％Ｃ）试样表面形成的渗层为固溶了一定钛元素的合金铁素体α相，同时含有ξ－ＦｅＴｉ中间相及碳化物γ－ＴｉＣ，当含碳量高时（０．６，１．２ｗｔ．％Ｃ），试样表面形成以碳化物γ－ＴｉＣ为主的化合物渗层。     

内层铜箔处理方法

概述了使氧化铜（ＣｕＯ）化学还原成为金属Ｃｕ的化还原液，适用于内层板Ｃｕ箔处理，以便改善Ｃｕ箔与树脂之间的粘结强度。     

Al—2.6Li—1.3Cu合金中T1相及其生长机制

用电子衍射方法给出了Ａｌ－２．６Ｌｉ－１．３Ｃｕ合金中Ｔ１相的各种变体，并通过Ｔ１相与母相的位的向关系及Ｔ１相的分子组成描述了Ｔ１相的生长机制，Ｔ１相呈不规则薄片状，通过消耗δ相及从基体中吸取Ｃｕ原子逐渐长大，Ｔ１相长大速度是各向异性的，侧面长大速度大于厚度方向的长大速度。     

高分辨电子显微像结合1000keV电子衍射测定"Pb"-1223的无公度调制结构

（Ｐｂ０．５Ｓｒ０．３Ｃｕ０．２）Ｓｒ２（Ｃａ０．６Ｓｒ０．４）２Ｃｕ３Ｏｙ（简称“Ｐｂ”－１２２３）是一维无公度调制结构［１］，超空间群是Ｐｍｍｍ（ν０１／２）［２］。其基本结构的晶胞参数ａ＝ｂ＝０．３８２ｎｍ，ｃ＝１．５３ｎｍ，调制波矢为：ｑ＝０...     

Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

YBa2Cu3O7／PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＰＢａ２Ｃｕ３Ｏ７多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军＊赵柏儒＊李林＊（中国科学院物理研究所，＊国家超导实验室，北京１０００８０）通过改变非超导层的厚度，可以有效地调节超导薄膜的各向异性，所以多层膜的制备和研究能够加深对层状...     

Al－2．6Li－1．3Cu合金中T＇＿1相及其生长机制

用电子衍射方法给出了Ａｌ－２．６Ｌｉ－１．３Ｃｕ合金中Ｔ′＿１相的各种变体，并通过Ｔ′＿１相与母相的位向关系及Ｔ′＿１相的分子组成描述了Ｔ′＿２相的生长机制。Ｔ′＿１相呈不规则薄片状，通过消耗δ′相及从基体中吸取Ｃｕ原子逐渐长大。Ｔ′＿１相长大速度是各向异性的，侧面长大速度大于厚度方向的长大速度。     

605激光熔覆TiC－WC－Co金属陶瓷的组织性能研究

６０５激光熔覆ＴｉＣ－ＷＣ－Ｃｏ金属陶瓷的组织性能研究郑克全，张思玉（兰州大学物理系，兰州７３００００）郑立（兰州大学力学系，兰州７３００００）本文采用一台横流ＣＯ＿２大功率激光器对２０钢表面进行了ＴｉＣ－ＷＣ－ＣＯ金属陶瓷熔覆处理，结果表明：１．熔...     

利用准分子激光制备Cu，Al化合物的纳米粒子

利用准分子脉冲激光（ＸｅＣｌ，λ＝３０８ｕｍ）对Ｃｕ，Ａｌ靶进行消融，从而得到Ｃｕ，Ａｌ化合物的纳米级粉末。ＣＵ的产物为（ＣｕＯ）６·Ｃｕ２Ｏ，Ａｌ的产物为Ａ１Ｎ。用透射电镜对粉末进行分析，并对消融产生的纳米颗粒在其颗粒大小及分布上予以分析统计。结果表明，（ＣｕＯ）６·Ｃｕ２Ｏ粒子的平均直径为１１ｕｍ，Ａ１Ｎ粒子的平均直径为６ｕｍ左右，基本符合对数正态分布。     

RBa_2Cu_3O_（7－δ）（R＝Y，Pr）薄膜中非平衡载流子的超快弛豫动力学

通过拟合ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－δ）（δ＝０．１，０．４，０．８）和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７外延膜的室温飞秒瞬态反射谱，研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学，计算了电声耦合常数λ．发现随着氧含量的降低及用Ｐｒ替代Ｙ，Ｃｕ－Ｏ面上载流子浓度降低，非平衡载流子的弛豫时间增加而电声耦合常数明显减小．这表明电声耦合与载流子浓度的依赖关系，电声相互作用可能是一种实空间局域相互作用．     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

C60与金属：界面相互作用和取向关系

Ｃ６０与金属：界面相互作用和取向关系侯建国１，２王兵２张庶元１李永庆２王衍２徐文涛２曾建林２（中国科学技术大学，１．中国科学院成分与结构分析开放实验室，２．基础物理中心，合肥２３００２６）Ｃ６０与金属间的相互作用始终是科学家的关注焦点。在Ｃ６０－碱金...